Produktübersicht
Der ZMSH SiC Einkristall-Widerstandsheizungs-Züchtungsofen ist ein Hochtemperatur-Kristallzüchtungssystem, das speziell für die Produktion von Siliziumkarbid-Einkristallen mit großem Durchmesser entwickelt wurde und die Herstellung von 6-, 8- und 12-Zoll SiC-Wafern unterstützt.
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Der Ofen wurde auf der Grundlage des PVT-Kristallzüchtungsprinzips (Physical Vapor Transport) entwickelt und umfasst eine präzise Steuerung der Widerstandsheizung, eine stabile Verteilung des Wärmefelds, ein Hochvakuum-Umgebungsmanagement und eine genaue Druckregelung.
Diese Konfiguration ermöglicht die Züchtung hochreiner SiC-Einkristalle mit geringer Defektdichte, die sich für moderne Leistungshalbleiter- und Elektronikgeräteanwendungen eignen.
Das System wurde entwickelt, um die Anforderungen der industriellen Produktion zu erfüllen und Prozessstabilität, Reproduzierbarkeit und langfristige Betriebszuverlässigkeit in groß angelegten SiC-Kristallzuchtumgebungen zu gewährleisten.
Technische Kernkompetenzen
Hochstabiles Widerstandsheizungssystem
Der Ofen ist mit einer Mehrzonen-Widerstandsheizung ausgestattet, um eine gleichmäßige axiale und radiale Temperaturverteilung zu erreichen. Dadurch werden thermische Gradienten minimiert, interne Spannungen reduziert und die strukturelle Integrität der Kristalle während des Wachstumsprozesses verbessert.
Präzise Wärme- und Druckkontrolle
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Maximale Betriebstemperatur bis zu 2500°C
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Genauigkeit der Temperaturregelung: ±1°C
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Großer Druckregelbereich: 1-700 mbar
Diese Parameter sorgen für ein stabiles thermodynamisches Umfeld, das für die kontrollierte Sublimation, den Dampftransport und die Kristallrekristallisation beim SiC-Wachstum unerlässlich ist.
Kapazität für Kristallwachstum mit großem Durchmesser
Mit einem Tiegeldurchmesser von 900 mm unterstützt das System das Wachstum von 8- und 12-Zoll-SiC-Ingots der nächsten Generation und ermöglicht es Herstellern, die Produktion zu skalieren und gleichzeitig die Ausbeute und die Konsistenz der Wafer zu verbessern.
Hochvakuum-Wachstumsumgebung
Der Ofen verfügt über eine leckarme Hochvakuum-Zuchtkammer, die das Kontaminationsrisiko verringert, die Reinheit der Kristalle verbessert und einen stabilen Betrieb über lange Zeiträume gewährleistet.
Industrielle Anwendungen
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Substrate für Leistungshalbleiter
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Leistungsmodule für Elektrofahrzeuge
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Hochspannungs-MOSFETs und -Dioden
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Energieumwandlungssysteme für erneuerbare Energien
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Elektronische Hochfrequenz- und RF-Komponenten
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Industrielle Leistungselektronik
Technische Daten
| Nein. | Spezifikation | Einzelheiten |
|---|---|---|
| 1 | Modell | PVT-RS-40 |
| 2 | Abmessungen des Ofens (L × B × H) | 2500 × 2400 × 3456 mm |
| 3 | Durchmesser des Tiegels | 900 mm |
| 4 | Ultimativer Vakuumdruck | 6 × 10-⁴ Pa (nach 1,5 h Vakuum) |
| 5 | Leckagerate | ≤5 Pa / 12 h (Ausheizen) |
| 6 | Rotation Wellendurchmesser | 50 mm |
| 7 | Rotationsgeschwindigkeit | 0,5-5 U/min |
| 8 | Heizmethode | Elektrische Widerstandsheizung |
| 9 | Maximale Ofentemperatur | 2500°C |
| 10 | Heizleistung | 40 kW × 2 + 20 kW |
| 11 | Messung der Temperatur | Zweifarbiges Infrarot-Pyrometer |
| 12 | Temperaturbereich | 900-3000°C |
| 13 | Temperatur-Genauigkeit | ±1°C |
| 14 | Druckbereich | 1-700 mbar |
| 15 | Genauigkeit der Druckregelung | ±0,5% Skalenendwert |
| 16 | Art der Operation | Beladung von unten, manueller oder automatischer Sicherheitsmodus |
| 17 | Optionale Konfigurationen | Mehrzonenheizung, doppelte Temperaturüberwachung |
Leistung beim Kristallwachstum
Das System ermöglicht die Herstellung von hochwertigen SiC-Einkristallen mit:
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Geringe Versetzungsdichte
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Hohe strukturelle Einheitlichkeit
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Stabile elektrische Eigenschaften
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Ausgezeichnete thermische und mechanische Leistung
Diese Eigenschaften sind entscheidend für Wafer in Halbleiterqualität, die für die Herstellung von Hochleistungs-, Hochspannungs- und Hochfrequenzgeräten verwendet werden.
ZMSH Ingenieurdienstleistungen
Benutzerdefinierte Systemkonfiguration
Die Struktur des Ofens, die Heizzonen, die Kontrollsysteme und die Abmessungen der Kammern können je nach Produktionsgröße und Anforderungen an die Wafergröße angepasst werden.
Installation und Inbetriebnahme
Die Installation des Systems vor Ort, die Kalibrierung und die Betriebsüberprüfung werden von professionellen Ingenieurteams durchgeführt.
Technische Ausbildung
Die Schulungsprogramme für Bediener umfassen die Bedienung der Anlagen, die Prozesssteuerung, die Wartung und die Fehlerdiagnose.
Langfristige Unterstützung
Technischer Support über die gesamte Lebensdauer, Wartungsdienste und Ersatzteilversorgung gewährleisten einen stabilen Langzeitbetrieb.
FAQ
F1: Welche Kristallzüchtungsmethode wird in diesem Ofen verwendet?
A: Der Ofen arbeitet nach der PVT-Methode (Physical Vapor Transport), die eine kontrollierte Sublimation und Rekristallisation von Siliziumkarbid bei hohen Temperaturen ermöglicht, wodurch er sich für ein hochwertiges Einkristallwachstum eignet.
F2: Welche Wafergrößen kann der Ofen unterstützen?
A: Die Anlage ist für die 6-, 8- und 12-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristallzüchtung ausgelegt und unterstützt die Anforderungen der aktuellen und der nächsten Generation der Waferherstellung.
F3: Ist der Ofen für die industrielle Produktion geeignet?
A: Ja. Das System ist für den industriellen Dauerbetrieb ausgelegt und bietet eine hohe thermische Stabilität, Prozesswiederholbarkeit und langfristige Zuverlässigkeit für groß angelegte SiC-Kristallproduktionslinien.
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