{"id":2196,"date":"2026-04-14T06:34:45","date_gmt":"2026-04-14T06:34:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2196"},"modified":"2026-04-14T06:34:48","modified_gmt":"2026-04-14T06:34:48","slug":"2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/product\/2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"2-tums 6H-N kiselkarbidskiva"},"content":{"rendered":"

\"2-tumsDen 2-tums 6H-N kiselkarbidskivan \u00e4r ett enkristallint substrat som \u00e4r konstruerat f\u00f6r b\u00e5de forskning och applikationer p\u00e5 enhetsniv\u00e5. 6H-polytypen har en hexagonal kristallstruktur som ger stabil elektrisk ledningsf\u00f6rm\u00e5ga och god termisk prestanda under kr\u00e4vande f\u00f6rh\u00e5llanden.<\/p>\n

Med ett bandgap p\u00e5 cirka 3,02 eV m\u00f6jligg\u00f6r 6H-SiC drift i milj\u00f6er d\u00e4r traditionella kiselmaterial inte fungerar, s\u00e4rskilt under h\u00f6gsp\u00e4nnings-, h\u00f6gtemperatur- och h\u00f6gfrekvensf\u00f6rh\u00e5llanden. Detta g\u00f6r det l\u00e4mpligt f\u00f6r prototyptillverkning av enheter i ett tidigt skede, materialtestning och specialiserad tillverkning av elektroniska komponenter.<\/p>\n

ZMSH SiC-wafers tillverkas med hj\u00e4lp av kontrollerade kristalltillv\u00e4xttekniker f\u00f6r att s\u00e4kerst\u00e4lla konsekvent resistivitet, l\u00e5g defektdensitet och h\u00f6g ytkvalitet. Dessa parametrar \u00e4r avg\u00f6rande f\u00f6r att s\u00e4kerst\u00e4lla reproducerbara experimentella resultat och stabila enhetsprestanda.<\/p>\n

Viktiga funktioner<\/h2>\n

Ledande struktur av N-typ<\/h3>\n

Skivan \u00e4r dopad som N-typ, vilket ger stabila elektronledningsv\u00e4gar som \u00e4r l\u00e4mpliga f\u00f6r tillverkning av halvledaranordningar och elektriska karakteriseringsexperiment.<\/p>\n

Halvledarmaterial med brett bandgap<\/h3>\n

Med ett bandgap p\u00e5 ~3,02 eV st\u00f6der SiC betydligt h\u00f6gre elektrisk f\u00e4ltstyrka j\u00e4mf\u00f6rt med kisel, vilket m\u00f6jligg\u00f6r h\u00f6gsp\u00e4nningsdrift och f\u00f6rb\u00e4ttrad enhetseffektivitet.<\/p>\n

H\u00f6g v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga<\/h3>\n

SiC har utm\u00e4rkt v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga, vilket m\u00f6jligg\u00f6r effektiv v\u00e4rmeavledning fr\u00e5n aktiva komponentomr\u00e5den. Detta f\u00f6rb\u00e4ttrar enhetens tillf\u00f6rlitlighet och f\u00f6rl\u00e4nger drifttiden i h\u00f6geffektsapplikationer.<\/p>\n

H\u00f6g mekanisk h\u00e5llfasthet<\/h3>\n

Med en Mohs-h\u00e5rdhet p\u00e5 cirka 9,2 erbjuder SiC-wafers ett starkt motst\u00e5nd mot mekaniska skador, ytslitage och bearbetningssp\u00e4nningar under tillverkningen.<\/p>\n

Elektriskt f\u00e4lt med h\u00f6g nedbrytning<\/h3>\n

Den h\u00f6ga f\u00e4ltstyrkan vid genombrott m\u00f6jligg\u00f6r kompakta komponentstrukturer med bibeh\u00e5llen h\u00f6g sp\u00e4nningstolerans, vilket g\u00f6r SiC idealiskt f\u00f6r avancerad kraftelektronik.<\/p>\n

