Four de croissance SiC (méthode PVT) pour la production de cristaux de carbure de silicium de 6 à 12 pouces

Le four de croissance SiC (méthode PVT) est un système à haute performance conçu pour la production de monocristaux de carbure de silicium (SiC) de 6, 8 et 12 pouces.

Utilisant une technologie avancée de chauffage par induction, le four permet un chauffage rapide, un contrôle précis de la température et une faible consommation d'énergie, ce qui en fait une solution idéale pour la croissance de cristaux de SiC à l'échelle industrielle.

Il est largement utilisé dans la fabrication de substrats SiC pour l'électronique de puissance, les dispositifs RF et les applications semi-conductrices de la prochaine génération.

Caractéristiques principales

• Système de chauffage par induction
  Le chauffage électromagnétique direct du creuset en graphite garantit une grande efficacité et une réponse thermique rapide.

• Contrôle ultra-précis de la température
  Précision jusqu'à ±1°C, garantissant des conditions de croissance cristalline stables

• Faible consommation d'énergie
  La conception thermique optimisée réduit considérablement les coûts d'exploitation

• Stabilité élevée et faible contamination
  Chauffage sans contact + environnement de gaz inerte minimisant les impuretés

• Évolutif pour les cristaux de grand diamètre
  Permet la croissance de cristaux SiC de 6″, 8″ et 12″.

Spécifications techniques

Avantages de la conception

• Compatible avec la croissance de cristaux SiC semi-isolants et conducteurs

• Le système de rotation du creuset améliore l'uniformité de la température

• L'élévation réglable de la bobine d'induction réduit les perturbations thermiques

• La chambre à quartz à double couche refroidie à l'eau prolonge la durée de vie de l'équipement

• Contrôle de la température à deux points en temps réel

• Modes de contrôle multiples : puissance constante / courant / température

• Démarrage intelligent en un clic pour un fonctionnement automatisé

• Structure compacte pour un aménagement efficace de l'usine

• Contrôle de pression de haute précision (jusqu'à ±1 Pa)

Performances et applications

Le four permet la croissance de monocristaux de SiC de haute pureté (≥99,999%) et présentant peu de défauts, ce qui est essentiel pour.. :

• MOSFETs SiC

• Diodes Schottky

• Dispositifs RF

• Véhicules électriques (modules d'alimentation pour VE)

• Onduleurs solaires

• Systèmes de communication 5G

Grâce à un contrôle thermique stable et à des conditions de croissance optimisées, le système garantit un rendement, une cohérence et une évolutivité élevés pour la production industrielle.

Nos capacités (ZMSH)

1. Fabrication des équipements

• Conception d'un four de croissance SiC sur mesure

• Prise en charge de différentes tailles de cristaux et exigences en matière de processus

2. Optimisation du processus

• Réglage des paramètres de croissance PVT

• Amélioration du rendement et de la densité des défauts

3. Installation et formation

• Mise en service sur site

• Formation à l'exploitation et à la maintenance

4. Assistance après-vente

• Assistance technique 24 heures sur 24, 7 jours sur 7

• Réponse rapide de l'ingénierie

FAQ

Q1 : Qu'est-ce que la méthode PVT dans la croissance des cristaux de SiC ?
R : Le transport physique de vapeur (PVT) est un processus au cours duquel la poudre de SiC est sublimée à haute température et recristallisée sur un cristal de départ pour former des monocristaux en vrac.

Q2 : Pourquoi choisir le chauffage par induction pour la croissance du SiC ?
R : Le chauffage par induction offre une réponse rapide, une efficacité élevée et un contrôle précis, qui sont essentiels pour une croissance stable des cristaux de SiC à faible teneur en défauts.