De Integrated Vertical Airflow Silicon Carbide (SiC) Epitaxy Equipment is een geavanceerd epitaxiaal groeisysteem dat ontworpen is voor zeer efficiënte productie van 6-inch en 8-inch SiC epi-wafers. Dit systeem is ontworpen om te voldoen aan de groeiende eisen van de productie van vermogenshalfgeleiders en integreert nauwkeurige thermische controle, geoptimaliseerde gasstroomdynamica en intelligente automatisering om uitzonderlijke prestaties te leveren op het gebied van uniformiteit, doorvoer en defectcontrole.
De kern van het systeem is een innovatief verticaal luchtstroom douchekopontwerp, dat een gelijkmatige verdeling van procesgassen over het waferoppervlak mogelijk maakt. In combinatie met een temperatuurveldregeling voor meerdere zones zorgt dit voor een uitstekende uniformiteit van de dikte en een stabiele doteringsconcentratie - essentieel voor krachtige SiC-elektriciteitsapparaten.
Het systeem heeft een sterk geïntegreerde structuur met automatische waferhandling via een EFEM-systeem, samen met een mechanisme voor wafertransfer bij hoge temperatuur. Dit maakt naadloze integratie in moderne halfgeleiderproductielijnen mogelijk, vermindert handmatige interventie en verbetert de procesconsistentie en operationele efficiëntie.
Om productie op industriële schaal te ondersteunen, beschikt de apparatuur over een tweekamerconfiguratie waarmee continu met meerdere ovens gewerkt kan worden. Met een verwerkingscapaciteit van meer dan 1100 wafers per maand - en tot 1200 wafers door optimalisatie van het proces - is de machine zeer geschikt voor hoog-volume productieomgevingen.
De apparatuur is compatibel met zowel 6-inch als 8-inch SiC-wafers, wat flexibiliteit biedt voor fabrikanten die overstappen op grotere wafermaten. De apparatuur heeft ook uitstekende capaciteiten voor de groei van dikke epitaxiale lagen en trench-filling epitaxy, waardoor deze bijzonder geschikt is voor de fabricage van geavanceerde hoogspannings- en hoogvermogenapparaten.
Daarnaast zorgt het geoptimaliseerde reactorontwerp voor een lage defectdichtheid, een betere opbrengst en lagere eigendomskosten. De robuuste constructie en het onderhoudsvriendelijke ontwerp verbeteren de betrouwbaarheid op lange termijn en de operationele stabiliteit.
Belangrijkste technische voordelen
- Douchekop met verticale luchtstroom voor een gelijkmatige verdeling van het gas
- Temperatuurregeling met meerdere zones voor nauwkeurig thermisch beheer
- Configuratie met twee kamers voor productie met hoge doorvoer
- Lage defectdichtheid en hoge opbrengstprestaties
- Geautomatiseerde verwerking van wafers met EFEM-integratie
- Compatibiliteit met 6” en 8” SiC-wafers
- Geoptimaliseerd voor dikke epitaxy- en sleufvulprocessen
- Hoge betrouwbaarheid met vereenvoudigd onderhoud
Procesprestaties
| Parameter | Specificatie |
|---|---|
| Doorvoer | ≥1100 wafers/maand (dubbele kamers), tot 1200 wafers/maand (geoptimaliseerd) |
| Compatibiliteit wafergrootte | 6” / 8” SiC epi-wafers |
| Temperatuurregeling | Multi-zone |
| Luchtstroomsysteem | Verticaal instelbare multi-zone luchtstroom |
| Rotatiesnelheid | 0-1000 tpm |
| Maximale groeisnelheid | ≥60 μm/uur |
| Dikte Uniformiteit | ≤2% (geoptimaliseerd ≤1%, σ/avg, EE 5mm) |
| Dopinguniformiteit | ≤3% (geoptimaliseerd ≤1,5%, σ/avg, EE 5mm) |
| Dodelijke defectdichtheid | ≤0,2 cm-² (geoptimaliseerd tot 0,01 cm-²) |
Toepassingsscenario's
Deze apparatuur wordt veel gebruikt bij de productie van geavanceerde halfgeleiderelementen op basis van SiC, met name in industrieën die hoge efficiëntie, hoog voltage en hoge thermische prestaties vereisen:
- Elektrische voertuigen
Gebruikt bij de productie van SiC MOSFET's en vermogensmodules voor omvormers, boordladers en DC-DC converters, waardoor de energie-efficiëntie en het rijbereik worden verbeterd. - Hernieuwbare energiesystemen
Toegepast in fotovoltaïsche omvormers en energieopslagsystemen, voor een hogere omzettingsefficiëntie en betrouwbaarheid van het systeem. - Industriële vermogenselektronica
Geschikt voor krachtige motoraandrijvingen, industriële automatiseringssystemen en voedingseenheden die een stabiele en efficiënte werking vereisen. - Spoorvervoer & Energienetten
Ondersteunt hoogspannings- en hoogfrequente apparaten die worden gebruikt in intelligente netwerken, tractiesystemen en infrastructuur voor stroomtransmissie. - Hoogwaardige voedingsapparaten
Ideaal voor de productie van geavanceerde SiC-apparaten zoals Schottky-dioden, MOSFET's en de volgende generatie hoogspanningscomponenten.
FAQ
1. Welke waferformaten worden ondersteund door deze epitaxy-apparatuur?
Het systeem ondersteunt zowel 6-inch als 8-inch SiC-wafers, waardoor fabrikanten aan de huidige productie-eisen kunnen voldoen en zich tegelijkertijd kunnen voorbereiden op toekomstige schaalvergroting.
2. Welke voordelen biedt het verticale luchtstroomontwerp?
Het verticale luchtstroomsysteem zorgt voor een gelijkmatige gasdistributie over de wafer, waardoor de dikte consistenter wordt, defecten worden verminderd en de algehele epitaxiale kwaliteit wordt verbeterd.
3. Is deze apparatuur geschikt voor massaproductie?
Ja, het systeem heeft een configuratie met twee kamers en een continue werkmodus, met een maandelijkse verwerkingscapaciteit van meer dan 1100 wafers. Het systeem is zeer geschikt voor stabiele industriële productie op grote schaal en garandeert een consistente uitvoer, een hoge opbrengststabiliteit en operationele efficiëntie op de lange termijn.
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.