De 6/8/12-inch LPCVD oxidatieoven is een geavanceerd halfgeleiderproductiegereedschap dat is ontworpen voor precieze en uniforme afzetting van dunne lagen. De oven wordt veel gebruikt voor het kweken van polysilicium, siliciumnitride en siliciumoxidelagen van hoge kwaliteit op wafers, wat zorgt voor consistente prestaties voor vermogenshalfgeleiders, geavanceerde substraten en andere toepassingen met hoge precisie.
Deze apparatuur combineert geavanceerde lagedruk depositietechnologie, intelligente temperatuurregeling en ultraclean procesontwerp om uitzonderlijke dunnelaag uniformiteit en hoge verwerkingscapaciteit te bereiken. De verticale reactorconfiguratie maakt efficiënte batchverwerking mogelijk, terwijl het thermische depositieproces schade door plasma voorkomt, waardoor het ideaal is voor kritieke processen zoals de vorming van gate diëlektrices, spanningsbufferende lagen en beschermende oxiden.
Belangrijkste voordelen
- Depositie van dunne film met hoge uniformiteit: Een omgeving met lage druk (0,1-10 Torr) zorgt voor wafer-to-wafer en inside-wafer uniformiteit van ±1,5%, essentieel voor de fabricage van hoogwaardige apparaten.
- Verticaal reactorontwerp: Verwerkt 150-200 wafers per batch en verbetert zo de doorvoer en productie-efficiëntie voor halfgeleiderfabricage op industriële schaal.
- Thermisch afzettingsproces (500-900°C): Zorgt voor zachte, plasmavrije afzetting om gevoelige substraten te beschermen en een hoge filmkwaliteit te behouden.
- Intelligente temperatuurregeling: Real-time bewaking en afstelling met ±1°C nauwkeurigheid voor stabiele, herhaalbare resultaten.
- Ultrazuivere proceskamer: Minimaliseert deeltjesvervuiling en ondersteunt SiC en andere geavanceerde wafermaterialen.
- Aanpasbare configuratie: Flexibel ontwerp is geschikt voor verschillende procesvereisten, waaronder droge of natte oxidatie en verschillende wafergroottes.
Technische specificaties
| Functie | Specificatie |
|---|---|
| Wafergrootte | 6/8/12 Inch |
| Compatibele materialen | Polysilicium, siliciumnitride, siliciumoxide |
| Type oxidatie | Droge zuurstof/natte zuurstof (DCE, HCL) |
| Bereik procestemperatuur | 500°C-900°C |
| Zone met constante temperatuur | ≥800 mm |
| Nauwkeurigheid temperatuurregeling | ±1°C |
| Deeltjesregeling | 0,32 μm), 0,32 μm), 0,226 μm) |
| Filmdikte | NIT1500 ±50 Å |
| Uniformiteit | Binnen wafer <2,5%, wafer-to-wafer <2,5%, batch-to-batch <2% |
Producteigenschappen
- Geautomatiseerde verwerking van wafers zorgt voor een hoge veiligheid en operationele efficiëntie.
- De ultraschone proceskamer vermindert het risico op vervuiling en zorgt voor een consistente filmkwaliteit.
- De superieure uniformiteit van de laagdikte ondersteunt de productie van geavanceerde knooppunten.
- Real-time intelligente temperatuur- en drukregeling maakt nauwkeurige procesaanpassingen mogelijk.
- SiC waferondersteuning vermindert wrijving en deeltjesvorming, waardoor de wafer langer meegaat.
- Het modulaire ontwerp maakt aanpassing mogelijk voor diverse toepassingen en procesbehoeften.
Principe van afzettingsproces
- Gas Introductie: Reactorgassen worden onder lage druk (0,25-1 Torr) in de buis gebracht.
- Oppervlakteverspreiding: Moleculen diffunderen vrij over het wafeloppervlak, waardoor een uniforme dekking wordt gegarandeerd.
- Adsorptie: Reactanten hechten zich aan het wafeloppervlak voor de chemische reactie.
- Chemische reactie: Thermische ontleding vormt de gewenste dunne film direct op het substraat.
- Verwijdering van bijproducten: Niet-reactieve gassen worden geëvacueerd om de zuiverheid te behouden en interferentie te voorkomen.
- Filmvorming: De reactieproducten hopen zich geleidelijk op en vormen een uniforme, stabiele dunne filmlaag.
Toepassingen
- Afschermende oxidelaag: Beschermt siliciumwafers tegen vervuiling en vermindert ionenkanalisatie tijdens doteringsprocessen.
- Pad Oxidelaag: Dient als spanningsbuffer tussen silicium en siliciumnitridelagen, voorkomt barsten in de wafer en verbetert de opbrengst.
- Poortoxidelaag: Vormt de diëlektrische laag in MOS-structuren en zorgt voor nauwkeurige stroomgeleiding en regeling van het veldeffect.
Systeemconfiguraties
- Verticale LPCVD: De procesgassen stromen van boven naar beneden voor een gelijkmatige afzetting op alle wafers in een batch.
- Horizontale LPCVD: De gassen stromen langs de lengte van de substraten, wat geschikt is voor continue productie van grote volumes, hoewel de dikte van de depositie iets kan variëren in de buurt van de inlaatzijde.
Veelgestelde vragen
V1: Waar wordt LPCVD voornamelijk voor gebruikt?
A: LPCVD is een dunne-filmdepositieproces onder lage druk dat op grote schaal wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiders voor de afzetting van polysilicium, siliciumnitride en siliciumoxide. Het maakt uniforme en hoogwaardige films mogelijk voor de fabricage van geavanceerde apparaten.
V2: Waarin verschilt LPCVD van PECVD?
A: LPCVD vertrouwt op thermische activering onder lage druk om hoogzuivere films te produceren, terwijl PECVD plasma gebruikt bij lagere temperaturen voor snellere depositie, vaak met een iets lagere filmkwaliteit.
V3: Welke wafermaten en materialen zijn compatibel met deze LPCVD oxidatieoven?
A: Deze oven ondersteunt 6-inch, 8-inch en 12-inch wafers en is compatibel met polysilicium-, siliciumnitride-, siliciumoxide- en SiC-wafers, wat flexibiliteit biedt voor verschillende halfgeleidertoepassingen.
V4: Kan de LPCVD oxidatieoven worden aangepast voor specifieke processen?
A: Ja, het systeem biedt modulaire configuraties, waaronder instelbare temperatuurzones, gasstroomregeling en oxidatiemodi (droog of nat), waardoor het kan voldoen aan verschillende procesvereisten voor zowel onderzoek als productie op industriële schaal.
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.