Forno di crescita SiC (metodo PVT) per la produzione di cristalli di carburo di silicio da 6-12 pollici

Il forno per la crescita del SiC (metodo PVT) è un sistema ad alte prestazioni progettato per la produzione di cristalli singoli di carburo di silicio (SiC) da 6, 8 e 12 pollici.

Grazie all'avanzata tecnologia di riscaldamento a induzione, il forno offre un riscaldamento rapido, un controllo preciso della temperatura e un basso consumo energetico, rappresentando la soluzione ideale per la crescita di cristalli di SiC su scala industriale.

È ampiamente utilizzato nella produzione di substrati di SiC per l'elettronica di potenza, i dispositivi RF e le applicazioni di semiconduttori di nuova generazione.

Caratteristiche principali

• Sistema di riscaldamento a induzione
  Il riscaldamento elettromagnetico diretto del crogiolo di grafite garantisce un'elevata efficienza e una rapida risposta termica

• Controllo della temperatura ultrapreciso
  Precisione fino a ±1°C, per garantire condizioni stabili di crescita dei cristalli

• Basso consumo energetico
  Il design termico ottimizzato riduce significativamente i costi operativi

• Alta stabilità e bassa contaminazione
  Riscaldamento senza contatto + ambiente con gas inerte che riduce al minimo le impurità

• Scalabile per cristalli di grande diametro
  Supporta la crescita di cristalli SiC da 6″, 8″ e 12″.

Specifiche tecniche

Vantaggi del design

• Compatibile con la crescita di cristalli di SiC semi-isolanti e conduttivi

• Il sistema di rotazione del crogiolo migliora l'uniformità della temperatura

• Il sollevamento regolabile della bobina di induzione riduce i disturbi termici

• La camera al quarzo a doppio strato raffreddata ad acqua prolunga la durata dell'apparecchiatura

• Monitoraggio della temperatura a doppio punto in tempo reale

• Modalità di controllo multiple: potenza costante / corrente / temperatura

• Avvio intelligente con un solo clic per un funzionamento automatico

• Struttura compatta per un layout di fabbrica efficiente

• Controllo della pressione ad alta precisione (fino a ±1 Pa)

Prestazioni e applicazioni

Il forno consente la crescita di cristalli singoli di SiC di elevata purezza (≥99,999%) e a basso contenuto di difetti, che sono fondamentali per la produzione di prodotti di alta qualità:

• MOSFET SiC

• Diodi Schottky

• Dispositivi RF

• Veicoli elettrici (moduli di potenza EV)

• Inverter solari

• Sistemi di comunicazione 5G

Grazie al controllo termico stabile e alle condizioni di crescita ottimizzate, il sistema garantisce un'elevata resa, coerenza e scalabilità per la produzione industriale.

Le nostre capacità (ZMSH)

1. Produzione di apparecchiature

• Progettazione di un forno di crescita SiC personalizzato

• Supporto per diverse dimensioni di cristallo e requisiti di processo

2. Ottimizzazione del processo

• Regolazione dei parametri di crescita PVT

• Miglioramento della resa e della densità dei difetti

3. Installazione e formazione

• Messa in servizio in loco

• Formazione sul funzionamento e la manutenzione

4. Assistenza post-vendita

• Assistenza tecnica 24/7

• Supporto tecnico a risposta rapida

FAQ

D1: Che cos'è il metodo PVT nella crescita dei cristalli di SiC?
R: Il trasporto fisico del vapore (PVT) è un processo in cui la polvere di SiC viene sublimata ad alta temperatura e ricristallizzata su un cristallo seme per formare cristalli singoli sfusi.

D2: Perché scegliere il riscaldamento a induzione per la crescita di SiC?
R: Il riscaldamento a induzione offre una risposta rapida, un'elevata efficienza e un controllo preciso, essenziali per una crescita stabile dei cristalli di SiC a basso difetto.