Tekniska specifikationer<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parameter<\/th>\nSpecifikation<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Material<\/td>\nEnkristallin kiselkarbid<\/td>\n<\/tr>\n
Varum\u00e4rke<\/td>\nZMSH<\/td>\n<\/tr>\n
Polytyp<\/td>\n6H-N<\/td>\n<\/tr>\n
Diameter<\/td>\n2 tum (50,8 mm)<\/td>\n<\/tr>\n
Tjocklek<\/td>\n350 \u03bcm \/ 650 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Typ av konduktivitet<\/td>\nN-typ<\/td>\n<\/tr>\n
Ytfinish<\/td>\nCMP Polerad Si-yta<\/td>\n<\/tr>\n
Behandling av C-ansikte<\/td>\nMekanisk polerad<\/td>\n<\/tr>\n
Ytj\u00e4mnhet<\/td>\nRa < 0,2 nm (Si-yta)<\/td>\n<\/tr>\n
Resistivitet<\/td>\n0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n
F\u00e4rg<\/td>\nTransparent \/ Ljusgr\u00f6n<\/td>\n<\/tr>\n
F\u00f6rpackning<\/td>\nBeh\u00e5llare f\u00f6r enstaka skivor<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Materialegenskaper f\u00f6r 6H-SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Fastighet<\/th>\nV\u00e4rde<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Parametrar f\u00f6r gitter<\/td>\na = 3,073 \u00c5, c = 15,117 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
Mohs h\u00e5rdhet<\/td>\n\u2248 9.2<\/td>\n<\/tr>\n
T\u00e4thet<\/td>\n3,21 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
Termisk expansionskoefficient<\/td>\n4-5 \u00d710-\u2076 \/K<\/td>\n<\/tr>\n
Brytningsindex (750 nm)<\/td>\nn\u2080 = 2,60, n\u2091 = 2,65<\/td>\n<\/tr>\n
Dielektrisk konstant<\/td>\n\u2248 9.66<\/td>\n<\/tr>\n
Termisk konduktivitet<\/td>\n~3,7-3,9 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
Bandgap<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Uppdelning Elektriskt f\u00e4lt<\/td>\n3-5 \u00d710\u2076 V\/cm<\/td>\n<\/tr>\n
M\u00e4ttnad Drift Hastighet<\/td>\n2,0 \u00d710\u2075 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Dessa inneboende fysiska egenskaper g\u00f6r 6H-SiC l\u00e4mplig f\u00f6r applikationer som kr\u00e4ver stabil prestanda under extrema elektriska och termiska f\u00f6rh\u00e5llanden.<\/p>\n

\"2-tumsTillverkningsprocess<\/h2>\n

Enkristallina SiC-wafers tillverkas vanligtvis med hj\u00e4lp av PVT-metoden (Physical Vapor Transport)<\/strong>, en mogen industriell process f\u00f6r kristalltillv\u00e4xt av halvledare med brett bandgap.<\/p>\n

I denna process sublimeras SiC-k\u00e4llmaterial med h\u00f6g renhet vid temperaturer \u00f6ver 2000\u00b0C. \u00c5ngorna transporteras genom en noggrant kontrollerad termisk gradient och omkristalliseras p\u00e5 en fr\u00f6kristall, varvid ett enkristallblock (boule) bildas. Efter tillv\u00e4xt bearbetas boule till wafers genom skivning, lappning, polering och reng\u00f6ringssteg.<\/p>\n

F\u00f6r enhetsapplikationer kan wafers genomg\u00e5 ytterligare Epitaxiell tillv\u00e4xt genom kemisk f\u00f6r\u00e5ngningsdeposition (CVD)<\/strong>, vilket m\u00f6jligg\u00f6r exakt kontroll av dopningskoncentration och skikttjocklek. Detta steg \u00e4r viktigt f\u00f6r tillverkning av MOSFET och dioder.<\/p>\n

Till\u00e4mpningar<\/h2>\n

Kraftelektronik<\/h3>\n

2-tums 6H-N SiC-wafers anv\u00e4nds f\u00f6r utveckling och prototyptillverkning av krafthalvledarkomponenter, inklusive dioder, MOSFET-strukturer och kraftmoduler. Dessa enheter \u00e4r viktiga f\u00f6r energiomvandlingssystem och str\u00f6mhanteringskretsar.<\/p>\n

Elektronik f\u00f6r h\u00f6ga temperaturer<\/h3>\n

SiC-material har stabila elektriska prestanda vid f\u00f6rh\u00f6jda temperaturer, vilket g\u00f6r dem l\u00e4mpliga f\u00f6r rymdelektronik, industriella \u00f6vervakningssystem och till\u00e4mpningar inom energiinfrastruktur.<\/p>\n

