De Split-Type Vertical Airflow Silicon Carbide (SiC) Epitaxy Equipment is een geavanceerd epitaxiaal groeisysteem ontworpen voor zeer efficiënte productie van 6-inch en 8-inch SiC epi-wafers. Dankzij de modulaire split-type architectuur kunnen de voeding, afzuigmodules en EFEM/PM/TM-modules onafhankelijk van elkaar worden geïnstalleerd in grijze zones of tussenverdiepingen. Deze flexibiliteit maakt naadloze integratie in moderne productieomgevingen mogelijk met behoud van volledige automatiseringsmogelijkheden via SMIF-module en koppeling met bovenloopkraan.
De apparatuur bevat een innovatief verticaal luchtstroomontwerp in combinatie met een temperatuurveldregeling met meerdere zones, wat zorgt voor een uniforme dikte en een stabiele doteringsconcentratie - essentieel voor krachtige SiC-elektriciteitsapparaten. Volledige automatisering, inclusief EFEM waferhandling en wafertransfer bij hoge temperatuur, vermindert handmatige interventie, verbetert de procesconsistentie en verbetert de operationele efficiëntie.
Het systeem ondersteunt de continue werking van meerdere ovens in twee kamers en haalt meer dan 1100 wafers per maand en tot 1200 wafers per maand door procesoptimalisatie. Het ontwerp is volledig compatibel met zowel 6-inch als 8-inch wafers, wat flexibiliteit biedt voor fabrikanten die overstappen op grotere wafermaten. Daarnaast is de apparatuur geschikt voor hoge-druk dikke-film groei en trench-filling epitaxy, waardoor het geschikt is voor geavanceerde hoogspannings- en hoogvermogen SiC-apparaten.
De robuuste constructie van het gesplitste type garandeert een lage defectdichtheid, een hoge opbrengst, vereenvoudigd onderhoud en betrouwbaarheid op lange termijn, waardoor de totale eigendomskosten voor halfgeleiderfabrikanten tot een minimum worden beperkt.
Belangrijkste technische voordelen
- Split-type modulair ontwerp voor onafhankelijke installatie van stroom-, afzuig- en EFEM-modules
- Douchekop met verticale luchtstroom voor gelijkmatige gasdistributie over de wafer
- Temperatuurregeling met meerdere zones voor nauwkeurig thermisch beheer
- Configuratie met twee kamers voor productie met hoge doorvoer
- Lage defectdichtheid en hoge opbrengstprestaties
- Volledig geautomatiseerde verwerking van wafers met EFEM en integratie van bovenloopkraan
- Compatibel met 6” en 8” SiC-wafers
- Geoptimaliseerd voor dikke film en sleufvullende epitaxie
- Hoge betrouwbaarheid en vereenvoudigd onderhoud
Procesprestaties
| Parameter | Specificatie |
|---|---|
| Doorvoer | ≥1100 wafers/maand (dubbele kamers), tot 1200 wafers/maand (geoptimaliseerd) |
| Compatibiliteit wafergrootte | 6” / 8” SiC epi-wafers |
| Temperatuurregeling | Multi-zone |
| Luchtstroomsysteem | Verticaal instelbare multi-zone luchtstroom |
| Rotatiesnelheid | 0-1000 tpm |
| Maximale groeisnelheid | ≥60 μm/uur |
| Dikte Uniformiteit | ≤2% (geoptimaliseerd ≤1%, σ/avg, EE 5mm) |
| Dopinguniformiteit | ≤3% (geoptimaliseerd ≤1,5%, σ/avg, EE 5mm) |
| Dodelijke defectdichtheid | ≤0,2 cm-² (geoptimaliseerd tot 0,01 cm-²) |
Toepassingsscenario's
De split-type SiC epitaxy-apparatuur met verticale luchtstroom wordt veel gebruikt bij de productie van hoogwaardige SiC halfgeleiders, met name in industrieën die een hoog rendement, hoog voltage en hoge thermische prestaties vereisen:
Elektrische voertuigen
Gebruikt bij de productie van SiC MOSFET's en vermogensmodules voor omvormers, boordladers en DC-DC converters, waardoor de energie-efficiëntie en het rijbereik worden verbeterd.
Hernieuwbare energiesystemen
Toegepast in fotovoltaïsche omvormers en energieopslagsystemen, voor een hogere omzettingsefficiëntie en betrouwbaarheid.
Industriële vermogenselektronica
Geschikt voor krachtige motoraandrijvingen, industriële automatiseringssystemen en voedingseenheden die een stabiele en efficiënte werking vereisen.
Spoorvervoer & Energienetten
Ondersteunt hoogspannings- en hoogfrequente apparaten die worden gebruikt in intelligente netwerken, tractiesystemen en infrastructuur voor stroomtransmissie.
Hoogwaardige voedingsapparaten
Ideaal voor de productie van geavanceerde SiC-apparaten zoals Schottky-dioden, MOSFET's en de volgende generatie hoogspanningscomponenten.
FAQ
1. Welke waferformaten worden ondersteund door deze apparatuur voor split-type epitaxy?
Het systeem ondersteunt zowel 6-inch als 8-inch SiC-wafers, waardoor fabrikanten aan de huidige productie-eisen kunnen voldoen en zich tegelijkertijd kunnen voorbereiden op toekomstige schaalvergroting.
2. Wat zijn de voordelen van het split-type ontwerp?
Het modulaire splitontwerp maakt onafhankelijke installatie van stroom-, afzuig- en EFEM-modules mogelijk, wat de flexibiliteit voor de lay-out van de fabriek verbetert en het onderhoudsgemak vergroot.
3. Hoe verbetert het verticale luchtstroomontwerp de epitaxykwaliteit?
Verticale luchtstroom zorgt voor een uniforme gasdistributie over de wafer, wat leidt tot consistente dikte, stabiele dotering en minder defectdichtheid.
4. Is deze apparatuur geschikt voor massaproductie?
Ja, de tweekamerconfiguratie ondersteunt een continue werking met meerdere ovens, met een verwerkingscapaciteit van meer dan 1100 wafers per maand, waardoor het ideaal is voor grootschalige productie en zorgt voor consistente wafers van hoge kwaliteit met minder operationele uitvaltijd.
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.