6-8 inch silicium & SiC wafer Quad-Polijsten Automation Line met reiniging en re-montage loop

De 6-8 Inch Silicon & SiC Wafer Quad-Polishing Automation Line met Cleaning and Re-Mounting Loop is een volledig geïntegreerd post-polishing procesplatform ontworpen om hoog-volume productie van silicium en siliciumcarbide wafers te ondersteunen.

Productoverzicht

De 6-8 Inch Silicon & SiC Wafer Quad-Polishing Automation Line met Cleaning and Re-Mounting Loop is een volledig geïntegreerd post-polishing procesplatform ontworpen om hoog-volume productie van silicium en siliciumcarbide wafers te ondersteunen.

Het systeem verbindt het polijsten met vier koppen, het automatisch afmonteren van wafers, het hanteren van keramische dragers, het reinigen van dragers en het opnieuw afmonteren van precisiewafers in een continue stroom met gesloten lus, waardoor handmatige bewerking overbodig wordt en een maximale processtabiliteit, herhaalbaarheid en opbrengst wordt gegarandeerd.

Het is geoptimaliseerd voor wafers van vermogenshalfgeleiders, SiC-substraten en geavanceerde verpakkingstoepassingen waar vlakheid, oppervlakte-integriteit en controle op vervuiling kritisch zijn.

Gesloten-lus procesconcept

In tegenstelling tot traditionele semi-handmatige polijstlijnen, werkt dit systeem als een echte carriercyclus met gesloten lus:

Polijsten → Demontage → Drager reinigen → Opnieuw monteren → Polijsten

Keramische dragers circuleren automatisch in het systeem, terwijl wafers nauwkeurig verwijderd en opnieuw gemonteerd worden onder streng gecontroleerde omstandigheden.
Deze architectuur zorgt ervoor dat elke polijstcyclus begint met:

  • Een schoon draagoppervlak

  • Een nauwkeurig gepositioneerde wafer

  • Een stabiele en herhaalbare montage-interface

Het resultaat is minder waferbreuk, verbeterde dikte-uniformiteit en een hogere consistentie tussen batches.

Proceskritisch technisch ontwerp

Behandeling van wafers met weinig stress

Er worden speciale bewegingsprofielen en demontagetrajecten gebruikt om de versnelling, contactkracht en scheidingshoek te verminderen:

  • Randafbrokkeling

  • Microscheurtjes

  • Spanningsgeïnduceerde vervorming van de wafer

Dit is vooral belangrijk voor SiC-wafers, die hard en bros zijn en zeer gevoelig voor mechanische schokken.

Revisie van ultrazuivere dragers

Voor elke hermontagecyclus worden keramische dragers hersteld tot een procesklare oppervlaktetoestand door slurrieresten, fijne deeltjes en chemische films te verwijderen.
Dit voorkomt:

  • Door deeltjes veroorzaakte krassen

  • Plaatselijke niet-uniformiteit bij het polijsten

  • Willekeurige oppervlaktedefecten

die grote rendementsverliezers zijn bij het polijsten met CMP en quad.

Nauwkeurig opnieuw monteren voor gelijkmatig polijsten

De montage-eenheid bestuurt:

  • Montagedruk

  • Wafer uitlijnen

  • Vlakheid over de hele drager

Dit garandeert dat alle wafers een uniforme polijstdruk ervaren tijdens de volgende vierpolijstcyclus, wat leidt tot:

  • Verbeterde TTV (Totale Diktevariatie)

  • Betere oppervlakteruwheid

  • Hogere bruikbare waferopbrengst

Flexibiliteit in productie

Het systeem ondersteunt meerdere wafer- en dragerconfiguraties, zodat fabrieken de lijn kunnen afstemmen op:

  • Maximale doorvoer

  • Maximale vlakheidscontrole

  • Gemengde 6-inch en 8-inch productie

Dit maakt de lijn geschikt voor beide:

  • Productie van grote volumes voedingsapparaten

  • Verwerking van hoogwaardige SiC-substraten

Typische toepassingen

  • Si en SiC vermogenshalfgeleiderwafers (MOSFET's, IGBT's, diodes)

  • SiC-substraten en epitaxiale wafers

  • Geavanceerde verpakkingswafers

  • Zeer nauwkeurig gepolijste silicium wafers

FAQ - Aanvullende technische vragen

V1: Hoe minimaliseert het systeem waferbreuk bij brosse SiC-wafers?
De lijn maakt gebruik van spanningsarme ontmantelalgoritmen en gecontroleerde bewegingsprofielen, waarbij de versnelling, scheidingshoek en contactkracht zorgvuldig worden beheerd. Dit voorkomt randafbrokkeling, microscheurtjes en door stress veroorzaakte vervorming van de wafer, wat veel voorkomende problemen zijn bij SiC-substraten.

V2: Kan de reinigings- en hermontagelus overweg met meerdere dragerspecificaties?
Ja. De dragerbuffer en reinigingsmodules ondersteunen meerdere keramische dragerdiameters (bijvoorbeeld 485 mm en 576 mm) en wafertellingen per drager. Hierdoor is productie van 6-inch en 8-inch wafers van verschillende formaten mogelijk zonder onderbreking van de productielijn.

V3: Hoe zorgt het systeem voor herhaalbare polijstkwaliteit in verschillende batches?
Door een combinatie van ultrazuivere drageroppervlakken, nauwkeurige waferuitlijning en vlakheidscontrole wordt elke wafer onder identieke omstandigheden gemonteerd. Dit garandeert een consistente polijstdruk, uniforme materiaalverwijdering en minimale TTV, wat resulteert in een stabiele opbrengst en oppervlaktekwaliteit voor alle productiebatches.

Beoordelingen

Er zijn nog geen beoordelingen.

Wees de eerste om “6–8 Inch Silicon & SiC Wafer Quad-Polishing Automation Line with Cleaning and Re-Mounting Loop” te beoordelen

Uw e-mailadres wordt niet gepubliceerd. Vereiste velden zijn gemarkeerd met *