6/8/12-Inch LPCVD 氧化爐是最先進的半導體製造工具，專為精確、均勻的薄膜沉積而設計。它廣泛應用於在晶圓上生長高品質的多晶矽、氮化矽和氧化矽層，確保功率半導體、先進基板和其他高精密應用的穩定效能。.
此設備結合了先進的低壓沉積技術、智慧型溫度控制及超潔淨製程設計，可達到卓越的薄膜均勻性及高產量。其垂直反應器配置可實現高效率的批次處理，而其熱沉積製程則可避免等離子造成的損害，使其成為閘極電介質形成、應力緩衝層和保護性氧化物等關鍵製程的理想選擇。.
主要優勢
- 高均勻性薄膜沉積： 低壓環境（0.1-10 Torr）可確保晶圓與晶圓之間及晶圓內的均勻性達到 ±1.5%，這對於高效能元件製造來說至關重要。.
- 垂直反應器設計： 每批可處理 150-200 片晶圓，提高了工業規模半導體製造的產量和生產效率。.
- 熱沉積製程 (500-900°C)： 提供溫和、無電漿沉積，可保護敏感基板並維持高薄膜品質。.
- 智慧型溫度控制： 即時監控與調整，精確度達 ±1°C，提供穩定、可重複的結果。.
- 超潔淨的製程室： 最小化微粒污染，支援 SiC 及其他先進晶圓材料。.
- 可自訂組態： 靈活的設計可滿足各種製程需求，包括乾式或濕式氧化以及不同的晶圓尺寸。.
技術規格
| 特點 | 規格 |
|---|---|
| 晶圓尺寸 | 6/8/12 英吋 |
| 相容材料 | 多晶矽、氮化矽、氧化矽 |
| 氧化類型 | 乾氧 / 濕氧 (DCE、HCL) |
| 製程溫度範圍 | 500°C-900°C |
| 恆溫區 | ≥800 mm |
| 溫度控制精度 | ±1°C |
| 微粒控制 | 0.32μm), 0.32μm), 0.226μm) |
| 薄膜厚度 | NIT1500 ±50 Å |
| 均一性 | 晶圓內 <2.5%、晶圓間 <2.5%、批次間 <2% |
產品特色
- 自動化晶圓處理確保高安全性和運作效率。.
- 超潔淨的製程室可降低污染風險，並維持一致的薄膜品質。.
- 優異的薄膜厚度均勻性可支援先進的節點製造。.
- 即時智慧型溫度與壓力控制可精確調整製程。.
- SiC 晶圓支架可減少摩擦和微粒的產生，延長晶圓的使用壽命。.
- 模組化設計可針對不同的應用和製程需求進行客製化。.
沉積製程原理
- 瓦斯簡介： 反應氣體在低壓條件下（0.25-1 Torr）導入管內。.
- 表面擴散： 分子可在晶圓表面自由擴散，確保覆蓋範圍均勻。.
- 吸附： 反應物在化學反應前會附著在晶圓表面。.
- 化學反應： 熱分解可直接在基板上形成所需的薄膜。.
- 副產品清除： 非反應性氣體會被排空，以保持純度和防止干擾。.
- 電影形成： 反應生成物逐漸累積，形成均勻、穩定的薄膜層。.
應用
- 屏蔽氧化層： 保護矽晶圓免受污染，並在摻雜製程中減少離子通道。.
- 墊氧化層： 可作為矽層與氮化矽層之間的應力緩衝區，防止晶圓開裂並提昇良率。.
- 閘極氧化層： 在 MOS 結構中提供介質層，確保精確的電流傳導和場效控制。.
系統組態
- 垂直 LPCVD： 製程氣體自上而下流動，可在批次中的所有晶圓上實現均勻沉積。.
- 水平 LPCVD： 氣體沿著基板的長度流動，適用於連續、大量的生產，但沉積厚度在靠近進氣口一側可能會略有變化。.
常見問題
Q1: LPCVD 主要用於何種用途？
答：LPCVD 是一種低壓薄膜沉積製程，廣泛用於半導體製造中的多晶矽、氮化矽和氧化矽的沉積，可製造出均勻且高品質的薄膜，用於先進的裝置製造。.
Q2: LPCVD 與 PECVD 有何不同？
答：LPCVD 依賴低壓下的熱活化來製造高純度薄膜，而 PECVD 則使用低溫下的電漿來加快沉積速度，但通常薄膜品質會略差。.
Q3: 此 LPCVD 氧化爐與哪些晶圓尺寸和材料相容？
答：本爐支援 6 吋、8 吋和 12 吋晶圓，並與多晶矽、氮化矽、氧化矽和 SiC 晶圓相容，為各種半導體應用提供彈性。.
Q4: LPCVD 氧化爐可以針對特定製程進行客製化嗎？
答：是的，該系統提供模組化配置，包括可調溫區、氣流控制和氧化模式（乾式或濕式），可滿足研究和工業規模生產的各種製程要求。.
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