Il sistema di impiantazione ionica Ai250 (Medium Beam) è progettato per linee di produzione di wafer di silicio da 6 e 8 pollici. Si tratta di un implanter ionico a media corrente utilizzato nei processi di fabbricazione di circuiti integrati avanzati, che offre prestazioni stabili del fascio, elevata precisione di impianto e un controllo affidabile della dose.
Il sistema supporta una gamma di energie da 5 keV a 250 keV, consentendo applicazioni di impiantazione ionica sia superficiale che profonda. È adatto a un'ampia gamma di processi di drogaggio dei semiconduttori ed è pienamente compatibile con i requisiti di produzione degli LSI.
Caratteristiche
Prestazioni stabili del fascio medio
Garantisce la stabilità del fascio ionico durante i lunghi cicli di produzione, migliorando la coerenza del processo e riducendo la variabilità.
Ampio intervallo di energia
L'intervallo di energia di 5-250 keV supporta requisiti di impianto flessibili per diverse strutture di dispositivi e nodi di processo.
Controllo di processo ad alta precisione
Fornisce prestazioni di impianto di elevata precisione con accuratezza angolare ≤ 0,2°, parallelismo del fascio ≤ 0,2°, uniformità ≤ 0,5% e ripetibilità ≤ 0,5%.
Elevata capacità di produzione
Supporta ≥ 200 wafer all'ora, adatti alla produzione di semiconduttori in volumi medio-alti.
Funzione dell'impianto modello
Supporta l'impianto di più zone e quadranti su un singolo wafer, migliorando la flessibilità del processo e riducendo i costi di sviluppo.
Compatibilità del processo LSI
Completamente compatibile con i processi di produzione dei semiconduttori LSI.
Specifiche principali
Parametri di processo
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Dimensione del wafer | Wafer di silicio da 6-8 pollici |
| Gamma energetica | 5-250 keV |
| Elementi impiantati | B+, P+, As+, Ar+, N+, H+ |
| Intervallo di dose | 5E11-1E16 ioni/cm² |
Prestazioni del fascio
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Corrente massima del fascio | Ar+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV B+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV P+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV N+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV |
| Stabilità della trave | ≤ 15% / ora (interruzione del fascio e arco elettrico ≤ 1 volta all'ora) |
| Parallelismo del fascio | ≤ 0.2° |
Accuratezza dell'impianto
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Gamma dell'angolo dell'impianto | 0°-45° |
| Precisione dell'angolo | ≤ 0.2° |
| Uniformità (1σ) | ≤ 0,5% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Ripetibilità (1σ) | ≤ 0,5% |
Prestazioni del sistema
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Produttività | ≥ 200 wafer all'ora |
| Livello di vuoto | < 5E-7 Torr |
| Perdita di raggi X | ≤ 0,6 μSv/h |
| Modalità di scansione | Scansione elettrostatica orizzontale + scansione meccanica verticale |
| Dimensioni dell'apparecchiatura | 5600 × 3300 × 2600 mm |
Campi di applicazione
Produzione di dispositivi a semiconduttore
Utilizzato nella produzione di dispositivi logici CMOS, fornisce un impianto preciso di drogante per la formazione dei transistor.
Fabbricazione di circuiti integrati
Applicato nei processi di produzione di LSI e IC avanzati che richiedono un controllo del drogaggio ad alta precisione.
Formazione della giunzione superficiale e profonda
Supporta i processi di impiantazione per l'ingegneria source/drain e il controllo della profondità della giunzione.
Ingegneria dei droganti
Utilizzato per controllare le proprietà elettriche dei wafer di silicio attraverso un'accurata impiantazione ionica.
Sviluppo di processo e R&S
Adatto allo sviluppo di processi di semiconduttori, alla produzione pilota e alla fabbricazione di dispositivi sperimentali.
Domande frequenti
1. Quali sono le dimensioni dei wafer supportate da Ai250
Il sistema supporta wafer di silicio da 6 e 8 pollici ed è adatto alle principali linee di produzione di semiconduttori.
2. Qual è l'intervallo di energia del sistema
L'intervallo di energia va da 5 keV a 250 keV, supportando processi di impiantazione sia superficiali che profondi per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore.
3. Quale livello di accuratezza del processo fornisce il sistema?
Il sistema offre una precisione angolare di 0,2°, un parallelismo del fascio di 0,2° e un'uniformità e ripetibilità di 0,5%, garantendo prestazioni di produzione stabili e ad alto rendimento.
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