O equipamento de epitaxia de nitreto de gálio (GaN) de alto desempenho é um sistema avançado de crescimento epitaxial projetado para a produção de alta eficiência de bolachas de GaN de 6 e 8 polegadas. Desenvolvido para satisfazer as crescentes exigências da próxima geração de eletrónica de potência, dispositivos de RF e aplicações de alta frequência, este sistema fornece uma solução abrangente que equilibra o rendimento, a uniformidade epitaxial, o controlo de defeitos e a eficiência de custos operacionais.
Com a tecnologia ChipCore patenteada, o equipamento proporciona uma uniformidade de camadas excecional, baixa densidade de defeitos e estabilidade operacional a longo prazo. A sua arquitetura modular robusta permite a instalação independente de fontes de alimentação, módulos de exaustão e módulos EFEM/PM/TM, permitindo uma integração flexível em ambientes fabris com diferentes disposições de piso, incluindo mezzanine e zonas cinzentas. Esta modularidade não só simplifica a manutenção, como também reduz o tempo de paragem da produção, tornando-o altamente adequado para o fabrico contínuo à escala industrial.
O sistema incorpora um controlo preciso da temperatura em várias zonas e uma dinâmica optimizada do fluxo de gás para garantir uma deposição uniforme em todas as superfícies da bolacha. Combinado com o manuseamento totalmente automatizado de bolachas, mecanismos de transferência de bolachas a alta temperatura e monitorização contínua do processo, garante um crescimento epitaxial consistente e de alta qualidade para uma vasta gama de dispositivos baseados em GaN.
Concebido para a produção de grandes volumes, o equipamento suporta um funcionamento ininterrupto, atingindo o máximo rendimento sem comprometer a estabilidade do processo. A sua compatibilidade com vários tipos de substratos permite aos fabricantes expandir as capacidades de produção em diferentes wafers de GaN, mantendo simultaneamente baixos custos de funcionamento e elevada fiabilidade.
Principais vantagens técnicas
- Tecnologia própria: Desenvolvido inteiramente pela ChipCore com todos os direitos de propriedade intelectual, garantindo um desempenho diferenciado e competitividade no mercado.
- Uniformidade excecional e baixos defeitos: O controlo avançado da temperatura e do fluxo de gás permite uma espessura e composição da camada altamente uniformes com uma densidade mínima de defeitos.
- Alto rendimento: Optimizado para produção contínua e em grande escala, suportando tanto wafers de 6” como de 8” para máxima eficiência de fabrico.
- Baixos custos de funcionamento: A gestão térmica eficiente e a utilização de gás reduzem o custo de produção por wafer, minimizando o desperdício de recursos.
- Intervalos de manutenção alargados: Concebida para ciclos operacionais longos sem tempo de paragem, reduzindo a frequência de manutenção e melhorando a produtividade global.
- Elevada automatização: A integração total do EFEM e a ligação opcional à ponte rolante permitem o manuseamento automático de bolachas, reduzindo a intervenção manual e os erros operacionais.
- Compatibilidade com vários substratos: Suporta uma variedade de materiais de substrato, permitindo um fabrico flexível para diversas aplicações de dispositivos GaN.
- Produção escalável: A arquitetura modular de tipo dividido permite uma futura expansão ou adaptação a novos layouts de produção.
- Estabilidade do processo: A monitorização e o feedback contínuos garantem a reprodutibilidade e a fiabilidade em vários wafers e lotes.
Desempenho do processo
| Parâmetro | Especificação |
|---|---|
| Rendimento | Conceção de elevada capacidade para produção à escala industrial com funcionamento contínuo |
| Compatibilidade de tamanho de wafer | Bolachas de GaN de 6” / 8 |
| Estabilidade operacional | Funcionamento longo, ininterrupto e sem falhas para fabrico à escala industrial |
| Uniformidade epitaxial | Excelente uniformidade de espessura e composição em toda a bolacha |
| Densidade de defeitos | Baixa taxa de defeitos, garantindo um elevado rendimento e um desempenho consistente do dispositivo |
| Custo de produção | Optimizado para um baixo custo operacional por wafer |
| Nível de automatização | Elevada, com EFEM completo e manuseamento de bolachas assistido por grua opcional |
| Modo de produção | Fabrico contínuo, durante todo o dia |
| Compatibilidade com o substrato | Suporta vários tipos de substratos para diversas aplicações de dispositivos GaN |
Cenários de aplicação
Este equipamento de epitaxia de GaN é amplamente adotado no fabrico avançado de semicondutores, especialmente para aplicações que requerem elevada eficiência, alta tensão e desempenho de alta frequência:
Eletrónica de potência
Utilizada para produzir MOSFETs GaN, HEMTs e módulos de potência para conversores industriais, fornecendo soluções energeticamente eficientes para aplicações de alta tensão.
Dispositivos de RF e comunicação
Ideal para dispositivos GaN de alta frequência aplicados em comunicações sem fios, infra-estruturas 5G, sistemas de radar e comunicações por satélite, garantindo uma elevada integridade e fiabilidade do sinal.
Veículos eléctricos (VEs)
Apoia a produção de carregadores de bordo, conversores DC-DC e módulos inversores, melhorando a eficiência energética dos veículos, reduzindo a perda de energia e prolongando a vida útil das baterias.
Sistemas de energia renovável
Aplicado em inversores fotovoltaicos e dispositivos de armazenamento de energia, permitindo uma maior eficiência de conversão, uma maior fiabilidade do sistema e uma vida útil prolongada.
Automação industrial e accionamentos de alta potência
Utilizado em accionamentos de motores de alta potência, sistemas de automação industrial e unidades de fornecimento de energia que requerem um funcionamento estável, eficiente e duradouro.
Dispositivos GaN de topo de gama
Adequado para a produção de componentes avançados, como HEMTs, díodos Schottky e dispositivos GaN de alta tensão da próxima geração, cumprindo as rigorosas especificações industriais e de consumo.
A combinação do equipamento de elevada automatização, suporte flexível de substrato e crescimento epitaxial optimizado torna-o uma solução versátil para os fabricantes que procuram um elevado rendimento e um elevado desempenho num mercado competitivo de semicondutores.
FAQ
1. Que tamanhos de bolacha são suportados por este equipamento de epitaxia de GaN?
O sistema suporta tanto wafers de 6 como de 8 polegadas, proporcionando flexibilidade para as necessidades de produção actuais e permitindo uma escalabilidade futura à medida que as exigências de produção aumentam.
2. Como é que o sistema assegura a uniformidade epitaxial e a baixa densidade de defeitos?
O controlo da temperatura em várias zonas, a dinâmica optimizada do fluxo de gás e o design do fluxo de ar vertical garantem uma deposição uniforme em toda a bolacha, resultando numa espessura de camada consistente, composição e defeitos mínimos.
3. Este equipamento é adequado para uma produção industrial contínua e de grande volume?
Sim, foi concebido para um funcionamento ininterrupto, durante todo o dia, com um longo tempo de funcionamento sem falhas, elevado rendimento e reprodutibilidade do processo, o que o torna ideal para o fabrico em grande escala.
4. Pode acomodar diferentes tipos de substratos?
Sim, o equipamento é compatível com vários materiais de substrato, incluindo wafers de GaN padrão e especiais, permitindo uma produção versátil para diversas aplicações de semicondutores.
Avaliações
Ainda não existem avaliações.