Lò nuôi cấy SiC (phương pháp PVT) là một hệ thống hiệu suất cao được thiết kế để sản xuất các tinh thể đơn silicon carbide (SiC) có kích thước 6 inch, 8 inch và 12 inch.
Sử dụng công nghệ gia nhiệt cảm ứng tiên tiến, lò nung này mang lại khả năng gia nhiệt nhanh, kiểm soát nhiệt độ chính xác và tiêu thụ năng lượng thấp, khiến nó trở thành giải pháp lý tưởng cho quá trình nuôi cấy tinh thể SiC quy mô công nghiệp.
Nó được sử dụng rộng rãi trong sản xuất các tấm nền SiC cho điện tử công suất, thiết bị tần số vô tuyến (RF) và các ứng dụng bán dẫn thế hệ mới.
Các tính năng chính
-
Hệ thống gia nhiệt cảm ứng
Phương pháp gia nhiệt điện từ trực tiếp cho nồi nung than chì đảm bảo hiệu suất cao và phản ứng nhiệt nhanh chóng -
Kiểm soát nhiệt độ siêu chính xác
Độ chính xác lên đến ±1°C, đảm bảo điều kiện phát triển tinh thể ổn định -
Tiêu thụ năng lượng thấp
Thiết kế nhiệt được tối ưu hóa giúp giảm đáng kể chi phí vận hành -
Độ ổn định cao & Mức độ nhiễm bẩn thấp
Sưởi ấm không tiếp xúc kết hợp với môi trường khí trơ giúp giảm thiểu tạp chất -
Có khả năng mở rộng cho các tinh thể có đường kính lớn
Hỗ trợ quá trình phát triển tinh thể SiC kích thước 6″, 8″ và 12″
Thông số kỹ thuật
| Tham số | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Kích thước (Dài × Rộng × Cao) | 3200 × 1150 × 3600 mm (có thể tùy chỉnh) |
| Đường kính buồng lò | 400 mm |
| Nhiệt độ cao nhất | 2.400°C |
| Phạm vi nhiệt độ | 900–3000°C |
| Độ chính xác nhiệt độ | ±1°C |
| Phương pháp sưởi ấm | Sưởi ấm cảm ứng |
| Nguồn điện | 40 kW, 8–12 kHz |
| Mức chân không | 5 × 10⁻⁴ Pa |
| Dải áp suất | 1–700 mbar |
| Đo nhiệt độ | Hồng ngoại hai màu |
| Phương pháp nạp | Nạp từ phía dưới |
Ưu điểm về thiết kế
-
Tương thích với quá trình phát triển tinh thể SiC bán cách điện và dẫn điện
-
Hệ thống xoay lò nung giúp cải thiện độ đồng đều của nhiệt độ
-
Việc điều chỉnh lực nâng của cuộn cảm giúp giảm thiểu nhiễu nhiệt
-
Buồng thạch anh làm mát bằng nước hai lớp giúp kéo dài tuổi thọ thiết bị
-
Giám sát nhiệt độ tại hai điểm theo thời gian thực
-
Nhiều chế độ điều khiển: công suất không đổi / dòng điện không đổi / nhiệt độ không đổi
-
Khởi động thông minh chỉ với một cú nhấp chuột để vận hành tự động
-
Cấu trúc gọn gàng giúp bố trí nhà máy hiệu quả
-
Kiểm soát áp suất với độ chính xác cao (lên đến ±1 Pa)
Hiệu suất & Ứng dụng
Lò nung này cho phép nuôi cấy các tinh thể đơn SiC có độ tinh khiết cao (≥99,9991%) và ít khuyết tật, vốn đóng vai trò quan trọng trong:
-
MOSFET SiC
-
Điốt Schottky
-
Thiết bị RF
-
Xe điện (mô-đun nguồn điện EV)
-
Biến tần năng lượng mặt trời
-
Hệ thống truyền thông 5G
Với khả năng kiểm soát nhiệt độ ổn định và điều kiện sinh trưởng được tối ưu hóa, hệ thống này đảm bảo năng suất cao, tính ổn định và khả năng mở rộng cho sản xuất công nghiệp.
Năng lực của chúng tôi (ZMSH)
1. Sản xuất thiết bị
-
Thiết kế lò nuôi cấy SiC theo yêu cầu
-
Hỗ trợ các kích thước tinh thể và yêu cầu quy trình khác nhau
2. Tối ưu hóa quy trình
-
Điều chỉnh các thông số tăng trưởng PVT
-
Nâng cao năng suất và giảm tỷ lệ lỗi
3. Lắp đặt và đào tạo
-
Vận hành thử tại hiện trường
-
Đào tạo vận hành và bảo trì
4. Dịch vụ hậu mãi
-
Hỗ trợ kỹ thuật 24/7
-
Hỗ trợ kỹ thuật phản hồi nhanh
Câu hỏi thường gặp
Câu hỏi 1: Phương pháp PVT trong quá trình nuôi cấy tinh thể SiC là gì?
A: Phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT) là quá trình trong đó bột SiC được thăng hoa ở nhiệt độ cao và tái kết tinh trên một tinh thể hạt giống để tạo thành các tinh thể đơn khối.
Câu hỏi 2: Tại sao nên chọn phương pháp gia nhiệt cảm ứng để nuôi cấy SiC?
A: Công nghệ gia nhiệt cảm ứng mang lại phản ứng nhanh, hiệu suất cao và khả năng điều khiển chính xác, những yếu tố thiết yếu để đảm bảo sự phát triển ổn định của các tinh thể SiC có ít khuyết tật.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.