50kg SiC 原料合成爐是專門用於生產高純度碳化矽 (SiC) 原料的高溫爐。作為一種重要的半導體和陶瓷材料，SiC 被廣泛應用於以下領域電力電子、高溫裝置、耐磨材料和光學元件。.
此熔爐透過受控的高溫化學反應，將矽 (Si) 和碳 (C) 原料轉換成碳化矽 (SiC)，是碳化矽生產鏈中不可或缺的設備。其設計可確保高純度、穩定的運轉和一致的性能，使製造商能滿足先進半導體和高性能陶瓷應用的嚴格要求。.
主要優勢
- 高溫能力： 提供高達 2400°C 的爐溫，適合高效率的 SiC 合成。.
- 高純度輸出： 利用高純度原料和惰性氣氛控制生產超純 SiC。.
- 穩定的效能： 堅固的結構可確保長期持續生產的可靠運作。.
- 低污染： 惰性氣氛和潔淨材料可將雜質納入的程度降至最低。.
- 裝載量大： 支援高達 50 公斤的原料，可提高生產力，並與多個結晶爐相容。.
- 精確控制： 先進的溫度和壓力調節，可選配雙溫度測量和紅外線監控，以優化製程。.
- 彈性配置： 模組化設計允許並排安裝，節省空間並優化設備利用率。.
技術規格
| 特點 | 規格 |
|---|---|
| 尺寸 (長×寬×高) | 4000×3400×4300 mm（可自訂） |
| 爐腔直徑 | 1100 公釐 |
| 裝載能力 | 50 公斤 |
| 終極真空 | 10-² Pa（分子泵啟動 2 小時後） |
| 腔體壓力上升率 | ≤10 Pa/h（鈣化後） |
| 下爐蓋行程 | 1500 公釐 |
| 加熱方式 | 感應加熱 |
| 最高溫度 | 2400°C |
| 加熱電源 | 2×40 kW |
| 溫度測量 | 雙色紅外線溫度計 |
| 溫度範圍 | 900-3000°C |
| 溫度控制精度 | ±1°C |
| 壓力控制範圍 | 1-700 毫巴 |
| 壓力控制精度 | 1-5 mbar（取決於量程） |
| 載入方式 | 較低的裝載量；可選卸貨叉車和雙溫度點 |
設計優勢
- 大容量裝料可讓單一熔爐供應多個長晶爐，提高生產效率。.
- 具有相同頻率的雙電源可確保精確的軸向溫度梯度控制。.
- 上下紅外線溫度測量方便即時溫度監控和製程除錯。.
- 高真空、高壓力、高溫度控制精度，確保合成超純 SiC 原料。.
- 安全可靠的裝卸系統，可選擇配備卸貨叉車。.
- 高精度蝶閥和質量流量控制器可維持製程氣氛穩定。.
- 模組化設計可並排排列，優化佔地空間及廠房利用率。.
應用與效益
SiC 原料合成爐可有效地生產高純度碳化矽，純度可達 99.999% 或更高。合成的 SiC 原料非常適用於以下用途：
- 單晶成長： 生產用於 MOSFET 和二極體等功率裝置的高品質 SiC 晶體。.
- 電力電子： 使裝置具有高電壓、低損耗和高頻率的性能。.
- 汽車與可再生能源： 強化電動車、太陽能變頻器及其他高效能應用。.
- 先進陶瓷與光學元件： 將 SiC 的應用從半導體擴展到工業陶瓷和光學元件。.
ZMSH 服務
ZMSH 提供從熔爐設計、製造到售後服務的完整製程支援。這包括設備客製化、製程優化和技術培訓。憑藉先進的技術和豐富的行業經驗，ZMSH 可確保高效率、低能耗的穩定運行，並提供快速、全天候的技術支持，幫助客戶實現高純度碳化矽原料的大規模生產。.
常見問題 (FAQ)
Q1: SiC 原料合成爐的用途是什麼？
答： 用於透過高溫化學反應生產半導體、陶瓷和光學元件所需的高純度碳化矽 (SiC) 原料。.
Q2: 為什麼 SiC 合成爐對半導體生產非常重要？
答：它能生產超純的 SiC，這對於生長用於功率電子和高頻設備的高品質 SiC 晶體至關重要。.
Q3: 爐子的最大裝載量是多少？
答：標準裝載量為 50 公斤，可進行大規模生產，為多個水晶爐供料。.
Q4: 爐子的溫度和壓力控制精度是多少？
A: 溫度控制精度為 ±1°C。壓力控制精準度依壓力範圍為 ±0.1 mbar 至 ±0.5 mbar，可確保穩定的高純度 SiC 合成。.
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