Az Ai80HC (High Beam) ionimplantációs berendezés egy nagyáramú ionimplantáló berendezés, amelyet kifejezetten 12 hüvelykes szilíciumszelet félvezető gyártósorokhoz terveztek. A modern integrált áramkörök gyártásában alkalmazott fejlett precíziós adalékolási eljárásokhoz tervezték, stabil sugár teljesítményt, nagyfokú folyamatismétlést és kiváló dózisszabályozási pontosságot biztosít.
A rendszer 0,5 keV és 80 keV közötti széles energiatartományban működik, ami rugalmas implantációs feltételeket tesz lehetővé a sekély és közepes mélységű csomópontok kialakításához. A rendszer többféle implantációs fajt támogat, beleértve a ¹¹B⁺, ⁴⁹BF₂⁺, ³¹P⁺, ⁷⁵As⁺, ¹⁴N⁺ és ¹H⁺ implantációs fajokat, így a CMOS és a fejlett logikai eszközök gyártási folyamatainak széles skálájához alkalmas.
A 0° és 45° közötti beültetési szögtartomány és a nagy, ≤ 0,1°-os szögpontosság révén a rendszer biztosítja az adalékanyag-eloszlás és a csomópontprofil kialakításának pontos ellenőrzését. A ≤ 0,3°-os sugárpárhuzamossággal és a ≤ 1% (1σ) egyenletességgel kombinálva az Ai80HC (High Beam) következetes waferenkénti és waferen belüli folyamatstabilitást biztosít.
A nagy hatékonyságú termelési környezetekhez tervezett rendszer ≥ 200 ostya/óra (WPH) átmenő teljesítményt ér el, miközben szigorú folyamatstabilitást biztosít, így alkalmas az LSI-kompatibilis fejlett félvezetőgyártó sorok számára.
Rendszerarchitektúra
Az Ai80HC kiforrott és megbízható sugárvonal-konstrukciót alkalmaz, amely a következőkből áll:
- Ionforrás
- Kivonási rendszer
- Tömeg analizátor
- Mágneses lencse rendszer
- Gyorsítócső
- Elektrosztatikus pásztázó rendszer
- Párhuzamos sugár alakító lencse
- Folyamatkamra (végállomás)
- Wafer kazetta / betöltő rendszer
Fel van szerelve:
- Elektrosztatikus wafer chuck színpad
- Hosszú élettartamú ionforrás technológia
- Teljesen automatizált ostyakezelő rendszer
Ez az architektúra nagyfokú sugárstabilitást, csökkentett karbantartási állásidőt és jobb folyamatismétlést biztosít.
Főbb műszaki adatok
| Tétel | Specifikáció |
|---|---|
| Wafer méret | 12 hüvelyk |
| Energia tartomány | 0,5 - 80 keV |
| Beültetett elemek | ¹¹¹B⁺, ⁴⁹BF₂⁺, ³¹P⁺, ⁷⁵As⁺, ¹⁴N⁺, ¹H⁺. |
| Implantátum szög | 0° - 45° |
| Szögpontosság | ≤ 0.1° |
| Dózistartomány | 5E11 - 1E17 ion/cm² |
| Gerendastabilitás | ≤ 10% / óra (60 percen belül; sugármegszakítás és ívképződés ≤ 1 alkalom) |
| Gerendapárhuzamosság | ≤ 0.3° |
| Átbocsátási teljesítmény (WPH) | ≥ 200 ostya/óra |
| Egyenletesség (1σ) | ≤ 1% |
| Ismételhetőség (1σ) | ≤ 1% |
| Folyamat kompatibilitás | Kompatibilis az LSI eljárással |
Főbb jellemzők és előnyök
1. Intelligens vezérlőrendszer
Vizualizált és intelligens szoftverplatformmal felszerelt, amely lehetővé teszi az egyszerűsített működést, a gyors hibadiagnosztikát és a magas rendszerstabilitást a termelés során.
2. Hosszú élettartamú ionforrás
Fejlett ionforrás-kialakítású, ≥500 óra élettartamú, jelentősen csökkentve az állásidőt és a karbantartási költségeket.
3. Sugárdiagnosztikai képesség
Integrált 2D sugárprofil mérőrendszer, amely képes a pontos megfigyelésre:
- Sugárszélesség
- Gerendamagasság
Ez javítja a beültetés pontosságát és növeli a folyamat megismételhetőségét.
4. Nagy termelési hatékonyság
Az Ai80HC a hagyományos rendszerekhez képest több mint 1,5× nagyobb átviteli teljesítményt nyújt, így alkalmas nagy volumenű félvezetőgyártási környezetekbe.
5. Fejlett mintaimplantátum funkció
Támogatja a mintázott ionimplantációt, lehetővé téve a dózis eloszlását:
- Kör alakú régiók
- Kvadráns alapú ostyaszegmentálás
Ez lehetővé teszi:
- Többféle folyamatfeltétel egyetlen ostyán
- Csökkentett folyamatfejlesztési költségek
- Javított K+F hatékonyság
Példa: Ez jelentősen felgyorsítja a folyamat optimalizálását.
Alkalmazás
- CMOS eszköz gyártása
- Fejlett logikai IC gyártás
- Teljesítmény félvezetők adalékolása
- Kutatási és fejlesztési félvezető kísérleti vonalak
- Szilícium alapú integrált áramkörök gyártása
Gyakran ismételt kérdések (GYIK)
1. Milyen ostyaméretre tervezték az Ai80HC (High Beam) rendszert?
Az Ai80HC (High Beam) ionimplantációs rendszert 12 hüvelykes szilíciumszelet gyártósorokhoz tervezték, így alkalmas a fejlett félvezetőgyártásra és a nagy volumenű integrált áramkörök gyártására.
2. Mekkora a rendszer energiatartománya és feldolgozhatósága?
A rendszer 0,5 keV és 80 keV közötti energiatartományban működik, támogatva a sekély és közepes mélységű implantációt. A rendszer kompatibilis az LSI-folyamatokkal, beleértve a sekély átmenet kialakítását és a fejlett eszközszerkezetek source/drain kialakítását.
3. Milyen pontosságot és stabilitást biztosít a rendszer?
Az Ai80HC (High Beam) biztosítja a magas folyamatállandóságot a következőkkel:
- Szögpontosság ≤ 0,1°
- Egyenletesség (1σ) ≤ 1%
- Ismételhetőség (1σ) ≤ 1%
- A gerenda párhuzamossága ≤ 0,3°
Ezek a specifikációk biztosítják a stabil wafer-to-wafer teljesítményt és a nagy hozamú félvezetőgyártást.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.