El equipo vertical de flujo de aire dividido para epitaxia de carburo de silicio (SiC) es un sistema avanzado de crecimiento epitaxial diseñado para la producción de alta eficiencia de obleas epitaxiales de SiC de 6 y 8 pulgadas. Con una arquitectura modular de tipo dividido, la fuente de alimentación, los módulos de escape y los módulos EFEM/PM/TM pueden instalarse independientemente en zonas grises o entreplantas. Esta flexibilidad permite una integración perfecta en los entornos de fabricación modernos, manteniendo al mismo tiempo una capacidad de automatización total mediante el módulo SMIF y la conexión de grúa puente.
El equipo incorpora un innovador diseño de flujo de aire vertical combinado con un control de campo de temperatura multizona, lo que garantiza un espesor uniforme y una concentración de dopaje estable, algo fundamental para los dispositivos de potencia de SiC de alto rendimiento. La automatización completa, incluida la manipulación de obleas EFEM y la transferencia de obleas a alta temperatura, reduce la intervención manual, mejora la coherencia del proceso y aumenta la eficiencia operativa.
El sistema admite el funcionamiento continuo en múltiples hornos de doble cámara, con lo que se consiguen más de 1.100 obleas al mes y hasta 1.200 obleas al mes mediante la optimización del proceso. Su diseño es totalmente compatible con obleas de 6 y 8 pulgadas, lo que ofrece flexibilidad a los fabricantes que deseen pasar a obleas de mayor tamaño. Además, el equipo es capaz de realizar crecimiento de capa gruesa a alta presión y epitaxia de relleno de zanjas, lo que lo hace adecuado para dispositivos SiC avanzados de alto voltaje y alta potencia.
La robusta construcción de tipo partido garantiza una baja densidad de defectos, un alto rendimiento, un mantenimiento simplificado y una fiabilidad a largo plazo, minimizando el coste total de propiedad para los fabricantes de semiconductores.
Principales ventajas técnicas
- Diseño modular dividido para la instalación independiente de módulos de potencia, escape y EFEM
- Ducha de flujo de aire vertical para una distribución uniforme del gas por la oblea
- Control de temperatura multizona para una gestión térmica precisa
- Configuración de doble cámara para una producción de alto rendimiento
- Baja densidad de defectos y alto rendimiento
- Manipulación de obleas totalmente automatizada con EFEM e integración de grúa puente
- Compatible con obleas de SiC de 6” y 8
- Optimizado para epitaxia de capa gruesa y relleno de zanjas
- Alta fiabilidad y mantenimiento simplificado
Rendimiento del proceso
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Rendimiento | ≥1100 obleas/mes (cámaras dobles), hasta 1200 obleas/mes (optimizado) |
| Compatibilidad de tamaños de oblea | 6” / 8” SiC epi-wafers |
| Control de la temperatura | Multizona |
| Sistema de flujo de aire | Flujo de aire multizona ajustable verticalmente |
| Velocidad de rotación | 0-1000 rpm |
| Tasa de crecimiento máxima | ≥60 μm/hora |
| Uniformidad de espesor | ≤2% (optimizado ≤1%, σ/avg, EE 5mm) |
| Uniformidad del dopaje | ≤3% (optimizado ≤1,5%, σ/avg, EE 5mm) |
| Densidad de defectos asesinos | ≤0,2 cm-² (optimizado a 0,01 cm-²) |
Escenarios de aplicación
El equipo de epitaxia de SiC de flujo de aire vertical de tipo dividido se utiliza ampliamente en la fabricación de semiconductores de SiC de alto rendimiento, especialmente en industrias que requieren alta eficiencia, alto voltaje y alto rendimiento térmico:
Vehículos eléctricos
Se utiliza en la producción de MOSFET de SiC y módulos de potencia para inversores, cargadores de a bordo y convertidores CC-CC, mejorando la eficiencia energética y la autonomía de conducción.
Sistemas de energía renovable
Se aplica en inversores fotovoltaicos y sistemas de almacenamiento de energía, permitiendo una mayor eficiencia de conversión y fiabilidad.
Electrónica de potencia industrial
Adecuado para accionamientos de motores de alta potencia, sistemas de automatización industrial y fuentes de alimentación que requieren un funcionamiento estable y eficiente.
Tránsito ferroviario y redes eléctricas
Admite dispositivos de alta tensión y alta frecuencia utilizados en redes inteligentes, sistemas de tracción e infraestructuras de transmisión de energía.
Dispositivos de potencia de gama alta
Ideal para la fabricación de dispositivos SiC avanzados, como diodos Schottky, MOSFET y componentes de alto voltaje de última generación.
PREGUNTAS FRECUENTES
1. ¿Qué tamaños de oblea admite este equipo de epitaxia de tipo dividido?
El sistema admite obleas de SiC de 6 y 8 pulgadas, lo que permite a los fabricantes satisfacer las demandas de producción actuales al tiempo que se preparan para el escalado futuro.
2. ¿Cuáles son las ventajas del diseño de tipo partido?
El diseño modular dividido permite la instalación independiente de los módulos de alimentación, escape y EFEM, lo que mejora la flexibilidad de la disposición de la fábrica y facilita el mantenimiento.
3. ¿Cómo mejora la calidad de la epitaxia el diseño de flujo de aire vertical?
El flujo de aire vertical garantiza una distribución uniforme del gas por la oblea, lo que se traduce en un grosor uniforme, un dopaje estable y una densidad de defectos reducida.
4. ¿Es este equipo adecuado para la fabricación de grandes volúmenes?
Sí, la configuración de doble cámara admite el funcionamiento continuo en varios hornos, con un rendimiento superior a 1.100 obleas al mes, lo que la hace ideal para la producción a gran escala y garantiza obleas de alta calidad constante con un tiempo de inactividad operativo reducido.
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