Tag: SiC single crystal growth furnace
-
Forno per la crescita dei cristalli
Forno per la crescita di cristalli singoli di SiC per cristalli da 6 e 8 pollici con metodi PVT, Lely e TSSG
-
Forno per la crescita dei cristalli
Forno di crescita a resistenza a cristallo singolo SiC per la produzione di wafer da 6, 8 e 12 pollici (metodo PVT)
