Horno de crecimiento de carburo de silicio (método PVT) para la producción de cristales de carburo de silicio de 6-12 pulgadas

El horno de crecimiento de SiC (método PVT) es un sistema de alto rendimiento diseñado para la producción de monocristales de carburo de silicio (SiC) de 6, 8 y 12 pulgadas.

Gracias a su avanzada tecnología de calentamiento por inducción, el horno ofrece un calentamiento rápido, un control preciso de la temperatura y un bajo consumo energético, lo que lo convierte en una solución ideal para el crecimiento de cristales de SiC a escala industrial.

Se utiliza ampliamente en la fabricación de sustratos de SiC para electrónica de potencia, dispositivos de RF y aplicaciones de semiconductores de nueva generación.

Características principales

• Sistema de calefacción por inducción
  El calentamiento electromagnético directo del crisol de grafito garantiza una alta eficacia y una rápida respuesta térmica

• Control ultrapreciso de la temperatura
  Precisión de hasta ±1 °C, lo que garantiza unas condiciones estables de crecimiento del cristal

• Bajo consumo de energía
  El diseño térmico optimizado reduce significativamente el coste operativo

• Alta estabilidad y baja contaminación
  Calentamiento sin contacto + entorno de gas inerte que minimiza las impurezas

• Escalable para cristales de gran diámetro
  Admite el crecimiento de cristales de SiC de 6″, 8″ y 12″.

Especificaciones técnicas

Ventajas del diseño

• Compatible con el crecimiento de cristales de SiC semiaislantes y conductores

• El sistema de rotación del crisol mejora la uniformidad de la temperatura

• La elevación ajustable de la bobina de inducción reduce las perturbaciones térmicas

• La cámara de cuarzo de doble capa refrigerada por agua prolonga la vida útil del equipo

• Control de temperatura de doble punto en tiempo real

• Múltiples modos de control: potencia / corriente / temperatura constantes

• Arranque inteligente con un solo clic para un funcionamiento automatizado

• Estructura compacta para una distribución eficiente de la fábrica

• Control de presión de alta precisión (hasta ±1 Pa)

Rendimiento y aplicaciones

El horno permite el crecimiento de monocristales de SiC de alta pureza (≥99,999%) y con pocos defectos, que son fundamentales para:

• MOSFET de SiC

• Diodos Schottky

• Dispositivos de radiofrecuencia

• Vehículos eléctricos (módulos de alimentación EV)

• Inversores solares

• Sistemas de comunicación 5G

Con un control térmico estable y condiciones de crecimiento optimizadas, el sistema garantiza un alto rendimiento, consistencia y escalabilidad para la producción industrial.

Nuestras capacidades (ZMSH)

1. Fabricación de equipos

• Diseño personalizado del horno de crecimiento de SiC

• Admite distintos tamaños de cristal y requisitos de proceso

2. Optimización del proceso

• Ajuste de los parámetros de crecimiento PVT

• Mejora del rendimiento y de la densidad de defectos

3. Instalación y formación

• Puesta en servicio in situ

• Formación sobre funcionamiento y mantenimiento

4. Asistencia posventa

• Asistencia técnica 24 horas al día, 7 días a la semana

• Asistencia técnica de respuesta rápida

PREGUNTAS FRECUENTES

P1: ¿Qué es el método PVT en el crecimiento de cristales de SiC?
R: El transporte físico de vapor (PVT) es un proceso en el que el polvo de SiC se sublima a alta temperatura y recristaliza sobre un cristal semilla para formar monocristales a granel.

P2: ¿Por qué elegir el calentamiento por inducción para el crecimiento del SiC?
R: El calentamiento por inducción proporciona una respuesta rápida, una alta eficiencia y un control preciso, que son esenciales para el crecimiento estable de cristales de SiC con pocos defectos.