{"id":2183,"date":"2026-04-14T05:20:25","date_gmt":"2026-04-14T05:20:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2183"},"modified":"2026-04-14T05:20:28","modified_gmt":"2026-04-14T05:20:28","slug":"8-inch-sic-epitaxial-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/product\/8-inch-sic-epitaxial-wafer\/","title":{"rendered":"8 tum 200 mm SiC Epitaxial Wafer"},"content":{"rendered":"

\"8Den epitaxiella 8-tums SiC-wafern representerar den senaste utvecklingen inom halvledarteknik med brett bandgap. Produkten \u00e4r byggd p\u00e5 ett 200 mm SiC-substrat med ett h\u00f6gkvalitativt epitaxiellt skikt och \u00e4r utformad f\u00f6r att st\u00f6dja skalbar, h\u00f6geffektiv tillverkning av kraftenheter.<\/p>\n

J\u00e4mf\u00f6rt med mindre skivstorlekar \u00f6kar 8-tums SiC-skivor avsev\u00e4rt den anv\u00e4ndbara ytan, vilket m\u00f6jligg\u00f6r h\u00f6gre enhetsproduktion per skiva och minskar kostnaden per chip. Detta g\u00f6r dem till en kritisk l\u00f6sning f\u00f6r industrier som \u00f6verg\u00e5r till storskalig produktion av kiselkarbidbaserade kraftkomponenter.<\/p>\n

Epitaxiala SiC-wafers kombinerar de inneboende f\u00f6rdelarna med kiselkarbid, inklusive brett bandgap, h\u00f6gt elektriskt f\u00e4lt vid nedbrytning och utm\u00e4rkt v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5ga, med exakt kontrollerade epitaxiala lager som \u00e4r skr\u00e4ddarsydda f\u00f6r tillverkning av komponenter. Dessa wafers anv\u00e4nds ofta i n\u00e4sta generations MOSFETs, Schottky-dioder och integrerade kraftmoduler.<\/p>\n

\n

Viktiga specifikationer<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Parameter<\/th>\nV\u00e4rde<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Diameter<\/td>\n200 \u00b1 0,5 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Polytyp<\/td>\n4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n
Typ av konduktivitet<\/td>\nN-typ<\/td>\n<\/tr>\n
Tjocklek<\/td>\n700 \u00b1 50 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Ytfinish<\/td>\nDubbelsidig CMP-polerad<\/td>\n<\/tr>\n
Orientering<\/td>\n4,0\u00b0 utanf\u00f6r axeln \u00b10,5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Notch<\/td>\nStandard orientering av sk\u00e5ran<\/td>\n<\/tr>\n
Kantprofil<\/td>\nAvfasning \/ Rundad kant<\/td>\n<\/tr>\n
Ytj\u00e4mnhet<\/td>\nSub-nanometerniv\u00e5<\/td>\n<\/tr>\n
F\u00f6rpackning<\/td>\nKassett eller beh\u00e5llare f\u00f6r enstaka wafer<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Typisk resistivitet:<\/p>\n

    \n
  • N-typ: 0,015-0,028 \u03a9-cm<\/li>\n
  • Halvisolerande: \u22651E7 \u03a9-cm<\/li>\n<\/ul>\n

    Tillg\u00e4ngliga \u00e5rskurser:<\/p>\n

      \n
    • Noll MPD-grad<\/li>\n
    • Produktionsgrad<\/li>\n
    • Forskningsgrad<\/li>\n
    • Dummy-grad<\/li>\n<\/ul>\n

      \"8Kapacitet f\u00f6r epitaxiala skikt<\/h2>\n

      Det epitaxiala skiktet odlas med hj\u00e4lp av avancerad CVD-teknik (chemical vapor deposition), vilket m\u00f6jligg\u00f6r exakt kontroll av tjocklek, dopningskoncentration och j\u00e4mnhet.<\/p>\n

      Tillg\u00e4ngliga anpassningar inkluderar:<\/p>\n

        \n
      • Epitaxiala skikt av N-typ eller P-typ<\/li>\n
      • Justerbar epi-tjocklek f\u00f6r olika enhetsstrukturer<\/li>\n
      • Enhetliga dopningsprofiler \u00f6ver hela wafern<\/li>\n
      • L\u00e5g defektdensitet f\u00f6r h\u00f6gt utbyte av enheter<\/li>\n<\/ul>\n

        H\u00f6gkvalitativ epitaxi \u00e4r avg\u00f6rande f\u00f6r att uppn\u00e5 stabil elektrisk prestanda och l\u00e5ngsiktig tillf\u00f6rlitlighet i kraftelektronik.<\/p>\n

