หมวดหมู่: Crystal Growth Furnace
-
เตาหลอมการเติบโตของผลึก
เตาหลอมการเจริญเติบโตของผลึกแซฟไฟร์สำหรับผลึกขนาด 80–400 กิโลกรัม โดยใช้วิธีของ Kyropoulos (KY)
-
เตาหลอมการเติบโตของผลึก
เตาหลอมผลึก SiC (PVT / LPE / HT-CVD) สำหรับการผลิตผลึกซิลิคอนคาร์ไบด์เดี่ยวคุณภาพสูง
-
เตาหลอมการเติบโตของผลึก
เตาหลอมการเติบโตของ SiC (วิธี PVT) สำหรับการผลิตผลึกซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 6–12 นิ้ว
-
เตาหลอมการเติบโตของผลึก
เตาหลอมผลึกเดี่ยว SiC สำหรับผลึกขนาด 6 นิ้วและ 8 นิ้ว โดยใช้วิธี PVT, Lely และ TSSG
