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  • 6-8-Zoll Silizium- und SiC-Wafer-Vierfach-Polierautomatisierungslinie mit Reinigungs- und Wiedereinsetzschleife Weiterlesen
    Kristallzucht-Ofen

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  • 6/8/12-Zoll-LPCVD-Oxidationsofen mit hoher Gleichmäßigkeit bei der Dünnschichtabscheidung für die moderne Halbleiterfertigung Weiterlesen
    Kristallzucht-Ofen

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  • SiC-Kristallzüchtungsofen (PVT / LPE / HT-CVD) für die Herstellung hochqualitativer Siliziumkarbid-Einkristalle Weiterlesen
    Kristallzucht-Ofen

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  • SiC-Wachstumsofen (PVT-Methode) für die Herstellung von 6-12-Zoll-Siliziumkarbidkristallen Weiterlesen
    Kristallzucht-Ofen

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