Das Wafer Thinning System Precision Back Grinding Equipment ist eine hochpräzise Lösung für die Waferbearbeitung, die für die moderne Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Sie eignet sich für 4-Zoll- bis 12-Zoll-Wafer, einschließlich Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs), Saphir und andere spröde Verbindungshalbleitermaterialien.
Dieses System wurde für die hochpräzise Ausdünnung der Waferrückseite entwickelt und ermöglicht eine Dickenreduzierung auf Mikrometer- und Submikrometer-Niveau bei gleichzeitiger Beibehaltung einer hervorragenden Oberflächenintegrität. Es spielt eine wichtige Rolle bei der Herstellung von modernen Verpackungen, Leistungsgeräten, MEMS und Verbindungshalbleitern.
Durch die Integration einer hochsteifen mechanischen Konstruktion, einer präzisen Z-Achsen-Steuerung und einer Echtzeit-Dickenüberwachung gewährleistet das Gerät eine stabile und wiederholbare Verarbeitungsleistung für die industrielle Produktion.
Technische Hauptmerkmale
Hochpräzise Dickenkontrolle
- Dickengenauigkeit: ±1 μm
- Gesamtdickenabweichung (TTV): ≤2 μm
- Fortgeschrittene Modelle erreichen Submikrometer-Kontrolle bis zu ±0,5 μm
Breite Materialkompatibilität
Unterstützt eine breite Palette von Halbleitern und spröden Materialien:
- Silizium (Si)
- Siliziumkarbid (SiC)
- Galliumarsenid (GaAs)
- Saphir (Al₂O₃)
- Andere Verbindungshalbleiter-Wafer
Kompatibilität der Wafergrößen
- 4-Zoll / 6-Zoll / 8-Zoll / 10-Zoll / 12-Zoll-Waffeln
- Flexible Handhabung sowohl für Standard- als auch für kundenspezifische Substrate
Hochstabiles mechanisches System
- Luftgelagerte Spindel mit hoher Steifigkeit
- Vibrationsarme Präzisionsschleifplattform
- Importierte Kugelumlaufspindel + lineares Führungssystem
- Hochpräzise Servomotorsteuerung (0,1 μm Auflösung)
Fortschrittliches Kühlsystem
- Wassergekühltes Spindelsystem gewährleistet thermische Stabilität
- Verhindert Verformungen beim Hochgeschwindigkeitsschleifen
System-Konfiguration
Das Wafer Thinning System integriert mehrere Funktionsmodule:
1. Modul Präzisionsschleifen
Führt einen kontrollierten Materialabtrag mit hoher Oberflächengleichmäßigkeit durch.
2. Präzisionssteuerung der Z-Achse
Ermöglicht eine ultrafeine vertikale Einstellung für eine konstante Waferdicke.
3. System zur Dickenmessung
Die berührende/berührungslose Messung in Echtzeit gewährleistet Prozessstabilität.
4. Vakuum-Wafer-Chuck
Sichere Fixierung von Wafern, einschließlich maßgeschneiderter Lösungen für unregelmäßige Wafer.
5. Automation Control System
- Voll-Automatik / Halb-Automatik Betriebsarten
- Aufzeichnung des Betriebsprotokolls
- Rezepturgestützte Prozesssteuerung
Verarbeitungskapazitäten
Das System ist für die Hochleistungsbearbeitung der Waferrückseite konzipiert:
- Rückwärtsschleifen von Siliziumwafern
- Ausdünnen von SiC-Wafern für Leistungsbauelemente
- Ausdünnung von GaN- und GaAs-Substraten
- Präzisionsdünnen von Saphirwafern
- Vorbereitung ultradünner Wafer für das 3D-Packaging
Anwendungen
1. Leistungshalbleitergeräte
Verwendung in SiC-MOSFETs, IGBTs und Hochspannungsgeräten, die ultradünne Wafer erfordern.
2. Fortschrittliche Verpackung
Unterstützt das Ausdünnen von Wafern für:
- Flip-Chip-Verpackung
- 2.5D / 3D IC-Integration
- TSV-Verfahren (Through Silicon Via)
3. Zusammengesetzte Halbleiter
Anwendbar für die Herstellung von GaN-, GaAs- und InP-Bauteilen.
4. LED und Optoelektronik
Ausdünnen von Saphir- und Verbundwafern für LED-Chips und optische Geräte.
Vorteile
- Ausgereifte und stabile Technologie zur Ausdünnung von Wafern
- Hochpräzises Einstechschleifsystem
- Hervorragende Kontrolle der Oberflächenrauhigkeit
- Hohe UPH (bis zu 30 Wafer/Stunde für Standardprozesse)
- Starke Anpassungsfähigkeit für spröde und harte Materialien
- Vollständig automatisierte Prozessintegration
Höhepunkte der Leistung
- Minimale Auflösung: 0,1 μm/s Steuerung der Z-Achse
- Dickengleichmäßigkeit: ≤1-2 μm TTV
- Hochgeschwindigkeitsspindel mit extrem niedriger Vibration
- Prozessüberwachung und -protokollierung in Echtzeit
- Kompatibel sowohl mit F&E- als auch mit Massenproduktionsumgebungen
Anpassungsoptionen
Wir bieten flexible Anpassungen für unterschiedliche industrielle Anforderungen:
- Kundenspezifische Wafer Chucks (unregelmäßige Formen)
- Erweiterter Dickenmessbereich (bis zu 40 mm)
- Anpassung von Prozessrezepten
- Integration der Automatisierung in vor- und nachgelagerte Anlagen
FAQ
F1: Kann dieses System SiC-Wafer verarbeiten?
Ja, es ist speziell für das Ausdünnen von SiC-Wafern und das Rückseitenschleifen optimiert und eignet sich für Anwendungen in Leistungsbauelementen.
F2: Wie hoch ist die erreichbare Dickengenauigkeit?
Standardmodelle erreichen ±1 μm, und High-End-Konfigurationen können ±0,5 μm mit TTV ≤1 μm erreichen.
F3: Unterstützt es die vollständige Automatisierung?
Ja, je nach Produktionsanforderungen sind sowohl der Vollautomatik- als auch der Halbautomatikmodus verfügbar.
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