Ai80HC (Yüksek Işınlı) İyon İmplantasyon Ekipmanı, 12 inç silikon gofret yarı iletken üretim hatları için özel olarak tasarlanmış yüksek akımlı bir iyon implanteridir. Modern entegre devre üretimindeki gelişmiş hassas doping prosesleri için tasarlanmıştır ve istikrarlı ışın performansı, yüksek proses tekrarlanabilirliği ve mükemmel doz kontrol doğruluğu sunar.
Sistem, 0,5 keV ila 80 keV arasında geniş bir enerji aralığında çalışarak hem sığ hem de orta derinlikte bağlantı mühendisliği için esnek implantasyon koşulları sağlar. ¹¹B⁺, ⁴⁹BF₂⁺, ³¹P⁺, ⁷⁵As⁺, ¹⁴N⁺ ve ¹H⁺ dahil olmak üzere çoklu implantasyon türlerini destekler, bu da onu çok çeşitli CMOS ve gelişmiş mantık aygıtı üretim süreçleri için uygun hale getirir.
Sistem, 0° ila 45° implantasyon açısı aralığı ve ≤ 0,1° yüksek açı hassasiyeti ile dopant dağılımı ve bağlantı profili mühendisliğinin hassas kontrolünü sağlar. Ai80HC (Yüksek Işın), ≤ 0,3° ışın paralelliği ve ≤ 1% (1σ) homojenliği ile birleştiğinde, wafer'dan wafer'a ve wafer içi süreç kararlılığını tutarlı bir şekilde sunar.
Yüksek verimli üretim ortamları için tasarlanan sistem, sıkı süreç istikrarını korurken saatte ≥ 200 gofret (WPH) verimine ulaşarak LSI uyumlu gelişmiş yarı iletken üretim hatları için uygun hale gelir.
Sistem Mimarisi
Ai80HC, aşağıdakilerden oluşan olgun ve güvenilir bir ışın hattı tasarımını benimser:
- İyon Kaynağı
- Ekstraksiyon Sistemi
- Kütle Analizörü
- Manyetik Lens Sistemi
- Hızlanma Tüpü
- Elektrostatik Tarama Sistemi
- Paralel Işın Şekillendirici Lens
- Proses Odası (Son İstasyon)
- Gofret Kaseti / Yükleyici Sistemi
İle donatılmıştır:
- Elektrostatik gofret aynası aşaması
- Uzun ömürlü iyon kaynağı teknolojisi
- Tam otomatik gofret işleme sistemi
Bu mimari, yüksek ışın kararlılığı, daha az bakım duruş süresi ve gelişmiş proses tekrarlanabilirliği sağlar.
Temel Teknik Özellikler
| Öğe | Şartname |
|---|---|
| Gofret Boyutu | 12 inç |
| Enerji Aralığı | 0,5 - 80 keV |
| İmplante Edilmiş Elemanlar | ¹¹B⁺, ⁴⁹BF₂⁺, ³¹P⁺, ⁷⁵As⁺, ¹⁴N⁺, ¹H⁺ |
| İmplant Açısı | 0° - 45° |
| Açı Doğruluğu | ≤ 0.1° |
| Doz Aralığı | 5E11 - 1E17 iyon/cm² |
| Kiriş Stabilitesi | ≤ 10% / saat (60 dakika içinde; ışın kesintisi ve ark ≤ 1 kez) |
| Kiriş Paralelliği | ≤ 0.3° |
| Verim (WPH) | ≥ 200 gofret/saat |
| Tekdüzelik (1σ) | ≤ 1% |
| Tekrarlanabilirlik (1σ) | ≤ 1% |
| Süreç Uyumluluğu | LSI süreci ile uyumlu |
Temel Özellikler ve Avantajlar
1. Akıllı Kontrol Sistemi
Üretim sırasında basitleştirilmiş çalışma, hızlı arıza teşhisi ve yüksek sistem kararlılığı sağlayan görselleştirilmiş ve akıllı bir yazılım platformu ile donatılmıştır.
2. Uzun Ömürlü İyon Kaynağı
Arıza süresini ve bakım maliyetini önemli ölçüde azaltan ≥500 saatlik kullanım ömrüne sahip gelişmiş iyon kaynağı tasarımını benimser.
3. Işın Teşhis Yeteneği
Doğru izleme yapabilen entegre 2D ışın profili ölçüm sistemi:
- Işın genişliği
- Kiriş yüksekliği
Bu, implantasyon doğruluğunu artırır ve proses tekrarlanabilirliğini geliştirir.
4. Yüksek Üretim Verimliliği
Ai80HC, geleneksel sistemlere göre 1,5 kattan daha yüksek bir verim performansı sunarak yüksek hacimli yarı iletken üretim ortamları için uygun hale geliyor.
5. Gelişmiş Desen İmplant Fonksiyonu
Desenli iyon implantasyonunu destekleyerek doz dağılımını mümkün kılar:
- Dairesel bölgeler
- Çeyrek tabanlı gofret segmentasyonu
Bu izin verir:
- Tek bir gofret üzerinde çoklu proses koşulları
- Azaltılmış süreç geliştirme maliyeti
- Geliştirilmiş Ar-Ge verimliliği
Örnek: Tek bir yonga plakası aynı anda dört kadranda dört farklı implantasyon koşulu alabilir ve bu da süreç optimizasyonunu önemli ölçüde hızlandırır.
Uygulama
- CMOS cihaz üretimi
- Gelişmiş mantık IC üretimi
- Güç yarı iletken katkılama
- Araştırma ve geliştirme yarı iletken pilot hatları
- Silikon tabanlı entegre devre üretimi
Sıkça Sorulan Sorular (SSS)
1. Ai80HC (Yüksek Işın) sistemi hangi yonga plakası boyutu için tasarlanmıştır?
Ai80HC (High Beam) iyon implantasyon sistemi, 12 inç silikon gofret üretim hatları için tasarlanmıştır ve bu sayede gelişmiş yarı iletken üretimi ve yüksek hacimli entegre devre üretimi için uygundur.
2. Bu sistemin enerji aralığı ve proses kapasitesi nedir?
Sistem, hem sığ hem de orta derinlikte implantasyonu destekleyen 0,5 keV ila 80 keV enerji aralığında çalışır. Gelişmiş cihaz yapılarında sığ bağlantı oluşumu ve kaynak / boşaltma mühendisliği dahil olmak üzere LSI süreçleriyle uyumludur.
3. Sistem ne düzeyde hassasiyet ve kararlılık sağlıyor?
Ai80HC (High Beam) ile yüksek proses tutarlılığı sağlar:
- Açı doğruluğu ≤ 0,1°
- Tekdüzelik (1σ) ≤ 1%
- Tekrarlanabilirlik (1σ) ≤ 1%
- Kiriş paralelliği ≤ 0,3°
Bu özellikler, istikrarlı wafer-to-wafer performansı ve yüksek verimli yarı iletken üretimi sağlar.
Değerlendirmeler
Henüz değerlendirme yapılmadı.