Az integrált függőleges légáramú szilíciumkarbid (SiC) epitaxiás berendezés egy fejlett epitaxiális növekedési rendszer, amelyet 6 hüvelykes és 8 hüvelykes SiC epi-lapkák nagy hatékonyságú gyártására terveztek. A teljesítmény félvezetőgyártás növekvő igényeinek kielégítésére tervezett rendszer pontos hőszabályozást, optimalizált gázáramlási dinamikát és intelligens automatizálást integrál, hogy kivételes teljesítményt nyújtson az egyenletesség, az áteresztőképesség és a hibák ellenőrzése terén.
A rendszer középpontjában egy innovatív, függőleges légáramú zuhanyfej kialakítása áll, amely lehetővé teszi a technológiai gázok egyenletes eloszlását az ostya felületén. A többzónás hőmérséklet-mezőszabályozással kombinálva kiváló vastagsági egyenletességet és stabil adalékkoncentrációt biztosít - ami kritikus fontosságú a nagy teljesítményű SiC teljesítményű eszközökhöz.
A rendszer magasan integrált szerkezetű, EFEM rendszeren keresztül automatizált ostyakezeléssel és magas hőmérsékletű ostyatovábbító mechanizmussal rendelkezik. Ez lehetővé teszi a modern félvezetőgyártó sorokba való zökkenőmentes integrálást, csökkenti a kézi beavatkozást, és javítja a folyamat konzisztenciáját és a működési hatékonyságot.
Az ipari méretű gyártás támogatása érdekében a berendezés kétkamrás konfigurációval rendelkezik, amely képes a folyamatos többkamrás működésre. A havi 1100 ostyát meghaladó - és a folyamat optimalizálásával akár 1200 ostyát is elérő - teljesítményével jól alkalmazható nagy volumenű gyártási környezetekben.
A berendezés kompatibilis mind a 6 hüvelykes, mind a 8 hüvelykes SiC ostyákkal, így rugalmasságot biztosít a nagyobb ostyaméretekre áttérő gyártók számára. Emellett kiváló képességeket mutat a vastag epitaxiarétegek növesztése és az árkok kitöltésével történő epitaxia terén is, így különösen alkalmas a fejlett nagyfeszültségű és nagy teljesítményű eszközök gyártására.
Az optimalizált reaktorkonstrukció emellett alacsony hibasűrűséget, jobb hozamot és csökkentett üzemeltetési költséget biztosít. A robusztus felépítés és a karbantartásbarát kialakítás tovább növeli a hosszú távú megbízhatóságot és működési stabilitást.
Legfontosabb műszaki előnyök
- Függőleges légáramú zuhanyfej kialakítása az egyenletes gázelosztás érdekében
- Többzónás hőmérséklet-szabályozás a pontos hőkezelésért
- Kétkamrás konfiguráció a nagy áteresztőképességű termeléshez
- Alacsony hibasűrűség és magas hozam
- Automatizált ostyakezelés EFEM integrációval
- Kompatibilitás 6” és 8” SiC ostyákkal
- Optimalizált vastag epitaxiás és árokkitöltő eljárásokhoz
- Nagy megbízhatóság és egyszerűsített karbantartás
Folyamat teljesítménye
| Paraméter | Specifikáció |
|---|---|
| Átviteli teljesítmény | ≥1100 ostya/hó (két kamra), akár 1200 ostya/hó (optimalizált) |
| Wafer méret kompatibilitás | 6” / 8” SiC epi-lapátok |
| Hőmérséklet-szabályozás | Többzónás |
| Légáramlási rendszer | Függőlegesen állítható többzónás légáramlás |
| Forgási sebesség | 0-1000 fordulat/perc |
| Maximális növekedési ráta | ≥60 μm/óra |
| Vastagság egyenletessége | ≤2% (optimalizált ≤1%, σ/avg, EE 5mm) |
| Dopping egyenletesség | ≤3% (optimalizált ≤1,5%, σ/avg, EE 5mm) |
| Gyilkos hiba sűrűsége | ≤0,2 cm-² (0,01 cm-²-re optimalizálva) |
Alkalmazási forgatókönyvek
Ezt a berendezést széles körben használják a fejlett SiC-alapú félvezető eszközök gyártásában, különösen a nagy hatékonyságot, nagy feszültséget és nagy hőteljesítményt igénylő iparágakban:
- Elektromos járművek (EV-k)
SiC MOSFET-ek és teljesítménymodulok gyártásánál használják inverterekhez, fedélzeti töltőkhöz és DC-DC átalakítókhoz, javítva az energiahatékonyságot és a hatótávolságot. - Megújuló energiarendszerek
Fotovoltaikus inverterekben és energiatároló rendszerekben alkalmazzák, lehetővé téve a nagyobb átalakítási hatékonyságot és a rendszer megbízhatóságát. - Ipari teljesítményelektronika
Alkalmas nagy teljesítményű motorhajtásokhoz, ipari automatizálási rendszerekhez és stabil és hatékony működést igénylő tápegységekhez. - Vasúti tranzit és elektromos hálózatok
Támogatja az intelligens hálózatokban, vontatási rendszerekben és az energiaátviteli infrastruktúrában használt nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás eszközöket. - High-End tápegységek
Ideális fejlett SiC-eszközök, például Schottky-diódák, MOSFET-ek és új generációs nagyfeszültségű alkatrészek gyártásához.
GYIK
1. Milyen ostyaméreteket támogat ez az epitaxiás berendezés?
A rendszer támogatja mind a 6 hüvelykes, mind a 8 hüvelykes SiC ostyákat, lehetővé téve a gyártók számára, hogy megfeleljenek a jelenlegi termelési igényeknek, miközben felkészülnek a jövőbeli méretezéshez.
2. Milyen előnyökkel jár a függőleges légáramlású kialakítás?
A függőleges légáramlási rendszer biztosítja a gáz egyenletes eloszlását az ostyán, javítva a vastagság konzisztenciáját, csökkentve a hibákat és javítva az epitaxiális minőséget.
3. Alkalmas-e ez a berendezés nagy volumenű gyártásra?
Igen, a rendszer kétkamrás konfigurációval és folyamatos üzemmóddal rendelkezik, havi 1100 ostyát meghaladó átmenettel. Jól alkalmas stabil, nagyüzemi ipari termelésre, biztosítva az egyenletes teljesítményt, a nagy hozamstabilitást és a hosszú távú működési hatékonyságot.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.