Termék áttekintés
A ZMSH SiC egykristályos ellenállásfűtéses növesztő kemence egy magas hőmérsékletű kristálynövesztő rendszer, amelyet kifejezetten nagy átmérőjű szilíciumkarbid egykristályok gyártására terveztek, és amely támogatja a 6, 8 és 12 hüvelykes SiC ostyák gyártását.
uring.
A kemencét a fizikai gőztranszport (PVT) kristálynövesztés elve alapján tervezték, amely integrálja a pontos ellenállásfűtés-szabályozást, a stabil hőmező-eloszlást, a nagyvákuumú környezet kezelését és a pontos nyomásszabályozást.
Ez a konfiguráció lehetővé teszi a nagy tisztaságú, alacsony hibasűrűségű SiC egykristályok növesztését, amelyek alkalmasak a fejlett teljesítmény-félvezető és elektronikus eszköz alkalmazásokhoz.
A rendszert úgy fejlesztették ki, hogy megfeleljen az ipari termelés követelményeinek, biztosítva a folyamat stabilitását, megismételhetőségét és hosszú távú működési megbízhatóságát a nagyszabású SiC-kristályok növekedési környezetében.
Alapvető műszaki képességek
Nagy stabilitású ellenállásfűtési rendszer
A kemence többzónás ellenállásfűtési szerkezetet alkalmaz az egyenletes axiális és radiális hőmérsékleteloszlás elérése érdekében. Ez minimalizálja a hőgradienseket, csökkenti a belső feszültséget, és javítja a kristályszerkezet integritását a növekedési folyamat során.
Precíziós hő- és nyomásszabályozás
-
Maximális üzemi hőmérséklet 2500°C-ig
-
Hőmérséklet-szabályozási pontosság: ±1°C
-
Széles nyomásszabályozási tartomány: mbar
Ezek a paraméterek stabil termodinamikai környezetet biztosítanak, amely elengedhetetlen a SiC növekedése során a szabályozott szublimációhoz, a gőztranszporthoz és a kristályok átkristályosodásához.
Nagy átmérőjű kristálynövesztési kapacitás
A 900 mm-es tégelyátmérővel a rendszer támogatja a következő generációs 8 és 12 hüvelykes SiC-ingotok növekedését, lehetővé téve a gyártók számára a termelés skálázását, miközben javítja a hozamot és a szeletek konzisztenciáját.
Nagy vákuumú növekedési környezet
A kemence alacsony szivárgású, nagy vákuumú növekedési kamrát tart fenn, amely biztosítja a szennyezés kockázatának csökkentését, a kristályok tisztaságának javítását és a stabil, hosszú ideig tartó működést.
Ipari alkalmazások
-
Teljesítmény félvezető szubsztrátumok
-
Elektromos járművek teljesítménymoduljai
-
Nagyfeszültségű MOSFET és diódás eszközök
-
Megújuló energiát hasznosító energiaátalakító rendszerek
-
Nagyfrekvenciás és RF elektronikai alkatrészek
-
Ipari teljesítményelektronika
Műszaki specifikációk
| Nem. | Specifikáció | Részletek |
|---|---|---|
| 1 | Modell | PVT-RS-40 |
| 2 | A kemence méretei (L × Sz × H) | 2500 × 2400 × 3456 mm |
| 3 | Tégely átmérője | 900 mm |
| 4 | Végső vákuumnyomás | 6 × 10-⁴ Pa (1,5 óra vákuum után) |
| 5 | Szivárgás mértéke | ≤5 Pa / 12 óra (sütés) |
| 6 | Forgatás tengely átmérője | 50 mm |
| 7 | Forgási sebesség | 0,5-5 fordulat/perc |
| 8 | Fűtési módszer | Elektromos ellenállásfűtés |
| 9 | Maximális kemence-hőmérséklet | 2500°C |
| 10 | Fűtési teljesítmény | 40 kW × 2 + 20 kW |
| 11 | Hőmérséklet mérés | Kétszínű infravörös pirométer |
| 12 | Hőmérséklet tartomány | 900-3000°C |
| 13 | Hőmérséklet pontosság | ±1°C |
| 14 | Nyomás tartomány | 1-700 mbar |
| 15 | Nyomásszabályozás pontossága | ±0,5% teljes skála |
| 16 | Művelet típusa | Alsó betöltés, kézi vagy automatikus biztonsági üzemmód |
| 17 | Választható konfigurációk | Többzónás fűtés, kettős hőmérséklet-ellenőrzés |
Kristálynövekedési teljesítmény
A rendszer lehetővé teszi kiváló minőségű SiC egykristályok előállítását:
-
Alacsony diszlokációs sűrűség
-
Nagy szerkezeti egységesség
-
Stabil elektromos tulajdonságok
-
Kiváló termikus és mechanikai teljesítmény
Ezek a jellemzők kritikusak a nagy teljesítményű, nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás eszközök gyártásában használt félvezető minőségű ostyák esetében.
ZMSH mérnöki szolgáltatások
Egyedi rendszerkonfiguráció
A kemence szerkezete, a fűtési zónák, a vezérlőrendszerek és a kamra méretei testre szabhatók a gyártási léptéknek és az ostyaméretnek megfelelően.
Telepítés és üzembe helyezés
A rendszer helyszíni telepítését, kalibrálását és működési ellenőrzését professzionális mérnöki csapatok végzik.
Műszaki képzés
A kezelői képzési programok a berendezések üzemeltetését, a folyamatszabályozást, a karbantartást és a hibadiagnosztikát foglalják magukban.
Hosszú távú támogatás
Az egész életcikluson át tartó műszaki támogatás, karbantartási szolgáltatások és pótalkatrész-ellátás biztosítja a hosszú távú stabil működést.
GYIK
1. kérdés: Milyen kristálynövesztési módszert használ ez a kemence?
V: A kemence a fizikai gőztranszport (PVT) módszer alapján működik, amely lehetővé teszi a szilícium-karbid ellenőrzött szublimációját és átkristályosítását magas hőmérsékleten, így alkalmas a kiváló minőségű egykristályok növesztésére.
2. kérdés: Milyen ostyaméreteket támogat a kemence?
V: A rendszert 6 hüvelykes, 8 hüvelykes és 12 hüvelykes szilíciumkarbid egykristályok növesztésére tervezték, támogatva a jelenlegi és a következő generációs ostyagyártási követelményeket.
3. kérdés: Alkalmas-e a kemence ipari méretű termelésre?
V: Igen. A rendszert folyamatos ipari működésre tervezték, nagy termikus stabilitást, a folyamatok megismételhetőségét és hosszú távú megbízhatóságot kínálva a nagyszabású SiC-kristály gyártósorok számára.
Request a Quote for SiC Single Crystal Resistance Heating Growth Furnace for 6-Inch, 8-Inch and 12-Inch Wafer Production (PVT Method)
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.