Печь для выращивания SiC (метод PVT) - это высокопроизводительная система, предназначенная для производства 6-, 8- и 12-дюймовых монокристаллов карбида кремния (SiC).
Используя передовую технологию индукционного нагрева, печь обеспечивает быстрый нагрев, точный контроль температуры и низкое энергопотребление, что делает ее идеальным решением для выращивания кристаллов SiC в промышленных масштабах.
Он широко используется при производстве SiC-подложек для силовой электроники, радиочастотных устройств и полупроводниковых приборов нового поколения.
Основные характеристики
-
Индукционная система нагрева
Прямой электромагнитный нагрев графитового тигля обеспечивает высокую эффективность и быстрый тепловой отклик -
Сверхточный контроль температуры
Точность до ±1°C, обеспечивающая стабильные условия роста кристаллов -
Низкое энергопотребление
Оптимизированная тепловая конструкция значительно снижает эксплуатационные расходы -
Высокая стабильность и низкий уровень загрязнения
Бесконтактный нагрев + среда инертного газа минимизирует количество примесей -
Масштабируемость для кристаллов большого диаметра
Поддерживает рост кристаллов SiC на 6, 8 и 12 дюймов
Технические характеристики
| Параметр | Технические характеристики |
|---|---|
| Размеры (Д×Ш×Г) | 3200 × 1150 × 3600 мм (настраивается) |
| Диаметр топочной камеры | 400 мм |
| Максимальная температура | 2400°C |
| Диапазон температур | 900-3000°C |
| Точность температуры | ±1°C |
| Метод нагрева | Индукционный нагрев |
| Источник питания | 40 кВт, 8-12 кГц |
| Уровень вакуума | 5 × 10-⁴ Па |
| Диапазон давления | 1-700 мбар |
| Измерение температуры | Двухцветный инфракрасный |
| Способ загрузки | Нижняя загрузка |
Преимущества дизайна
-
Совместимость с полуизолирующими и проводящими кристаллами SiC
-
Система вращения кюветы улучшает равномерность температуры
-
Регулируемый подъем индукционной катушки снижает тепловые помехи
-
Двухслойная кварцевая камера с водяным охлаждением продлевает срок службы оборудования
-
Двухточечный контроль температуры в режиме реального времени
-
Несколько режимов управления: постоянная мощность / ток / температура
-
Интеллектуальный запуск одним нажатием кнопки для автоматической работы
-
Компактная структура для эффективной планировки завода
-
Высокоточный контроль давления (до ±1 Па)
Производительность и применение
Печь позволяет выращивать монокристаллы SiC высокой чистоты (≥99,999%) и с низким уровнем дефектов, что очень важно для производства:
-
SiC MOSFETs
-
Диоды Шоттки
-
Радиочастотные устройства
-
Электромобили (силовые модули EV)
-
Солнечные инверторы
-
Системы связи 5G
Благодаря стабильному тепловому контролю и оптимизированным условиям роста система обеспечивает высокую производительность, стабильность и масштабируемость для промышленного производства.
Наши возможности (ZMSH)
1. Производство оборудования
-
Индивидуальная конструкция печи для выращивания SiC
-
Поддержка различных размеров кристаллов и технологических требований
2. Оптимизация процесса
-
Настройка параметров роста PVT
-
Повышение урожайности и плотности дефектов
3. Установка и обучение
-
Ввод в эксплуатацию на объекте
-
Обучение эксплуатации и техническому обслуживанию
4. Послепродажная поддержка
-
Техническая помощь 24/7
-
Инженерная поддержка быстрого реагирования
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
Вопрос 1: Что представляет собой метод PVT при выращивании кристаллов SiC?
О: Физический перенос паров (PVT) - это процесс, при котором порошок SiC сублимируется при высокой температуре и рекристаллизуется на затравочном кристалле для формирования объемных монокристаллов.
Вопрос 2: Почему для выращивания SiC стоит выбрать индукционный нагрев?
A: Индукционный нагрев обеспечивает быстрый отклик, высокую эффективность и точный контроль, что необходимо для стабильного роста низкодефектных кристаллов SiC.
Отзывы
Отзывов пока нет.