Forno de crescimento de cristais de SiC (PVT / LPE / HT-CVD) para produção de cristais simples de carboneto de silício de alta qualidade

O forno de crescimento de cristais de SiC é um equipamento essencial para a produção de monocristais de carboneto de silício (SiC) de alta qualidade utilizados em eletrónica de potência, dispositivos de RF e aplicações avançadas de semicondutores.

Os nossos sistemas suportam várias tecnologias de crescimento tradicionais, incluindo:

• Transporte Físico de Vapor (PVT)

• Epitaxia em fase líquida (LPE)

• Deposição de vapor químico a alta temperatura (HT-CVD)

Com um controlo preciso da alta temperatura, do vácuo e do fluxo de gás, o forno permite uma produção estável de cristais de SiC de baixa qualidade e elevada pureza em tamanhos de 4-6 polegadas, com personalização disponível para diâmetros maiores.

Métodos de crescimento de cristais de SiC suportados

1. Transporte Físico de Vapor (PVT)

Princípio do processo:
O pó de SiC é sublimado a temperaturas superiores a 2000°C. As espécies de vapor são transportadas ao longo de um gradiente de temperatura e recristalizadas num cristal de semente.

Caraterísticas principais:

• Cadinho de grafite de alta pureza e suporte de sementes

• Termopar integrado + monitorização da temperatura por infravermelhos

• Sistema de controlo do fluxo de vácuo e de gás inerte

• Controlo automático de processos com base em PLC

• Integração do arrefecimento e do tratamento dos gases de escape

Vantagens:

• Tecnologia madura e amplamente adoptada

• Custo de equipamento relativamente baixo

• Adequado para o crescimento de cristais de SiC a granel

Aplicações:

• Produção de substratos de SiC semi-isolantes e condutores

2. Deposição em fase vapor por processo químico a alta temperatura (HT-CVD)

Princípio do processo:
Os gases de alta pureza (por exemplo, SiH₄ + C₂H₄ / C₃H₈) decompõem-se a 1800-2300°C e depositam SiC no cristal de semente.

Caraterísticas principais:

• Aquecimento por indução através de acoplamento eletromagnético

• Sistema estável de fornecimento de gás (gases portadores He / H₂)

• Gradiente de temperatura controlado para condensação de cristais

• Capacidade de dopagem precisa

Vantagens:

• Baixa densidade de defeitos

• Alta pureza de cristal

• Controlo flexível da dopagem

Aplicações:

• Pastilhas de SiC de elevado desempenho para dispositivos electrónicos avançados

3. Epitaxia em fase líquida (LPE)

Princípio do processo:
O Si e o C dissolvem-se numa solução a alta temperatura (~1800°C), e o SiC cristaliza a partir de uma fusão supersaturada durante o arrefecimento controlado.

Caraterísticas principais:

• Crescimento da camada epitaxial de alta qualidade

• Baixa densidade de defeitos e elevada pureza

• Requisitos de equipamento relativamente simples

• Escalável para produção industrial

Vantagens:

• Menor custo de crescimento

• Melhoria da qualidade da camada epitaxial

Aplicações:

• Crescimento de camadas epitaxiais em substratos de SiC

• Fabrico de dispositivos de potência de elevada eficiência

Vantagens técnicas

• Funcionamento a alta temperatura (>2000°C)

• Controlo estável do vácuo e do fluxo de gás

• Sistema avançado de automação PLC

• Conceção personalizável do forno (tamanho, configuração, processo)

• Compatível com crescimento de cristais SiC de 4-6 polegadas (expansível)

As nossas capacidades

1. Fornecimento de equipamento

Fornecemos fornos de crescimento de cristais de SiC totalmente concebidos para:

• SiC semi-isolante de alta pureza

• Produção de cristais condutores de SiC

• Requisitos de fabrico por lotes

2. Fornecimento de matérias-primas e cristais

Nós fornecemos:

• Materiais de base SiC

• Cristais de sementes

• Consumíveis de processo

Todos os materiais são submetidos a um rigoroso controlo de qualidade para garantir a estabilidade do processo.

3. Desenvolvimento e otimização de processos

A nossa equipa de engenharia apoia:

• Desenvolvimento de processos personalizados

• Otimização dos parâmetros de crescimento

• Melhoria do rendimento e da qualidade dos cristais

4. Formação e apoio técnico

Nós oferecemos:

• Formação no local / à distância

• Orientação para o funcionamento do equipamento

• Apoio à manutenção e à resolução de problemas

FAQ

Q1: Quais são os principais métodos de crescimento de cristais de SiC?
R: Os principais métodos incluem PVT, HT-CVD e LPE, cada um deles adequado a diferentes aplicações e objectivos de produção.

Q2: O que é a epitaxia em fase líquida (LPE)?
R: O LPE é um método de crescimento baseado numa solução em que uma fusão saturada é arrefecida lentamente para impulsionar o crescimento de cristais num substrato, permitindo camadas epitaxiais de alta qualidade.

Porquê escolher o nosso forno de crescimento SiC?

• Experiência comprovada em engenharia de equipamentos SiC

• Compatibilidade com vários métodos (PVT / HT-CVD / LPE)

• Soluções personalizadas para diferentes escalas de produção

• Apoio ao ciclo de vida completo (equipamento + materiais + processo)