Das Integrated Vertical Airflow Silicon Carbide (SiC) Epitaxy Equipment ist ein fortschrittliches Epitaxie-System, das für die hocheffiziente Produktion von 6- und 8-Zoll-SiC-Epi-Wafern entwickelt wurde. Dieses System wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen der Leistungshalbleiterfertigung gerecht zu werden. Es integriert eine präzise thermische Steuerung, eine optimierte Gasflussdynamik und eine intelligente Automatisierung, um außergewöhnliche Leistungen in Bezug auf Gleichmäßigkeit, Durchsatz und Defektkontrolle zu erzielen.
Das Herzstück des Systems ist ein innovativer vertikaler Luftstromduschkopf, der eine gleichmäßige Verteilung der Prozessgase über die Waferoberfläche ermöglicht. Kombiniert mit einer Mehrzonen-Temperaturfeldsteuerung gewährleistet es eine hervorragende Gleichmäßigkeit der Schichtdicke und eine stabile Dotierungskonzentration - entscheidend für leistungsstarke SiC-Leistungsbauelemente.
Das System verfügt über eine hochintegrierte Struktur mit automatisiertem Waferhandling über ein EFEM-System und einen Hochtemperatur-Wafertransfermechanismus. Dies ermöglicht eine nahtlose Integration in moderne Halbleiterproduktionslinien, reduziert manuelle Eingriffe und verbessert die Prozesskonsistenz und Betriebseffizienz.
Um die industrielle Fertigung zu unterstützen, verfügt die Anlage über eine Zweikammer-Konfiguration, die einen kontinuierlichen Betrieb mit mehreren Öfen ermöglicht. Mit einem Durchsatz von über 1.100 Wafern pro Monat - und bis zu 1.200 Wafern durch Prozessoptimierung - eignet sich die Anlage gut für hochvolumige Produktionsumgebungen.
Die Anlage ist sowohl mit 6-Zoll- als auch mit 8-Zoll-SiC-Wafern kompatibel und bietet Herstellern, die auf größere Wafergrößen umsteigen, Flexibilität. Die Anlage ist außerdem hervorragend für das Wachstum dicker Epitaxieschichten und die Trench-Filling-Epitaxie geeignet, wodurch sie sich besonders für die Herstellung moderner Hochspannungs- und Hochleistungsbauelemente eignet.
Darüber hinaus gewährleistet das optimierte Reaktordesign eine geringe Fehlerdichte, eine verbesserte Ausbeute und geringere Betriebskosten. Die robuste Bauweise und das wartungsfreundliche Design verbessern die langfristige Zuverlässigkeit und Betriebsstabilität weiter.
Die wichtigsten technischen Vorteile
- Vertikale Luftstrom-Duschkopfkonstruktion für gleichmäßige Gasverteilung
- Multi-Zonen-Temperaturregelung für präzises Wärmemanagement
- Zweikammer-Konfiguration für hohen Produktionsdurchsatz
- Geringe Fehlerdichte und hohe Ertragsleistung
- Automatisiertes Wafer-Handling mit EFEM-Integration
- Kompatibilität mit 6” und 8” SiC-Wafern
- Optimiert für dicke Epitaxie und Trench-Filling-Prozesse
- Hohe Zuverlässigkeit bei vereinfachter Wartung
Prozessleistung
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Durchsatz | ≥1100 Wafer/Monat (Doppelkammern), bis zu 1200 Wafer/Monat (optimiert) |
| Kompatibilität der Wafergrößen | 6” / 8” SiC-Epi-wafers |
| Temperaturkontrolle | Multi-Zone |
| Luftstrom-System | Vertikal einstellbarer Mehrzonen-Luftstrom |
| Rotationsgeschwindigkeit | 0-1000 U/min |
| Maximale Wachstumsrate | ≥60 μm/Stunde |
| Gleichmäßigkeit der Dicke | ≤2% (optimiert ≤1%, σ/avg, EE 5mm) |
| Gleichmäßigkeit der Dotierung | ≤3% (optimiert ≤1,5%, σ/avg, EE 5mm) |
| Killer Defect Density | ≤0,2 cm-² (optimiert auf 0,01 cm-²) |
Anwendungsszenarien
Diese Geräte werden in großem Umfang für die Herstellung von modernen Halbleiterbauelementen auf SiC-Basis verwendet, insbesondere in Branchen, die einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Spannung und eine hohe thermische Leistung benötigen:
- Elektrofahrzeuge (EVs)
Wird bei der Herstellung von SiC-MOSFETs und Leistungsmodulen für Wechselrichter, Onboard-Ladegeräte und DC-DC-Wandler verwendet und verbessert die Energieeffizienz und den Aktionsradius. - Erneuerbare Energiesysteme
Sie werden in Photovoltaik-Wechselrichtern und Energiespeichersystemen eingesetzt und ermöglichen eine höhere Umwandlungseffizienz und Systemzuverlässigkeit. - Industrielle Leistungselektronik
Geeignet für leistungsstarke Motorantriebe, industrielle Automatisierungssysteme und Netzteile, die einen stabilen und effizienten Betrieb erfordern. - Schienentransit und Stromnetze
Unterstützt Hochspannungs- und Hochfrequenzgeräte, die in intelligenten Netzen, Traktionssystemen und Stromübertragungsinfrastrukturen eingesetzt werden. - High-End-Leistungsgeräte
Ideal für die Herstellung moderner SiC-Bauelemente wie Schottky-Dioden, MOSFETs und Hochspannungskomponenten der nächsten Generation.
FAQ
1. Welche Wafergrößen werden von dieser Epitaxieanlage unterstützt?
Das System unterstützt sowohl 6-Zoll- als auch 8-Zoll-SiC-Wafer und ermöglicht es den Herstellern, die aktuellen Produktionsanforderungen zu erfüllen und sich gleichzeitig auf eine zukünftige Skalierung vorzubereiten.
2. Welche Vorteile bietet das vertikale Luftstromdesign?
Das vertikale Luftstromsystem sorgt für eine gleichmäßige Gasverteilung auf dem Wafer, wodurch die Dickenkonsistenz verbessert, Defekte reduziert und die Epitaxiequalität insgesamt verbessert wird.
3. Eignet sich das Gerät für die Großserienfertigung?
Ja, das System verfügt über eine Zweikammer-Konfiguration und einen kontinuierlichen Betriebsmodus mit einem monatlichen Durchsatz von über 1100 Wafern. Sie eignet sich gut für eine stabile industrielle Produktion in großem Maßstab und gewährleistet eine konstante Produktion, eine hohe Ertragsstabilität und eine langfristige betriebliche Effizienz.
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