El equipo de rectificado posterior de precisión Wafer Thinning System es una solución de procesamiento de obleas de alta precisión diseñada para la fabricación avanzada de semiconductores. Admite obleas de 4 a 12 pulgadas, incluyendo silicio (Si), carburo de silicio (SiC), arseniuro de galio (GaAs), zafiro y otros materiales semiconductores compuestos frágiles.
Este sistema está diseñado para el adelgazamiento ultrapreciso de la cara posterior de las obleas, lo que permite reducir el grosor a niveles micrométricos y submicrométricos, manteniendo al mismo tiempo una excelente integridad de la superficie. Desempeña un papel fundamental en el envasado avanzado, los dispositivos de potencia, los MEMS y la fabricación de semiconductores compuestos.
Mediante la integración de un diseño mecánico de alta rigidez, un control de precisión del eje Z y la supervisión del espesor en tiempo real, el equipo garantiza un rendimiento de procesamiento estable y repetible para la producción a escala industrial.
Principales características técnicas
Control de espesor de alta precisión
- Precisión del espesor: ±1 μm
- Variación total del espesor (TTV): ≤2 μm
- Los modelos avanzados consiguen un control submicrónico de hasta ±0,5 μm
Amplia compatibilidad de materiales
Admite una amplia gama de materiales semiconductores y frágiles:
- Silicio (Si)
- Carburo de silicio (SiC)
- Arseniuro de galio (GaAs)
- Zafiro (Al₂O₃)
- Otras obleas de semiconductores compuestos
Compatibilidad de tamaños de oblea
- Obleas de 4 / 6 / 8 / 10 / 12 pulgadas
- Manipulación flexible para sustratos estándar y personalizados
Sistema mecánico de alta estabilidad
- Husillo neumático de alta rigidez
- Plataforma de rectificado de precisión con bajas vibraciones
- Husillo de bolas importado + sistema de guía lineal
- Control de servomotores de alta precisión (resolución de 0,1 μm)
Sistema de refrigeración avanzado
- El sistema de husillo refrigerado por agua garantiza la estabilidad térmica
- Evita la deformación durante el rectificado a alta velocidad
Configuración del sistema
El sistema de adelgazamiento de obleas integra múltiples módulos funcionales:
1. Módulo de rectificado de precisión
Realiza una eliminación controlada del material con una gran uniformidad de la superficie.
2. Sistema de control de precisión del eje Z
Permite un ajuste vertical ultrafino para un grosor constante de la oblea.
3. Sistema de medición del espesor
La medición con o sin contacto en tiempo real garantiza la estabilidad del proceso.
4. Mandril para obleas al vacío
Fijación segura de obleas, incluidas soluciones personalizadas para obleas irregulares.
5. Sistema de control de automatización
- Modos de funcionamiento automático y semiautomático
- Registro de operaciones
- Control de procesos basado en recetas
Capacidad de procesamiento
El sistema está diseñado para el procesamiento de alto rendimiento de la cara posterior de las obleas:
- Rectificado posterior de obleas de silicio
- Adelgazamiento de obleas de SiC para dispositivos de potencia
- Adelgazamiento de sustratos de GaN y GaAs
- Adelgazamiento de precisión de obleas de zafiro
- Preparación de obleas ultrafinas para envasado 3D
Aplicaciones
1. Dispositivos semiconductores de potencia
Se utiliza en MOSFET de SiC, IGBT y dispositivos de alto voltaje que requieren obleas ultrafinas.
2. Embalaje avanzado
Admite el adelgazamiento de obleas para:
- Embalaje flip-chip
- Integración de CI en 2,5D / 3D
- Procesos TSV (Through Silicon Via)
3. Semiconductores compuestos
Aplicable a la fabricación de dispositivos de GaN, GaAs e InP.
4. LED y optoelectrónica
Adelgazamiento de obleas de zafiro y compuestos para chips LED y dispositivos ópticos.
Ventajas
- Tecnología de adelgazamiento de obleas madura y estable
- Sistema de rectificado de alimentación de alta precisión
- Excelente control de la rugosidad superficial
- Alto UPH (hasta 30 obleas/hora para procesos estándar)
- Gran adaptabilidad a materiales frágiles y duros
- Capacidad de integración de procesos totalmente automatizada
Resultados destacados
- Resolución mínima: 0,1 μm/s Control del eje Z
- Uniformidad del espesor: ≤1-2 μm TTV
- Husillo de alta velocidad con vibraciones ultrabajas
- Supervisión y registro de procesos en tiempo real
- Compatible tanto con entornos de I+D como de producción en serie
Opciones de personalización
Ofrecemos una personalización flexible para diferentes necesidades industriales:
- Mandriles para obleas a medida (formas irregulares)
- Rango de medición de espesor ampliado (hasta 40 mm)
- Personalización de recetas de procesos
- Integración de automatización con equipos aguas arriba/aguas abajo
PREGUNTAS FRECUENTES
P1: ¿Puede este sistema procesar obleas de SiC?
Sí, está optimizado específicamente para el adelgazamiento de obleas de SiC y el rectificado de la cara posterior, adecuado para aplicaciones de dispositivos de potencia.
P2: ¿Cuál es la precisión de espesor alcanzable?
Los modelos estándar alcanzan ±1 μm, y las configuraciones de gama alta pueden llegar a ±0,5 μm con TTV ≤1 μm.
P3: ¿Es compatible con la automatización total?
Sí, tanto el modo automático como el semiautomático están disponibles en función de los requisitos de producción.
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