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ZMSH SiC 單晶電阻加熱生長爐是專為大直徑碳化矽單晶生產所設計的高溫成晶系統，可支援 6 吋、8 吋和 12 吋 SiC 晶圓製造。
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本爐是根據物理氣相輸送 (PVT) 晶體生長原理設計，整合了精確的電阻加熱控制、穩定的熱場分佈、高真空環境管理及精準的壓力調節。.
此配置可生長出適合先進功率半導體和電子裝置應用的高純度、低缺陷密度 SiC 單晶體。.
該系統的開發是為了滿足工業生產的要求，確保製程的穩定性、可重複性，以及在大規模 SiC 晶體生長環境中長期運作的可靠性。.
核心技術能力
高穩定電阻加熱系統
本爐採用多區電阻加熱結構，以達到均勻的軸向和徑向溫度分佈。這可將熱梯度降至最低、減少內部應力，並改善生長過程中的晶體結構完整性。.
精密溫度與壓力控制
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最高操作溫度可達 2500°C
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溫度控制精度： ±1°C
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寬廣的壓力調節範圍：1-700 毫巴
這些參數提供了穩定的熱力學環境，對於 SiC 生長過程中的受控昇華、蒸氣傳輸和晶體再結晶都是不可或缺的。.
大尺寸晶體生長能力
此系統的坩鍋直徑為 900 mm，可支援下一代 8 吋和 12 吋 SiC 鋁錠的生長，讓製造商在提高良率和晶圓一致性的同時，也能擴大生產規模。.
高真空成長環境
此熔爐可維持低滲漏、高真空的生長室，確保降低污染風險、提高晶體純度，以及長時間穩定運作。.
工業應用
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功率半導體基板
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電動車電源模組
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高壓 MOSFET 和二極體元件
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可再生能源電力轉換系統
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高頻和 RF 電子元件
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工業電力電子
技術規格
| 沒有. | 規格 | 詳細資訊 |
|---|---|---|
| 1 | 型號 | PVT-RS-40 |
| 2 | 爐子尺寸 (長 × 寬 × 高) | 2500 × 2400 × 3456 公釐 |
| 3 | 坩鍋直徑 | 900 公釐 |
| 4 | 終極真空壓力 | 6 × 10-⁴ Pa (1.5 小時真空後) |
| 5 | 洩漏率 | ≤5 Pa / 12 h (烘烤) |
| 6 | 旋轉軸直徑 | 50 公釐 |
| 7 | 旋轉速度 | 0.5-5 rpm |
| 8 | 加熱方式 | 電阻加熱 |
| 9 | 最高爐溫 | 2500°C |
| 10 | 加熱功率 | 40 kW × 2 + 20 kW |
| 11 | 溫度測量 | 雙色紅外測溫計 |
| 12 | 溫度範圍 | 900-3000°C |
| 13 | 溫度準確度 | ±1°C |
| 14 | 壓力範圍 | 1-700 毫巴 |
| 15 | 壓力控制精度 | ±0.5% 全量程 |
| 16 | 操作類型 | 底部裝載、手動或自動安全模式 |
| 17 | 可選配置 | 多區加熱、雙溫度監控 |
晶體生長效能
該系統可生產具有以下特性的高品質 SiC 單晶體：
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低位錯密度
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結構均勻度高
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穩定的電氣特性
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優異的散熱與機械效能
這些特性對於用於高功率、高電壓和高頻率裝置製造的半導體級晶圓至關重要。.
ZMSH 工程服務
自訂系統組態
熔爐結構、加熱區、控制系統和爐腔尺寸均可根據生產規模和晶圓尺寸要求進行定制。.
安裝與試運轉
由專業工程團隊提供現場系統安裝、校正及操作驗證。.
技術訓練
操作員培訓計畫包括設備操作、製程控制、維護及故障診斷。.
長期支援
全生命週期的技術支援、維修服務及備用零件供應，可確保長期穩定運作。.
常見問題
Q1: 此熔爐使用何種晶體生長方法？
答：本爐是以物理氣相輸送 (PVT) 方法為基礎運作，可在高溫下控制碳化矽的昇華與再結晶，因此適用於高品質的單晶成長。.
Q2: 爐子可以支援哪些晶圓尺寸？
答：本系統專為 6 吋、8 吋和 12 吋碳化矽單晶生長所設計，可支援目前和下一代的晶圓製造需求。.
Q3: 爐子是否適合工業規模生產？
答：是的。該系統專為連續工業運轉而設計，可為大型 SiC 晶體生產線提供高熱穩定性、製程重複性和長期可靠性。.
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