用於生產高品質碳化矽單晶的 SiC 成晶爐 (PVT / LPE / HT-CVD)

SiC 晶體生長爐是生產用於功率電子、RF 裝置和先進半導體應用的高品質碳化矽 (SiC) 單晶體的關鍵設備。.

我們的系統支援多種主流成長技術，包括

• 物理蒸氣傳輸 (PVT)

• 液相外延 (LPE)

• 高溫化學氣相沉積 (HT-CVD)

透過對高溫、真空和氣流的精確控制，該熔爐可穩定生產 4-6 英寸尺寸的低缺陷、高純度 SiC 晶體，並可針對更大的直徑進行定制。.

支援的 SiC 晶體生長方法

1.物理蒸氣傳輸 (PVT)

製程原則：
SiC 粉末在 2000°C 以上的溫度下昇華。蒸氣物種沿著溫度梯度傳輸，並在種子晶體上重新結晶。.

主要功能：

• 高純度石墨坩鍋和種子固定器

• 整合式熱電偶 + 紅外線溫度監控

• 真空與惰性氣體流量控制系統

• 以 PLC 為基礎的自動製程控制

• 冷卻與廢氣處理整合

優勢：

• 成熟且廣泛採用的技術

• 設備成本相對較低

• 適用於塊狀 SiC 晶體生長

應用：

• 生產半絕緣和導電 SiC 基板

2.高溫化學氣相沉積 (HT-CVD)

製程原則：
高純度氣體 (例如：SiH₄ + C₂H₄ / C₃H₈)會在 1800-2300°C 分解，並將 SiC 沉積到種子晶體上。.

主要功能：

• 透過電磁耦合進行感應加熱

• 穩定的氣體輸送系統 (He / H₂ 載氣)

• 用於晶體凝結的可控溫度梯度

• 精確的摻雜能力

優勢：

• 低缺陷密度

• 高水晶純度

• 靈活的藥物控制

應用：

• 用於先進電子設備的高性能 SiC 晶圓

3.液相外延 (LPE)

製程原則：
Si 和 C 溶於高溫溶液 (~1800°C) 中，SiC 在受控冷卻過程中從過飽和熔體中結晶。.

主要功能：

• 高品質的磊晶層成長

• 低缺陷密度和高純度

• 相對較溫和的設備需求

• 可擴充的工業生產

優勢：

• 較低的成長成本

• 改善磊晶層品質

應用：

• 碳化矽基板上的磊晶層生長

• 高效率功率裝置的製造

技術優勢

• 高溫操作 (>2000°C)

• 穩定的真空與氣體流量控制

• 先進的 PLC 自動化系統

• 可客製化的窯爐設計（尺寸、配置、製程）

• 相容於 4-6 吋 SiC 晶體生長 (可擴充)

我們的能力

1.設備供應

我們提供完全工程化的 SiC 成晶爐，專為以下用途設計：

• 高純度半絕緣碳化矽

• 導電碳化矽晶體生產

• 批量製造要求

2.原料與水晶供應

我們提供：

• SiC 原始材料

• 種子結晶

• 製程消耗品

所有材料均經過嚴格的品質檢驗，以確保加工的穩定性。.

3.製程開發與優化

我們的工程團隊支援

• 客製化製程開發

• 生長參數最佳化

• 提高產量和晶體品質

4.訓練與技術支援

我們提供：

• 現場/遠端訓練

• 設備操作指導

• 維護與故障排除支援

常見問題

Q1: 主要的 SiC 晶體生長方法有哪些？
答：主要方法包括 PVT、HT-CVD 和 LPE，每種方法都適用於不同的應用和生產目標。.

Q2: 什麼是液相磊晶 (LPE)？
答：LPE 是一種以溶液為基礎的生長方法，將飽和的熔膠慢慢冷卻，驅動基板上的晶體生長，從而形成高品質的磊晶層。.

為何選擇我們的 SiC 生長爐？

• 在 SiC 設備方面擁有豐富的工程經驗

• 多方法相容性 (PVT / HT-CVD / LPE)

• 針對不同生產規模的客製化解決方案

• 全生命週期支援 (設備 + 材料 + 製程)