Panoramica del prodotto
Il forno di crescita a resistenza per cristalli singoli ZMSH SiC è un sistema di crescita di cristalli ad alta temperatura specificamente progettato per la produzione di cristalli singoli di carburo di silicio di grande diametro, in grado di supportare la produzione di wafer SiC da 6, 8 e 12 pollici.
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Il forno è progettato in base al principio di crescita dei cristalli con trasporto fisico del vapore (PVT), integrando il controllo preciso del riscaldamento a resistenza, la distribuzione stabile del campo termico, la gestione dell'ambiente ad alto vuoto e la regolazione accurata della pressione.
Questa configurazione consente la crescita di cristalli singoli di SiC di elevata purezza e a bassa densità di difetti, adatti per applicazioni avanzate di semiconduttori di potenza e dispositivi elettronici.
Il sistema è stato sviluppato per soddisfare i requisiti della produzione industriale, garantendo la stabilità del processo, la ripetibilità e l'affidabilità operativa a lungo termine in ambienti di crescita di cristalli SiC su larga scala.
Capacità tecniche di base
Sistema di riscaldamento a resistenza ad alta stabilità
Il forno adotta una struttura di riscaldamento a resistenza multizona per ottenere una distribuzione uniforme della temperatura assiale e radiale. Ciò minimizza i gradienti termici, riduce le sollecitazioni interne e migliora l'integrità strutturale del cristallo durante il processo di crescita.
Controllo termico e di pressione di precisione
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Temperatura massima di esercizio fino a 2500°C
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Precisione del controllo della temperatura: ±1°C
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Ampio intervallo di regolazione della pressione: 1-700 mbar
Questi parametri forniscono un ambiente termodinamico stabile, essenziale per la sublimazione controllata, il trasporto del vapore e la ricristallizzazione dei cristalli nella crescita del SiC.
Capacità di crescita di cristalli di grande diametro
Con un diametro del crogiolo di 900 mm, il sistema supporta la crescita di lingotti SiC di prossima generazione da 8 e 12 pollici, consentendo ai produttori di scalare la produzione e di migliorare la resa e la consistenza dei wafer.
Ambiente di crescita ad alto vuoto
Il forno mantiene una camera di crescita a bassa perdita e ad alto vuoto, garantendo un rischio ridotto di contaminazione, una maggiore purezza dei cristalli e un funzionamento stabile a lungo termine.
Applicazioni industriali
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Substrati per semiconduttori di potenza
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Moduli di potenza per veicoli elettrici
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Dispositivi MOSFET e diodi ad alta tensione
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Sistemi di conversione dell'energia rinnovabile
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Componenti elettronici ad alta frequenza e RF
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Elettronica di potenza industriale
Specifiche tecniche
| No. | Specifiche | Dettagli |
|---|---|---|
| 1 | Modello | PVT-RS-40 |
| 2 | Dimensioni del forno (L × W × H) | 2500 × 2400 × 3456 mm |
| 3 | Diametro del crogiolo | 900 mm |
| 4 | Pressione di vuoto finale | 6 × 10-⁴ Pa (dopo 1,5 ore di vuoto) |
| 5 | Tasso di perdita | ≤5 Pa / 12 h (bake-out) |
| 6 | Diametro dell'albero di rotazione | 50 mm |
| 7 | Velocità di rotazione | 0,5-5 giri/minuto |
| 8 | Metodo di riscaldamento | Riscaldamento a resistenza elettrica |
| 9 | Temperatura massima del forno | 2500°C |
| 10 | Potenza di riscaldamento | 40 kW × 2 + 20 kW |
| 11 | Misura della temperatura | Pirometro a infrarossi a doppio colore |
| 12 | Intervallo di temperatura | 900-3000°C |
| 13 | Precisione della temperatura | ±1°C |
| 14 | Intervallo di pressione | 1-700 mbar |
| 15 | Precisione del controllo della pressione | ±0,5% fondo scala |
| 16 | Tipo di operazione | Caricamento dal basso, modalità di sicurezza manuale o automatica |
| 17 | Configurazioni opzionali | Riscaldamento multizona, monitoraggio della doppia temperatura |
Prestazioni di crescita dei cristalli
Il sistema consente di produrre cristalli singoli di SiC di alta qualità con:
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Bassa densità di dislocazione
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Elevata uniformità strutturale
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Proprietà elettriche stabili
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Eccellenti prestazioni termiche e meccaniche
Queste caratteristiche sono fondamentali per i wafer per semiconduttori utilizzati nella produzione di dispositivi ad alta potenza, alta tensione e alta frequenza.
Servizi di ingegneria ZMSH
Configurazione di sistema personalizzata
La struttura del forno, le zone di riscaldamento, i sistemi di controllo e le dimensioni della camera possono essere personalizzati in base alla scala di produzione e alle dimensioni dei wafer.
Installazione e messa in servizio
L'installazione del sistema in loco, la calibrazione e la verifica operativa sono fornite da team di ingegneri professionisti.
Formazione tecnica
I programmi di formazione degli operatori comprendono il funzionamento delle apparecchiature, il controllo dei processi, la manutenzione e la diagnosi dei guasti.
Supporto a lungo termine
L'assistenza tecnica per tutto il ciclo di vita, i servizi di manutenzione e la fornitura di parti di ricambio garantiscono un funzionamento stabile a lungo termine.
FAQ
D1: Quale metodo di crescita dei cristalli utilizza questo forno?
R: Il forno funziona con il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT), che consente la sublimazione e la ricristallizzazione controllata del carburo di silicio ad alte temperature, rendendolo adatto alla crescita di cristalli singoli di alta qualità.
D2: Quali dimensioni di wafer può supportare il forno?
R: Il sistema è progettato per la crescita di cristalli singoli di carburo di silicio da 6, 8 e 12 pollici, per supportare i requisiti di produzione di wafer attuali e di prossima generazione.
D3: Il forno è adatto alla produzione su scala industriale?
R: Sì. Il sistema è progettato per il funzionamento industriale continuo e offre un'elevata stabilità termica, ripetibilità del processo e affidabilità a lungo termine per le linee di produzione di cristalli SiC su larga scala.
Recensioni
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