Ligne d'automatisation de polissage quadruple de wafers de silicium et de SiC de 6 à 8 pouces avec boucle de nettoyage et de remontage

Aperçu du produit

La ligne d'automatisation de polissage quadruple des plaquettes de silicium et de carbure de silicium de 6 à 8 pouces avec boucle de nettoyage et de remontage est une plate-forme de processus de post-polissage entièrement intégrée, conçue pour soutenir la fabrication de plaquettes de silicium et de carbure de silicium en grand volume.

Le système relie le polissage à quatre têtes, le démontage automatique des plaquettes, la manipulation des supports céramiques, le nettoyage des supports et le remontage de précision des plaquettes dans un flux continu en boucle fermée, ce qui élimine la manipulation manuelle et garantit une stabilité, une répétabilité et un rendement maximaux du processus.

Il est optimisé pour les plaquettes de semi-conducteurs de puissance, les substrats SiC et les applications d'emballage avancées où la planéité, l'intégrité de la surface et le contrôle de la contamination sont essentiels.

Concept de processus en boucle fermée

Contrairement aux lignes de polissage semi-manuelles traditionnelles, ce système fonctionne comme un véritable cycle de transport en boucle fermée :

Polissage → Démontage → Nettoyage du support → Remontage → Polissage

Les supports céramiques circulent automatiquement à l'intérieur du système, tandis que les plaquettes sont retirées et remontées avec précision dans des conditions étroitement contrôlées.
Cette architecture permet de s'assurer que chaque cycle de polissage commence par.. :

• Une surface de support propre

• Une plaquette positionnée avec précision

• Une interface de montage stable et reproductible

Il en résulte une réduction de la casse des gaufrettes, une meilleure uniformité de l'épaisseur et une plus grande régularité d'un lot à l'autre.

Conception d'ingénierie critique pour les processus

Manipulation de plaquettes à faible contrainte

Des profils de mouvement spéciaux et des trajectoires de démontage sont utilisés pour contrôler l'accélération, la force de contact et l'angle de séparation, ce qui permet de réduire les coûts :

• Ébarbage des bords

• Microfissures

• Déformation de la plaquette de silicium sous l'effet de la contrainte

Ceci est particulièrement important pour les plaquettes de SiC, qui sont dures, cassantes et très sensibles aux chocs mécaniques.

Reconditionnement ultra-propre des transporteurs

Avant chaque cycle de remontage, les supports céramiques sont remis dans un état de surface prêt à l'emploi en éliminant les résidus de boue, les particules fines et les films chimiques.
Cela permet d'éviter :

• Rayures induites par les particules

• Non-uniformité locale du polissage

• Défauts de surface aléatoires

qui sont les principaux facteurs de perte de rendement dans les opérations de polissage CMP et quadruple.

Remontage de précision pour un polissage uniforme

L'unité de remontage contrôle :

• Pression de montage

• Alignement des plaquettes

• Planéité sur l'ensemble du support

Cela garantit que toutes les plaquettes subissent une pression de polissage uniforme au cours du cycle de polissage quadruple suivant, ce qui permet d'obtenir des résultats très satisfaisants :

• Amélioration du TTV (variation totale de l'épaisseur)

• Meilleure rugosité de surface

• Rendement plus élevé des plaquettes utilisables

Flexibilité de la production

Le système prend en charge plusieurs configurations de plaquettes et de supports, ce qui permet aux usines d'adapter la ligne à leurs besoins :

• Débit maximal

• Contrôle maximal de la planéité

• Production mixte de 6 et 8 pouces

La ligne convient donc aux deux types d'utilisateurs :

• Production d'appareils électriques en grande quantité

• Traitement de substrats SiC de grande valeur

Applications typiques

• Plaques de semi-conducteurs de puissance en Si et SiC (MOSFET, IGBT, diodes)

• Substrats et plaques épitaxiées en SiC

• Plaques de conditionnement avancées

• Plaques de silicium polies de haute précision

FAQ - Questions techniques complémentaires

Q1 : Comment le système minimise-t-il la rupture des plaquettes de SiC fragiles ?
La ligne utilise des algorithmes de démontage à faible contrainte et des profils de mouvement contrôlés, gérant soigneusement l'accélération, l'angle de séparation et la force de contact. Cela permet d'éviter l'écaillage des bords, les microfissures et le gauchissement des plaquettes sous l'effet de la contrainte, qui sont des problèmes courants avec les substrats SiC.

Q2 : La boucle de nettoyage et de remontage peut-elle prendre en charge plusieurs types de porteurs ?
Oui, les modules de nettoyage et de tamponnage des supports prennent en charge plusieurs diamètres de supports céramiques (par exemple, 485 mm et 576 mm) et plusieurs nombres de plaquettes par support. Cela permet de produire des plaquettes de taille mixte de 6 et 8 pouces sans interruption de la ligne.

Q3 : Comment le système garantit-il une qualité de polissage reproductible d'un lot à l'autre ?
En combinant des surfaces de support ultra-propres, un alignement précis des plaquettes et un contrôle de la planéité, chaque plaquette est montée dans des conditions identiques. Cela garantit une pression de polissage constante, un enlèvement de matière uniforme et un TTV minimal, ce qui se traduit par un rendement et une qualité de surface stables pour tous les lots de production.