Интегрированное оборудование для эпитаксии карбида кремния (SiC) с вертикальным воздушным потоком - это передовая система эпитаксиального роста, разработанная для высокоэффективного производства 6- и 8-дюймовых эпиподложек SiC. Разработанная для удовлетворения растущих потребностей производства силовых полупроводников, эта система объединяет точный тепловой контроль, оптимизированную динамику газового потока и интеллектуальную автоматизацию для обеспечения исключительных характеристик однородности, пропускной способности и контроля дефектов.
В основе системы лежит инновационная конструкция душевой головки с вертикальным потоком воздуха, которая обеспечивает равномерное распределение технологических газов по поверхности пластины. В сочетании с многозонным контролем температурного поля это обеспечивает превосходную равномерность толщины и стабильную концентрацию легирующих элементов, что крайне важно для высокопроизводительных силовых устройств SiC.
Система имеет высокоинтегрированную структуру с автоматизированной обработкой пластин с помощью системы EFEM, а также высокотемпературный механизм переноса пластин. Это позволяет легко интегрировать систему в современные линии по производству полупроводников, сократить количество ручных операций, повысить стабильность процесса и эффективность работы.
Для поддержки промышленного производства оборудование имеет двухкамерную конфигурацию, способную работать в непрерывном режиме с несколькими печами. Производительность оборудования составляет более 1100 пластин в месяц, а при оптимизации процесса - до 1200 пластин, поэтому оно хорошо подходит для крупносерийного производства.
Оборудование совместимо с 6- и 8-дюймовыми пластинами SiC, что обеспечивает гибкость для производителей, переходящих на пластины большего размера. Оно также демонстрирует отличные возможности для выращивания толстых эпитаксиальных слоев и эпитаксии с заполнением траншей, что делает его особенно подходящим для производства современных высоковольтных и мощных устройств.
Кроме того, оптимизированная конструкция реактора обеспечивает низкую плотность дефектов, повышенную производительность и снижение стоимости владения. Прочная конструкция и удобство обслуживания еще больше повышают надежность и стабильность работы в долгосрочной перспективе.
Ключевые технические преимущества
- Душевая лейка с вертикальным потоком воздуха для равномерного распределения газа
- Многозонный контроль температуры для точного терморегулирования
- Двухкамерная конфигурация для высокопроизводительного производства
- Низкая плотность дефектов и высокая производительность
- Автоматизированная обработка пластин с интеграцией EFEM
- Совместимость с 6- и 8-дюймовыми пластинами SiC
- Оптимизированы для толстой эпитаксии и процессов заполнения траншей
- Высокая надежность при упрощенном обслуживании
Производительность процесса
| Параметр | Технические характеристики |
|---|---|
| Пропускная способность | ≥1100 пластин/месяц (в двух камерах), до 1200 пластин/месяц (в оптимизированной камере) |
| Совместимость с размерами пластин | 6” / 8” эпи-вафли из SiC |
| Контроль температуры | Мультизона |
| Система воздушного потока | Вертикально регулируемый многозонный воздушный поток |
| Скорость вращения | 0-1000 об/мин |
| Максимальный темп роста | ≥60 мкм/час |
| Равномерность толщины | ≤2% (оптимизированный ≤1%, σ/avg, EE 5 мм) |
| Равномерность легирования | ≤3% (оптимизированный ≤1,5%, σ/avg, EE 5 мм) |
| Убийственная плотность дефектов | ≤0,2 см-² (оптимизировано до 0,01 см-²) |
Сценарии применения
Это оборудование широко используется в производстве современных полупроводниковых приборов на основе SiC, особенно в отраслях, требующих высокой эффективности, высокого напряжения и высоких тепловых характеристик:
- Электромобили (EV)
Используется в производстве SiC MOSFET и силовых модулей для инверторов, бортовых зарядных устройств и DC-DC преобразователей, повышая энергоэффективность и дальность поездки. - Возобновляемые энергетические системы
Применяются в фотоэлектрических инверторах и системах накопления энергии, обеспечивая более высокую эффективность преобразования и надежность системы. - Промышленная силовая электроника
Подходит для мощных моторных приводов, систем промышленной автоматизации и блоков питания, требующих стабильной и эффективной работы. - Железнодорожный транзит и электросети
Поддерживает высоковольтные и высокочастотные устройства, используемые в интеллектуальных сетях, системах тяги и инфраструктуре передачи электроэнергии. - Высокотехнологичные устройства питания
Идеально подходит для производства современных SiC-приборов, таких как диоды Шоттки, МОП-транзисторы и высоковольтные компоненты нового поколения.
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
1. Какие размеры пластин поддерживает данное оборудование для эпитаксии?
Система поддерживает как 6-, так и 8-дюймовые пластины SiC, позволяя производителям удовлетворять текущие производственные потребности и одновременно готовиться к будущему масштабированию.
2. Какие преимущества дает вертикальная конструкция воздушного потока?
Вертикальная система подачи воздуха обеспечивает равномерное распределение газа по пластине, улучшая равномерность толщины, уменьшая количество дефектов и повышая общее качество эпитаксии.
3. Подходит ли это оборудование для крупносерийного производства?
Да, система имеет двухкамерную конфигурацию и непрерывный режим работы, а ее месячная производительность превышает 1100 пластин. Она хорошо подходит для стабильного крупномасштабного промышленного производства, обеспечивая постоянную производительность, высокую стабильность выхода и долгосрочную эффективность работы.
Отзывы
Отзывов пока нет.