用於生產 6-12 英寸碳化矽晶體的碳化矽生長爐 (PVT 法)

SiC 生長爐（PVT 法）是專為生產 6 英寸、8 英寸和 12 英寸碳化矽 (SiC) 單晶體而設計的高性能系統。.

本爐採用先進的感應加熱技術，加熱速度快、溫度控制精準、能耗低，是工業規模 SiC 晶體生長的理想解決方案。.

它被廣泛用於製造電力電子、RF 裝置和下一代半導體應用的 SiC 基板。.

主要功能

• 感應加熱系統
  石墨坩堝的直接電磁加熱可確保高效率和快速熱反應

• 超精確溫度控制
  精確度高達 ±1°C，確保穩定的晶體生長條件

• 低能源消耗
  最佳化的散熱設計可大幅降低運作成本

• 高穩定性與低污染
  非接觸式加熱 + 惰性氣體環境可將雜質降至最低

• 可擴充的大直徑晶體
  支援 6″、8″ 及 12″ SiC 晶體生長

技術規格

設計優勢

• 與半絕緣和導電 SiC 晶體生長相容

• 坩鍋旋轉系統可改善溫度均勻性

• 可調式感應線圈提升可降低熱干擾

• 雙層水冷式石英室可延長設備壽命

• 即時雙點溫度監控

• 多種控制模式：恒定功率/電流/溫度

• 單鍵智慧啟動，自動操作

• 緊湊型結構可實現高效的工廠佈局

• 高精度壓力控制（高達 ±1 Pa）

效能與應用

該熔爐可生長高純度 (≥99.999%) 和低缺陷的 SiC 單晶體，這對於：

• SiC MOSFET

• 肖特基二極體

• 射頻裝置

• 電動車 (EV 電源模組)

• 太陽能逆變器

• 5G 通訊系統

透過穩定的熱能控制及最佳化的生長條件，系統可確保高產量、一致性及工業生產的可擴充性。.

我們的能力 (ZMSH)

1.設備製造

• 客製化 SiC 生長爐設計

• 支援不同的晶體尺寸與製程需求

2.製程最佳化

• PVT 成長參數調整

• 良率與缺陷密度改善

3.安裝與訓練

• 現場調試

• 操作與維護訓練

4.售後服務支援

• 全天候技術支援

• 快速回應工程支援

常見問題

Q1: 什麼是 SiC 晶體生長中的 PVT 方法？
答：物理氣相輸送 (PVT) 是一種製程，SiC 粉末在高溫下昇華，並在種子晶體上重新結晶，形成大體單晶。.

Q2: 為何選擇感應加熱來進行 SiC 生長？
答：感應加熱提供快速反應、高效率和精確控制，這些都是穩定生長低缺陷 SiC 晶體的必要條件。.