Az Ai250 (Medium Beam) ionimplantációs rendszert 6 hüvelykes és 8 hüvelykes szilíciumszelet félvezető gyártósorokhoz tervezték. Ez egy közepes áramú ionimplantáló, amelyet a fejlett integrált áramkörök gyártási folyamataiban használnak, stabil sugár teljesítményt, nagy implantációs pontosságot és megbízható dózisszabályozást biztosít.
A rendszer 5 keV és 250 keV közötti energiatartományt támogat, lehetővé téve mind a sekély, mind a mély ionimplantációs alkalmazásokat. A rendszer a félvezető-adalékolási eljárások széles skálájához alkalmas, és teljes mértékben kompatibilis az LSI-gyártási követelményekkel.
Jellemzők
Stabil középsugár teljesítmény
Stabil ionnyaláb-kibocsátást biztosít hosszú gyártási ciklusok során, javítva a folyamatok konzisztenciáját és csökkentve a változékonyságot.
Széles energiatartomány-képesség
Az 5-250 keV-os energiatartomány rugalmas implantációs követelményeket támaszt a különböző eszközszerkezetekhez és folyamatcsomópontokhoz.
Nagy pontosságú folyamatszabályozás
Nagy pontosságú beültetési teljesítményt biztosít ≤ 0,2° szögpontossággal, ≤ 0,2° sugárpárhuzamossággal, ≤ 0,5% egyenletességgel és ≤ 0,5% ismételhetőséggel.
Nagy áteresztőképesség
Óránként ≥ 200 ostyát támogat, alkalmas közepes és nagy volumenű félvezetőgyártáshoz.
Mintás implantátum funkció
Támogatja a többzónás és kvadránsos beültetést egyetlen ostyán, javítva a folyamat rugalmasságát és csökkentve a fejlesztési költségeket.
LSI-folyamat kompatibilitás
Teljesen kompatibilis az LSI félvezetőgyártási folyamatokkal.
Főbb specifikációk
Folyamat paraméterek
| Tétel | Specifikáció |
|---|---|
| Wafer méret | 6-8 hüvelykes szilícium ostyák |
| Energia tartomány | 5-250 keV |
| Beültetett elemek | B+, P+, As+, Ar+, N+, H+, N+, H+ |
| Dózistartomány | 5E11-1E16 ion/cm² |
Sugár teljesítmény
| Tétel | Specifikáció |
|---|---|
| Maximális sugáráram | Ar+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV B+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV P+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV N+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV |
| Gerendastabilitás | ≤ 15% / óra (a fénysugár megszakadása és ívesedés ≤ 1 alkalommal óránként) |
| Gerendapárhuzamosság | ≤ 0.2° |
Beültetés pontossága
| Tétel | Specifikáció |
|---|---|
| Implantátum szögtartomány | 0°-45° |
| Szögpontosság | ≤ 0.2° |
| Egyenletesség (1σ) | ≤ 0,5% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Ismételhetőség (1σ) | ≤ 0,5% |
Rendszer teljesítménye
| Tétel | Specifikáció |
|---|---|
| Átviteli teljesítmény | ≥ 200 ostya óránként |
| Vákuumszint | < 5E-7 Torr |
| Röntgensugár-szivárgás | ≤ 0,6 μSv/h |
| Szkennelési mód | Vízszintes elektrosztatikus pásztázás + függőleges mechanikus pásztázás |
| Berendezés mérete | 5600 × 3300 × 2600 mm |
Alkalmazási mezők
Félvezető eszközök gyártása
A CMOS logikai eszközök gyártásában használják, pontos adalékanyag-beültetést biztosít a tranzisztorok kialakításához.
Integrált áramkör gyártás
LSI és fejlett IC gyártási folyamatokban alkalmazzák, amelyek nagy pontosságú doppingszabályozást igényelnek.
Sekély és mély kereszteződési képződmény
Támogatja az implantációs folyamatokat a source/drain tervezéshez és az átmenet mélységének szabályozásához.
Dopant Engineering
Szilíciumszelet elektromos tulajdonságainak pontos ionimplantációval történő szabályozására szolgál.
Folyamatfejlesztés és K+F
Alkalmas félvezető folyamatok fejlesztésére, kísérleti gyártásra és kísérleti eszközgyártásra.
Gyakran ismételt kérdések
1. Milyen ostyaméreteket támogat az Ai250
A rendszer támogatja a 6 hüvelykes és 8 hüvelykes szilícium ostyákat, és alkalmas az általános félvezető gyártósorokhoz.
2. Mekkora a rendszer energiatartománya
Az energiatartomány 5 keV és 250 keV között van, ami a félvezető eszközök gyártásához szükséges sekély és mély implantációs folyamatokat egyaránt támogatja.
3. Milyen szintű folyamatpontosságot biztosít a rendszer
A rendszer 0,2°-on belüli szögpontosságot, 0,2°-on belüli sugárpárhuzamosságot, valamint 0,5%-n belüli egyenletességet és ismételhetőséget biztosít, ami stabil és nagy hozamú gyártási teljesítményt biztosít.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.