Ai80HC (High Beam) 離子植入設備是專為 12 吋矽晶圓半導體生產線設計的高電流離子植入器。它專為現代積體電路製造中的先進精密摻雜製程而設計，可提供穩定的束流性能、高製程重複性和出色的劑量控制精度。.
該系統可在 0.5 keV 至 80 keV 的寬能量範圍內運作，為淺深度和中深度結工程提供靈活的植入條件。它支援多種植入物種，包括 ¹¹B⁺、⁴⁹BF₂⁺、³¹P⁺、⁷⁵As⁺、¹⁴N⁺ 和 ¹H⁺，因此適用於各種 CMOS 和先進邏輯元件製程。.
該系統的植入角度範圍為 0° 至 45°，角度精度高達 ≤ 0.1°，可確保精密控制摻質分佈和結面輪廓工程。Ai80HC (High Beam) 結合光束平行度 ≤ 0.3° 和均勻度 ≤ 1% (1σ)，可提供一致的晶圓間和晶圓內製程穩定性。.
此系統專為高效率生產環境所設計，在維持嚴格製程穩定性的同時，可達到每小時≥ 200 片晶圓 (WPH) 的產能，適合 LSI 相容的先進半導體製造線。.
系統架構
Ai80HC 採用成熟可靠的光束線設計，由以下部分組成：
- 離子源
- 萃取系統
- 質量分析儀
- 磁性鏡頭系統
- 加速管
- 靜電掃描系統
- 平行光束整形透鏡
- 製程室（末端站）
- 晶圓盒/上料系統
它配備了
- 靜電晶圓卡盤平台
- 長效離子源技術
- 全自動化晶圓處理系統
此架構可確保高光束穩定性、減少維護停機時間，以及改善製程重複性。.
主要技術規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 晶圓尺寸 | 12 吋 |
| 能量範圍 | 0.5 - 80 keV |
| 植入元件 | ¹B⁺, ⁴⁹BF₂⁺, ³¹P⁺, ⁷⁵As⁺, ¹⁴N⁺, ¹H⁺ |
| 種植角度 | 0° - 45° |
| 角度精確度 | ≤ 0.1° |
| 劑量範圍 | 5E11 - 1E17 離子/平方厘米 |
| 梁的穩定性 | ≤ 10% / 小時 (60 分鐘內; 光束中斷和起弧 ≤ 1 次) |
| 光束平行度 | ≤ 0.3° |
| 吞吐量 (WPH) | ≥ 200 片/小時 |
| 均一性 (1σ) | ≤ 1% |
| 重複性 (1σ) | ≤ 1% |
| 製程相容性 | 與 LSI 製程相容 |
主要功能與優勢
1.智慧型控制系統
配備可視化的智慧型軟體平台，可在生產過程中簡化操作、快速診斷故障，並提供高系統穩定性。.
2.長壽命離子源
採用先進的離子源設計，壽命≥500 小時，大幅降低停機時間與維護成本。.
3.光束診斷能力
整合式 2D 光束輪廓測量系統，能夠精確監控：
- 光束寬度
- 光束高度
這可改善植入精確度，並提高製程重複性。.
4.生產效率高
Ai80HC 的吞吐量效能比傳統系統高出 1.5 倍以上，適合高產量的半導體製造環境。.
5.先進模式植入功能
支援圖案化離子植入，使劑量分佈在：
- 圓形區域
- 基於象限的晶圓分割
這允許
- 單一晶圓上的多重製程條件
- 降低製程開發成本
- 提高研發效率
範例：單一晶圓可在四個象限同時接受四種不同的植入條件，大幅加速製程最佳化。.
應用
- CMOS 元件製造
- 先進的邏輯 IC 製造
- 功率半導體摻雜
- 研發半導體試驗線
- 矽基積體電路生產
常見問題 (FAQ)
1.Ai80HC (High Beam) 系統專為哪種晶圓尺寸設計？
Ai80HC (High Beam) 離子植入系統專為 12 吋矽晶圓生產線所設計，適合先進的半導體製造和大批量積體電路製造。.
2.此系統的能量範圍和製程能力為何？
該系統的工作能量範圍為 0.5 keV 至 80 keV，同時支援淺層和中深度植入。它與 LSI 製程相容，包括先進裝置結構中的淺結形成和源極/漏極工程。.
3.系統的精確度和穩定性如何？
Ai80HC (High Beam) 可確保高度的製程一致性，具備以下優點：
- 角度精確度 ≤ 0.1°
- 均一性 (1σ) ≤ 1%
- 重複性 (1σ) ≤ 1%
- 光束平行度 ≤ 0.3°
這些規格可確保穩定的晶圓到晶圓性能和高產量的半導體生產。.
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