Forskning och utveckling inom halvledaromr\u00e5det<\/h3>\n

P\u00e5 grund av sin tillg\u00e4nglighet och kostnadseffektivitet anv\u00e4nds 2-tums wafers ofta i universitetslaboratorier, forskningsinstitut och pilotproduktionsmilj\u00f6er f\u00f6r materialstudier och enhetsexperiment.<\/p>\n

Optoelektroniska och speciella till\u00e4mpningar<\/h3>\n

SiC uppvisar ocks\u00e5 optisk transparens i vissa v\u00e5gl\u00e4ngdsomr\u00e5den, vilket g\u00f6r att det kan anv\u00e4ndas i specialiserade fotoniska och optoelektroniska forskningsapplikationer.<\/p>\n

F\u00f6rdelar\"2-tums<\/h2>\n

Plattformen med 2-tums SiC-wafers ger flera f\u00f6rdelar f\u00f6r forskning och utveckling:<\/p>\n

    \n
  • L\u00e4gre kostnad j\u00e4mf\u00f6rt med st\u00f6rre waferstorlekar<\/li>\n
  • Enklare hantering f\u00f6r experiment i laboratorieskala<\/li>\n
  • L\u00e4mplig f\u00f6r snabb prototyptillverkning och processtestning<\/li>\n
  • Stabil kristallkvalitet f\u00f6r reproducerbara resultat<\/li>\n
  • Flexibla anpassningsm\u00f6jligheter f\u00f6r forskningsbehov<\/li>\n<\/ul>\n

    VANLIGA FR\u00c5GOR<\/h2>\n

    F1: Vad \u00e4r skillnaden mellan 6H-SiC och 4H-SiC?<\/h3>\n

    6H-SiC och 4H-SiC \u00e4r olika kristallpolytyper. 4H-SiC ger i allm\u00e4nhet h\u00f6gre elektronr\u00f6rlighet och anv\u00e4nds ofta i kommersiella kraftaggregat, medan 6H-SiC ger ett stabilt elektriskt beteende och ofta anv\u00e4nds inom forskning och specifika elektroniska applikationer.<\/p>\n

    F2: Vilken ytbehandling till\u00e4mpas p\u00e5 wafern?<\/h3>\n

    Si-ytan poleras med kemisk mekanisk polering (CMP) f\u00f6r att uppn\u00e5 en extremt sl\u00e4t ytkvalitet (Ra < 0,2 nm). C-sidan \u00e4r mekaniskt polerad f\u00f6r att klara olika bearbetningskrav.<\/p>\n

    F3: Kan wafer-specifikationer anpassas?<\/h3>\n

    Ja, det kan vi. ZMSH erbjuder anpassningsalternativ inklusive tjocklek, dopningskoncentration, resistivitetsomr\u00e5de och ytbehandling enligt kundens krav.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    ZMSH tillhandah\u00e5ller h\u00f6gkvalitativa 2-tums 6H-N kiselkarbidskivor (SiC) avsedda f\u00f6r halvledarforskning, utveckling av kraftelektronik och tillverkning av h\u00f6gpresterande elektroniska enheter. Kiselkarbid \u00e4r ett halvledarmaterial med brett bandgap som erbjuder \u00f6verl\u00e4gsna elektriska, termiska och mekaniska egenskaper j\u00e4mf\u00f6rt med konventionella kiselsubstrat (Si).<\/p>","protected":false},"featured_media":2197,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[966,970,971,967,969,931,972,968,951,950,927,692,973],"class_list":{"0":"post-2196","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-2-inch-sic-wafer","8":"product_tag-350m-sic-wafer","9":"product_tag-650m-sic-wafer","10":"product_tag-6h-n-sic-substrate","11":"product_tag-cmp-polished-sic-wafer","12":"product_tag-n-type-sic-wafer","13":"product_tag-power-electronics-substrate","14":"product_tag-sic-single-crystal-wafer","15":"product_tag-sic-wafer-manufacturer","16":"product_tag-sic-wafer-supplier","17":"product_tag-silicon-carbide-wafer","18":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","19":"product_tag-zmsh-sic-wafer","20":"desktop-align-left","21":"tablet-align-left","22":"mobile-align-left","23":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","24":"ast-product-tabs-layout-horizontal","26":"first","27":"instock","28":"shipping-taxable","29":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2196","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2196"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2196\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2202,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2196\/revisions\/2202"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2197"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2196"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2196"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2196"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2196"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}