Tổng quan về sản phẩm
Lò nung tinh thể đơn silicon carbide (SiC) bằng điện trở ZMSH là hệ thống tăng trưởng tinh thể nhiệt độ cao được thiết kế chuyên biệt cho sản xuất tinh thể đơn silicon carbide có đường kính lớn, hỗ trợ sản xuất wafer SiC có kích thước 6 inch, 8 inch và 12 inch.
uring.
Lò nung được thiết kế dựa trên nguyên lý tăng trưởng tinh thể bằng vận chuyển hơi vật lý (PVT), tích hợp kiểm soát gia nhiệt bằng điện trở chính xác, phân bố trường nhiệt ổn định, quản lý môi trường chân không cao và điều chỉnh áp suất chính xác.
Cấu hình này cho phép sản xuất các tinh thể SiC đơn tinh thể có độ tinh khiết cao và mật độ khuyết tật thấp, phù hợp cho các ứng dụng trong lĩnh vực bán dẫn công suất cao và thiết bị điện tử tiên tiến.
Hệ thống được phát triển để đáp ứng các yêu cầu sản xuất công nghiệp, đảm bảo tính ổn định của quy trình, tính lặp lại và độ tin cậy hoạt động lâu dài trong môi trường nuôi cấy tinh thể SiC quy mô lớn.
Năng lực kỹ thuật cốt lõi
Hệ thống sưởi ấm bằng điện trở có độ ổn định cao
Lò nung sử dụng cấu trúc gia nhiệt kháng đa vùng để đạt được phân bố nhiệt độ đồng đều theo trục và bán kính. Điều này giúp giảm thiểu độ chênh lệch nhiệt độ, giảm ứng suất bên trong và cải thiện tính toàn vẹn cấu trúc tinh thể trong quá trình phát triển.
Điều khiển nhiệt độ và áp suất chính xác
-
Nhiệt độ hoạt động tối đa lên đến 2500°C
-
Độ chính xác điều khiển nhiệt độ: ±1°C
-
Dải điều chỉnh áp suất rộng: 1–700 mbar
Các thông số này cung cấp một môi trường nhiệt động lực học ổn định, cần thiết cho quá trình bay hơi có kiểm soát, vận chuyển hơi và tái tinh thể hóa tinh thể trong quá trình tăng trưởng SiC.
Khả năng nuôi cấy tinh thể có đường kính lớn
Với đường kính chảo nấu 900 mm, hệ thống hỗ trợ quá trình sản xuất các thỏi SiC thế hệ mới có kích thước 8 inch và 12 inch, giúp các nhà sản xuất mở rộng quy mô sản xuất đồng thời nâng cao hiệu suất và độ đồng nhất của wafer.
Môi trường tăng trưởng chân không cao
Lò nung duy trì buồng tăng trưởng chân không cao, rò rỉ thấp, đảm bảo giảm thiểu rủi ro ô nhiễm, nâng cao độ tinh khiết của tinh thể và hoạt động ổn định trong thời gian dài.
Ứng dụng công nghiệp
-
Vật liệu nền cho linh kiện bán dẫn công suất
-
Mô-đun nguồn cho xe điện
-
Thiết bị MOSFET và điốt điện áp cao
-
Hệ thống chuyển đổi năng lượng tái tạo
-
Các linh kiện điện tử tần số cao và tần số vô tuyến (RF)
-
Điện tử công nghiệp
Thông số kỹ thuật
| Số. | Thông số kỹ thuật | Chi tiết |
|---|---|---|
| 1 | Mô hình | PVT-RS-40 |
| 2 | Kích thước lò (Dài × Rộng × Cao) | 2500 × 2400 × 3456 mm |
| 3 | Đường kính lò nung | 900 mm |
| 4 | Áp suất chân không tối đa | 6 × 10⁻⁴ Pa (sau 1,5 giờ chân không) |
| 5 | Tỷ lệ rò rỉ | ≤5 Pa / 12 giờ (quá trình sấy khô) |
| 6 | Đường kính trục quay | 50 mm |
| 7 | Tốc độ quay | 0,5–5 vòng/phút |
| 8 | Phương pháp sưởi ấm | Sưởi ấm bằng điện trở |
| 9 | Nhiệt độ tối đa của lò | 2500°C |
| 10 | Công suất sưởi ấm | 40 kW × 2 + 20 kW |
| 11 | Đo nhiệt độ | Pyrometer hồng ngoại hai màu |
| 12 | Phạm vi nhiệt độ | 900–3000°C |
| 13 | Độ chính xác nhiệt độ | ±1°C |
| 14 | Dải áp suất | 1–700 mbar |
| 15 | Độ chính xác điều khiển áp suất | ±0.5% toàn thang đo |
| 16 | Loại hoạt động | Tải từ phía dưới, chế độ an toàn thủ công hoặc tự động |
| 17 | Các tùy chọn cấu hình | Hệ thống sưởi ấm đa vùng, giám sát nhiệt độ kép |
Hiệu suất phát triển tinh thể
Hệ thống cho phép sản xuất các tinh thể SiC đơn tinh thể chất lượng cao với:
-
Mật độ khuyết tật thấp
-
Độ đồng nhất cấu trúc cao
-
Tính chất điện ổn định
-
Hiệu suất nhiệt và cơ học xuất sắc
Những đặc tính này là yếu tố quan trọng đối với các tấm wafer chất lượng bán dẫn được sử dụng trong sản xuất các thiết bị có công suất cao, điện áp cao và tần số cao.
Dịch vụ Kỹ thuật ZMSH
Cấu hình hệ thống tùy chỉnh
Cấu trúc lò, vùng gia nhiệt, hệ thống điều khiển và kích thước buồng có thể được tùy chỉnh theo quy mô sản xuất và yêu cầu về kích thước wafer.
Lắp đặt và vận hành thử
Việc lắp đặt hệ thống tại chỗ, hiệu chuẩn và kiểm tra vận hành được thực hiện bởi các đội ngũ kỹ sư chuyên nghiệp.
Đào tạo kỹ thuật
Các chương trình đào tạo nhân viên vận hành bao gồm vận hành thiết bị, điều khiển quy trình, bảo trì và chẩn đoán sự cố.
Hỗ trợ dài hạn
Hỗ trợ kỹ thuật trong suốt vòng đời sản phẩm, dịch vụ bảo trì và cung cấp linh kiện thay thế đảm bảo hoạt động ổn định lâu dài.
Câu hỏi thường gặp
Câu 1: Lò này sử dụng phương pháp tăng trưởng tinh thể nào?
A: Lò nung hoạt động dựa trên phương pháp Vận chuyển Hơi Vật lý (PVT), cho phép quá trình bay hơi và tái kết tinh có kiểm soát của silicon carbide ở nhiệt độ cao, làm cho nó phù hợp cho việc nuôi cấy tinh thể đơn chất lượng cao.
Câu 2: Lò nung có thể hỗ trợ các kích thước wafer nào?
Hệ thống được thiết kế để nuôi cấy tinh thể đơn silicon carbide có kích thước 6 inch, 8 inch và 12 inch, đáp ứng các yêu cầu sản xuất wafer hiện tại và thế hệ tiếp theo.
Câu 3: Lò nung có phù hợp cho sản xuất quy mô công nghiệp không?
A: Đúng. Hệ thống được thiết kế để hoạt động liên tục trong môi trường công nghiệp, cung cấp độ ổn định nhiệt cao, tính lặp lại của quá trình và độ tin cậy lâu dài cho các dây chuyền sản xuất tinh thể SiC quy mô lớn.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.