SiC Electrode（碳化矽電極）是專為先進半導體電漿處理系統（包括蝕刻、沉積和表面處理設備）而設計的高性能元件。與傳統的矽電極相比，碳化矽電極具有以下優點
在極端加工條件下，可大幅提升耐用性、優異的抗電漿能力，以及更長的使用壽命。.
此電極使用化學氣相沉積 (CVD) 碳化矽製成，具有致密、高純度的結構，以及優異的熱傳導性和化學穩定性。這使得它特別適用於涉及高能量電漿、侵蝕性氣體（如 CF₄、SF₆、NF₃ 和 Cl₂）和高溫的環境。.
在電漿室中，電極在控制電場、電漿密度和製程均勻性方面扮演關鍵角色。SiC 電極可長時間維持穩定的電氣特性，減少漂移、降低微粒污染，並確保一致的晶圓製程結果。.
由於 SiC 電極的耐用性與效能，SiC 電極被歸類為關鍵半導體消耗品（長壽命耐磨零件），並廣泛應用於先進半導體節點與高產量生產環境。.
主要功能
- 高純度 CVD SiC 材料:結構致密，具有極佳的化學惰性
- 優異的抗電漿能力:在含氟和含氯的環境中表現出色
- 超長使用壽命:通常比矽電極長 3-10 倍
- 低微粒產生:提高產量並降低污染風險
- 高導熱性:增強散熱能力和製程穩定性
- 穩定的電氣特性:在長週期內保持一致的電阻率
- 精密加工:半導體級整合的嚴格公差 (<10 μm)
- 客製化配氣設計:均勻電漿的最佳化孔型
技術規格
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 材質 | CVD 碳化矽 (SiC) |
| 純淨 | ≥ 99.9% |
| 密度 | ≥ 3.1 g/cm³ |
| 直徑（最大值） | 最大 330 公釐 |
| 厚度 | 自訂 (一般為 5-50 mm) |
| 電阻率 (低) | < 0.02 Ω-cm |
| 電阻率 (中) | 0.2 - 25 Ω-cm |
| 電阻率 (高) | > 100 Ω-cm |
| 電阻率均勻性 (RRG) | < 5% |
| 氣孔直徑 | 0.2 - 0.8 mm（可自訂） |
| 表面狀態 | 地面（可選拋光） |
| 表面粗度 (Ra) | ≤ 1.6 μm |
| 加工精度 | < 10 μm |
| 熱傳導 | 120 - 200 W/m-K |
| 硬度 | ~9.2 莫氏硬度 |
| 最高操作溫度 | > 1000°C（取決於製程） |
| 品質控制 | 無裂縫、缺口、污染 |
應用
SiC 電極廣泛應用於需要高耐用性與穩定性的半導體加工環境：
- 電漿蝕刻系統 (ICP / RIE)
- CVD / PECVD 沉積設備
- 高功率電漿系統
- 晶圓表面改質製程
- 先進半導體製造節點
它們特別適用於 嚴苛的電漿條件和較長的生產週期, 傳統的矽電極無法滿足使用壽命的要求。.
優於矽電極
與傳統的矽電極相比，SiC 電極的效能有顯著的提升：
- 延長使用壽命:在侵蝕性等離子體條件下，壽命可延長 3-10 倍
- 優異的耐腐蝕性:可耐氟和氯氣
- 降低微粒污染:提高產量和製程清潔度
- 改善製程穩定性:維持一致的血漿特性
- 降低維護成本:減少更換次數與停機時間
雖然初始成本較高，但 SiC 電極在高階半導體應用中提供較低的總擁有成本 (TCO)。.
常見問題
Q1: SiC 電極是易耗品嗎？
是的，它是一種重要的半導體消耗品，但與矽電極相比，它的使用壽命更長。.
Q2: 為何選擇 SiC 而非矽電極？
SiC 具有更佳的抗電漿能力、更長的使用壽命以及更低的微粒生成量，因此非常適合嚴苛的加工環境。.
Q3: 電極可以客製化嗎？
可以，尺寸、厚度、電阻率、氣孔設計和表面處理都可以根據您的要求定制。.
Q4: 哪些產業使用 SiC 電極？
主要是半導體製造，尤其是等離子蝕刻和沉積系統。.
Request a Quote for CVD Silicon Carbide (SiC) Electrode for Semiconductor Plasma Systems
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
商品評價
目前沒有評價。