Метка: SiC single crystal growth furnace
Показаны все результаты (2)
-
Печь для выращивания кристаллов
Печь для выращивания монокристаллов SiC диаметром 6 и 8 дюймов с использованием методов PVT, Lely и TSSG
-
Печь для выращивания кристаллов
Печь для выращивания монокристаллов SiC с резистивным нагревом для производства 6-, 8- и 12-дюймовых пластин (метод PVT)


