![\"4H-N](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd2-300x300.webp\")
<\/p>\nDen 6-tums 4H-N kiselkarbidskivan \u00e4r ett halvledarsubstrat med brett bandgap som \u00e4r avsett f\u00f6r n\u00e4sta generations kraftelektroniska enheter. J\u00e4mf\u00f6rt med traditionella kiselmaterial erbjuder SiC betydligt h\u00f6gre elektrisk f\u00e4ltstyrka, \u00f6verl\u00e4gsen v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga och stabil prestanda under h\u00f6ga temperaturer och h\u00f6gsp\u00e4nningsf\u00f6rh\u00e5llanden.<\/p>\n
Det breda bandgapet p\u00e5 cirka 3,26 eV g\u00f6r att SiC-baserade enheter kan arbeta vid h\u00f6gre sp\u00e4nningar och switchfrekvenser samtidigt som energif\u00f6rlusterna blir l\u00e4gre. Som ett resultat av detta har SiC blivit ett viktigt material f\u00f6r h\u00f6geffektiva kraftomvandlingssystem, inklusive elfordon, system f\u00f6r f\u00f6rnybar energi och industriell str\u00f6mf\u00f6rs\u00f6rjning.<\/p>\n
Waferformatet p\u00e5 6 tum (150 mm-klassen) \u00e4r f\u00f6r n\u00e4rvarande den vanligaste industristandarden f\u00f6r tillverkning av SiC-enheter. Det ger en optimal balans mellan produktionsutbyte, processmognad och kostnadseffektivitet, vilket g\u00f6r det l\u00e4mpligt f\u00f6r b\u00e5de massproduktion och avancerade forskningsapplikationer.<\/p>\n
4H-SiC \u00e4r den mest anv\u00e4nda polytypen inom kraftelektronik p\u00e5 grund av dess gynnsamma kristallsymmetri och elektriska prestanda.<\/p>\n
Viktiga inneboende egenskaper inkluderar:<\/p>\n
Dessa egenskaper g\u00f6r SiC till ett kritiskt material f\u00f6r h\u00f6geffektiva halvledarkomponenter med h\u00f6g effekt.<\/p>\n
![\"6-tums](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd4-300x300.webp\")
Kristalltillv\u00e4xt och tillverkningsprocess<\/h2>\nSiC-wafers tillverkas vanligen med PVT-metoden (Physical Vapor Transport), en mogen industriell process f\u00f6r kristalltillv\u00e4xt av SiC i bulk.<\/p>\n
I denna process sublimeras SiC-pulver med h\u00f6g renhet vid temperaturer \u00f6ver 2000\u00b0C. \u00c5ngfas\u00e4mnena transporteras under noggrant kontrollerade termiska gradienter och omkristalliseras p\u00e5 en fr\u00f6kristall, varvid en enkristalliserad boule bildas.<\/p>\n
Efter kristalltillv\u00e4xt genomg\u00e5r materialet:<\/p>\n
F\u00f6r tillverkning av komponenter kan ytterligare en CVD-epitaxialprocess (Chemical Vapor Deposition) till\u00e4mpas f\u00f6r att bilda epitaxiala skikt av h\u00f6g kvalitet med kontrollerad dopningskoncentration och tjocklek.<\/p>\n
| Fastighet<\/th>\n | Z-klass (produktionsklass)<\/th>\n | D-klass (ingenj\u00f6rsklass)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| Diameter<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Polytyp<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n |
| Tjocklek<\/td>\n | 350 \u00b1 15 \u00b5m<\/td>\n | 350 \u00b1 25 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Typ av konduktivitet<\/td>\n | N-typ<\/td>\n | N-typ<\/td>\n<\/tr>\n |
| Vinkel utanf\u00f6r axeln<\/td>\n | 4,0\u00b0 mot \u00b1 0,5\u00b0<\/td>\n | 4,0\u00b0 mot \u00b1 0,5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Resistivitet<\/td>\n | 0,015 - 0,024 \u03a9-cm<\/td>\n | 0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Mikror\u00f6rets t\u00e4thet<\/td>\n | \u2264 0,2 cm-\u00b2<\/td>\n | \u2264 15 cm-\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Ytj\u00e4mnhet (Ra)<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| CMP Grovhet<\/td>\n | \u2264 0,2 nm<\/td>\n | \u2264 0,5 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| LTV<\/td>\n | \u2264 2,5 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 5 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| TTV<\/td>\n | \u2264 6 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 15 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| B\u00e5ge<\/td>\n | \u2264 25 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 40 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Varp<\/td>\n | \u2264 35 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 60 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Uteslutning av kanter<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| F\u00f6rpackning<\/td>\n | Kassett \/ Enskild wafer<\/td>\n | Kassett \/ Enskild wafer<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
|
![\"6-tums](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd1-300x300.webp\")
Kvalitetskontroll & inspektion<\/h2>\n