El sistema de implantación iónica Ai250 (haz medio) está diseñado para líneas de fabricación de semiconductores de obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas. Se trata de un implantador de iones de corriente media utilizado en procesos avanzados de fabricación de circuitos integrados, que proporciona un rendimiento estable del haz, una alta precisión de implantación y un control fiable de la dosis.
El sistema admite una gama de energías de 5 keV a 250 keV, lo que permite aplicaciones de implantación de iones superficiales y profundas. Es apto para una amplia gama de procesos de dopaje de semiconductores y totalmente compatible con los requisitos de fabricación de LSI.
Características
Rendimiento estable de los haces medios
Garantiza una salida estable del haz de iones durante ciclos de producción largos, mejorando la consistencia del proceso y reduciendo la variabilidad.
Amplia gama de energía
El rango de energía de 5-250 keV permite requisitos de implantación flexibles para diferentes estructuras de dispositivos y nodos de proceso.
Control de procesos de alta precisión
Proporciona un rendimiento de implantación de alta precisión con precisión de ángulo ≤ 0,2º, paralelismo del haz ≤ 0,2º, uniformidad ≤ 0,5% y repetibilidad ≤ 0,5%.
Alta capacidad de producción
Soporta ≥ 200 obleas por hora, adecuada para la producción de semiconductores de volumen medio a alto.
Patrón Función del implante
Admite la implantación de varias zonas y cuadrantes en una sola oblea, lo que mejora la flexibilidad del proceso y reduce el coste de desarrollo.
Compatibilidad de procesos LSI
Totalmente compatible con los procesos de fabricación de semiconductores LSI.
Especificaciones
Parámetros del proceso
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Tamaño de la oblea | Obleas de silicio de 6-8 pulgadas |
| Gama energética | 5-250 keV |
| Elementos implantados | B+, P+, As+, Ar+, N+, H+ |
| Gama de dosis | 5E11-1E16 iones/cm². |
Rendimiento del haz
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Corriente máxima del haz | Ar+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV B+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV P+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV N+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV |
| Estabilidad de la viga | ≤ 15% / hora (interrupción del haz y arco eléctrico ≤ 1 vez por hora) |
| Paralelismo de vigas | ≤ 0.2° |
Precisión de implantación
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Gama de ángulos de implante | 0°-45° |
| Precisión del ángulo | ≤ 0.2° |
| Uniformidad (1σ) | ≤ 0,5% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Repetibilidad (1σ) | ≤ 0,5% |
Rendimiento del sistema
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Rendimiento | ≥ 200 obleas por hora |
| Nivel de vacío | < 5E-7 Torr |
| Fuga de rayos X | ≤ 0,6 μSv/h |
| Modo de exploración | Barrido electrostático horizontal + barrido mecánico vertical |
| Tamaño del equipo | 5600 × 3300 × 2600 mm |
Campos de aplicación
Fabricación de dispositivos semiconductores
Se utiliza en la producción de dispositivos lógicos CMOS, proporcionando una implantación precisa de dopantes para la formación de transistores.
Fabricación de circuitos integrados
Se aplica en procesos de fabricación de LSI y circuitos integrados avanzados que requieren un control del dopaje de alta precisión.
Formación de uniones superficiales y profundas
Apoya los procesos de implantación para la ingeniería de la fuente/drenaje y el control de la profundidad de la unión.
Ingeniería de dopantes
Se utiliza para controlar las propiedades eléctricas de las obleas de silicio mediante la implantación precisa de iones.
Desarrollo de procesos e I+D
Adecuado para el desarrollo de procesos de semiconductores, producción piloto y fabricación experimental de dispositivos.
Preguntas frecuentes
1. ¿Qué tamaños de oblea admite el Ai250?
El sistema admite obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas y es adecuado para las principales líneas de fabricación de semiconductores.
2. ¿Cuál es el rango de energía del sistema
La gama de energía va de 5 keV a 250 keV, lo que permite procesos de implantación superficial y profunda para la fabricación de dispositivos semiconductores.
3. ¿Qué nivel de precisión del proceso proporciona el sistema?
El sistema proporciona una precisión angular de 0,2º, un paralelismo del haz de 0,2º y una uniformidad y repetibilidad de 0,5%, lo que garantiza un rendimiento de producción estable y de alto rendimiento.
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