Visão geral do produto
O forno de crescimento por aquecimento por resistência de cristal único ZMSH SiC é um sistema de crescimento de cristais a alta temperatura especificamente concebido para a produção de cristais únicos de carboneto de silício de grande diâmetro, suportando o fabrico de bolachas de SiC de 6, 8 e 12 polegadas
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O forno foi concebido com base no princípio de crescimento de cristais por Transporte Físico de Vapor (PVT), integrando um controlo preciso do aquecimento por resistência, uma distribuição estável do campo térmico, uma gestão do ambiente de alto vácuo e uma regulação precisa da pressão.
Esta configuração permite o crescimento de monocristais de SiC de elevada pureza e baixa densidade de defeitos, adequados para aplicações avançadas de semicondutores de potência e dispositivos electrónicos.
O sistema foi desenvolvido para satisfazer os requisitos da produção industrial, garantindo a estabilidade do processo, a repetibilidade e a fiabilidade operacional a longo prazo em ambientes de crescimento de cristais de SiC em grande escala.
Principais capacidades técnicas
Sistema de aquecimento por resistência de alta estabilidade
O forno adopta uma estrutura de aquecimento por resistência multi-zona para obter uma distribuição uniforme da temperatura axial e radial. Isto minimiza os gradientes térmicos, reduz a tensão interna e melhora a integridade estrutural dos cristais durante o processo de crescimento.
Controlo térmico e de pressão de precisão
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Temperatura máxima de funcionamento até 2500°C
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Precisão do controlo da temperatura: ±1°C
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Ampla gama de regulação de pressão: 1-700 mbar
Estes parâmetros proporcionam um ambiente termodinâmico estável, essencial para a sublimação controlada, o transporte de vapor e a recristalização de cristais no crescimento do SiC.
Capacidade de crescimento de cristais de grande diâmetro
Com um cadinho de 900 mm de diâmetro, o sistema suporta o crescimento de lingotes de SiC de 8 e 12 polegadas da próxima geração, permitindo que os fabricantes aumentem a produção e melhorem o rendimento e a consistência das bolachas.
Ambiente de crescimento de alto vácuo
O forno mantém uma câmara de crescimento de baixo vazamento e alto vácuo, garantindo menor risco de contaminação, maior pureza dos cristais e operação estável de longa duração.
Aplicações industriais
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Substratos de semicondutores de potência
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Módulos de potência para veículos eléctricos
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Dispositivos MOSFET e díodos de alta tensão
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Sistemas de conversão de energia de energias renováveis
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Componentes electrónicos de alta frequência e de radiofrequência
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Eletrónica de potência industrial
Especificações técnicas
| Não. | Especificação | Detalhes |
|---|---|---|
| 1 | Modelo | PVT-RS-40 |
| 2 | Dimensões do forno (C × L × A) | 2500 × 2400 × 3456 mm |
| 3 | Diâmetro do cadinho | 900 mm |
| 4 | Pressão de vácuo máxima | 6 × 10-⁴ Pa (após 1,5 h de vácuo) |
| 5 | Taxa de fuga | ≤5 Pa / 12 h (cozedura) |
| 6 | Diâmetro do eixo de rotação | 50 mm |
| 7 | Velocidade de rotação | 0,5-5 rpm |
| 8 | Método de aquecimento | Aquecimento por resistência eléctrica |
| 9 | Temperatura máxima do forno | 2500°C |
| 10 | Potência de aquecimento | 40 kW × 2 + 20 kW |
| 11 | Medição da temperatura | Pirómetro de infravermelhos de duas cores |
| 12 | Gama de temperaturas | 900-3000°C |
| 13 | Precisão da temperatura | ±1°C |
| 14 | Gama de pressão | 1-700 mbar |
| 15 | Precisão do controlo da pressão | ±0,5% escala total |
| 16 | Tipo de operação | Carregamento pelo fundo, modos de segurança manual ou automático |
| 17 | Configurações opcionais | Aquecimento multi-zona, monitorização de temperatura dupla |
Desempenho do crescimento de cristais
O sistema permite a produção de monocristais de SiC de alta qualidade com:
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Baixa densidade de deslocação
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Elevada uniformidade estrutural
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Propriedades eléctricas estáveis
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Excelente desempenho térmico e mecânico
Estas caraterísticas são críticas para os wafers de semicondutores utilizados no fabrico de dispositivos de alta potência, alta tensão e alta frequência.
ZMSH Serviços de Engenharia
Configuração personalizada do sistema
A estrutura do forno, as zonas de aquecimento, os sistemas de controlo e as dimensões da câmara podem ser personalizados de acordo com a escala de produção e os requisitos de tamanho da bolacha.
Instalação e colocação em funcionamento
A instalação, calibração e verificação operacional do sistema no local são fornecidas por equipas de engenharia profissionais.
Formação técnica
Os programas de formação de operadores incluem o funcionamento do equipamento, o controlo do processo, a manutenção e o diagnóstico de falhas.
Apoio a longo prazo
O apoio técnico ao longo do ciclo de vida, os serviços de manutenção e o fornecimento de peças sobresselentes garantem um funcionamento estável a longo prazo.
FAQ
Q1: Qual é o método de crescimento de cristais utilizado por este forno?
R: O forno funciona com base no método de Transporte Físico de Vapor (PVT), que permite a sublimação controlada e a recristalização do carboneto de silício a altas temperaturas, tornando-o adequado para o crescimento de cristais únicos de alta qualidade.
Q2: Que tamanhos de bolacha podem ser suportados pelo forno?
R: O sistema foi concebido para o crescimento de monocristais de carboneto de silício de 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas, suportando os requisitos de fabrico de bolachas actuais e da próxima geração.
Q3: O forno é adequado para a produção à escala industrial?
R: Sim. O sistema foi concebido para funcionamento industrial contínuo, oferecendo elevada estabilidade térmica, repetibilidade do processo e fiabilidade a longo prazo para linhas de produção de cristais de SiC em grande escala.
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