使用 PVT、Lely 和 TSSG 方法生長 6 英寸和 8 英寸晶體的 SiC 單晶體生長爐

產品總覽

ZMSH SiC 單晶體生長爐是專為 6 吋和 8 吋碳化矽單晶體生產所設計的高溫成晶系統。.
該熔爐支援多種成熟的生長技術，包括物理氣相輸送 (PVT)、Lely 和溫度梯度 (TSSG) 方法，可根據晶體尺寸、聚合物類型和生產目標靈活選擇製程。.

系統採用石墨電阻加熱，並在受控真空和惰性氣氛下運作。透過精確調節溫度梯度、腔體壓力和氣流，該熔爐可提供穩定的環境，以進行一致的 SiC 昇華、傳輸和再結晶，從而確保半導體級應用的可靠鋁錠品質。.

此熔爐專為工業規模操作而設計，強調 SiC 晶體製造的製程穩定性、重複性及長期可靠性。.

晶體生長能力

此熔爐可生長多種 SiC 多晶型，包括

• 導電 4H-SiC

• 半絕緣 4H-SiC

• 其他多類型，如 6H、2H 和 3C

其中，廣泛應用於功率半導體裝置的 4H-SiC 已在客戶的生產環境中多次使用 ZMSH 爐成功生長。.
軸向和徑向溫度梯度的獨立控制有助於降低熱應力、抑制缺陷形成並改善有效晶體厚度。.

主要技術優勢

最佳化熱場控制

該熔爐採用平衡良好的熱場設計，可精確控制軸向和徑向溫度梯度。這使得溫度曲線平滑，晶體生長介面穩定，提高了晶體均勻度和材料利用效率。.

高精密製程控制

先進的控制系統可確保整個生長週期的穩定運作，提供加熱功率、溫度、氣體流量和腔室壓力的精確調節。這些功能對於生產具有低缺陷密度的高純度 SiC 晶體是非常重要的。.

自動化與智慧型操作

系統整合了自動監控、即時資料記錄、安全警報及遠端存取功能。自動化可降低操作人員的依賴性、改善製程一致性，並支援長期持續生產。.

典型應用

• 用於功率半導體裝置的 SiC 基板

• 高壓 MOSFET 和二極體

• 電動車電力電子

• 可再生能源電力轉換系統

• 工業電源模組

技術規格

一般熔爐參數

6 英寸 SiC 晶体生长能力

8 英寸 SiC 晶体生长能力

工業可靠性

該熔爐專為持續工業運轉而設計，在多個生長週期中提供穩定的熱表現、可重複的生長條件和一致的晶體品質。.
其結構與控制架構可長期用於對良率穩定性與製程控制要求極高的 SiC 基板製造生產線。.

ZMSH 工程服務

ZMSH 在整個設備生命週期中提供完整的技術支援，包括客製化系統組態、現場安裝與試車、操作員培訓，以及快速回應的售後服務。.
我們的工程團隊與客戶密切合作，優化晶體生長製程，確保穩定的生產效能。.

常見問題

Q1: 此爐可實現哪些 SiC 晶體生長方法？
答：本爐支援物理氣相輸送 (PVT)、Lely 和溫度梯度 (TSSG) 等晶體生長方法。製程選擇可根據晶體大小、多晶體類型和生產目標進行調整。.

問題 2：哪些 SiC 聚合物類型適合使用此系統進行生長？
答：系統支援導電和半絕緣的 4H-SiC 以及其他多晶矽類型，例如 6H、2H 和 3C。其中，4H-SiC 是用於功率半導體應用的主要多晶矽類型。.

Q3: 此熔爐是否適用於工業規模的 SiC 晶體生產？
答：是的。此熔爐專為工業用途設計，提供穩定的溫度控制、自動化操作及高重複性，適合連續且可擴充的 SiC 晶體製造。.

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