        \"8Tillverkningsprocess<\/h2>\n

        F\u00f6rberedelse av substrat<\/strong>
        Monokristallina SiC-substrat med h\u00f6g renhet tillverkas med hj\u00e4lp av h\u00f6gtemperaturtillv\u00e4xtmetoder och poleras f\u00f6r att uppn\u00e5 extremt l\u00e5g ytj\u00e4mnhet.<\/p>\n

        Epitaxiell tillv\u00e4xt<\/strong>
        Det epitaxiala skiktet deponeras vid h\u00f6g temperatur med hj\u00e4lp av CVD-system, vilket s\u00e4kerst\u00e4ller j\u00e4mn tjocklek och konsekventa materialegenskaper \u00f6ver hela den 200 mm stora skivan.<\/p>\n

        Dopningskontroll<\/strong>
        Exakt dopning appliceras under epitaxial tillv\u00e4xt f\u00f6r att uppfylla kraven f\u00f6r olika enhetsarkitekturer.<\/p>\n

        Metrologi och inspektion<\/strong>
        Varje wafer genomg\u00e5r omfattande tester, inklusive ytanalys, defektkartl\u00e4ggning och elektrisk karakterisering f\u00f6r att s\u00e4kerst\u00e4lla j\u00e4mn kvalitet.<\/p>\n

        F\u00f6rdelar<\/h2>\n

        Skalbar tillverkning<\/strong>
        Waferstorleken p\u00e5 8 tum \u00f6kar avsev\u00e4rt antalet chip per wafer, vilket f\u00f6rb\u00e4ttrar produktionseffektiviteten och s\u00e4nker kostnaden per enhet.<\/p>\n

        H\u00f6g effektivitet och prestanda<\/strong>
        SiC-materialets egenskaper m\u00f6jligg\u00f6r l\u00e4gre switchf\u00f6rluster, h\u00f6gre effektt\u00e4thet och f\u00f6rb\u00e4ttrad energieffektivitet.<\/p>\n

        Utm\u00e4rkt v\u00e4rmehantering<\/strong>
        Den h\u00f6ga v\u00e4rmeledningsf\u00f6rm\u00e5gan ger stabil drift vid h\u00f6ga effekter och minskar kylbehovet.<\/p>\n

        L\u00e5g defektt\u00e4thet<\/strong>
        Avancerade kristalltillv\u00e4xt- och epitaxiprocesser s\u00e4kerst\u00e4ller h\u00f6g avkastning och tillf\u00f6rlitlig enhetsprestanda.<\/p>\n

        Framtidsinriktad plattform<\/strong>
        8-tums SiC-wafers ligger i linje med halvledarindustrins trend mot st\u00f6rre waferformat och automatiserad massproduktion.<\/p>\n

        \"\"<\/p>\n

        Till\u00e4mpningar<\/h2>\n

        Elektriska fordon<\/strong>
        Anv\u00e4nds i traktionsomvandlare, ombordladdare och DC-DC-omvandlare. St\u00f6rre waferstorlek m\u00f6jligg\u00f6r massproduktion av h\u00f6geffektiva kraftaggregat f\u00f6r EV-plattformar.<\/p>\n

        System f\u00f6r f\u00f6rnybar energi<\/strong>
        Anv\u00e4nds i v\u00e4xelriktare f\u00f6r solenergi och vindkraft, d\u00e4r effektivitet och tillf\u00f6rlitlighet \u00e4r avg\u00f6rande f\u00f6r l\u00e5ngsiktig drift.<\/p>\n

        Industriell kraftelektronik<\/strong>
        St\u00f6djer motorstyrningar, automationssystem och h\u00f6geffektsutrustning som kr\u00e4ver stabil och effektiv energiomvandling.<\/p>\n

        5G och RF-infrastruktur<\/strong>
        M\u00f6jligg\u00f6r h\u00f6gfrekventa och h\u00f6geffekts RF-komponenter som anv\u00e4nds i kommunikationssystem och basstationer.<\/p>\n

        Effektelektronik f\u00f6r konsumenter<\/strong>
        Anv\u00e4nds i kompakta, h\u00f6geffektiva n\u00e4taggregat och snabbladdningssystem.<\/p>\n

        VANLIGA FR\u00c5GOR<\/h2>\n

        F1: Vad \u00e4r den st\u00f6rsta f\u00f6rdelen med 8-tums SiC-wafers?
        Den st\u00f6rre skivstorleken \u00f6kar antalet chip per skiva, vilket avsev\u00e4rt minskar tillverkningskostnaden per enhet och f\u00f6rb\u00e4ttrar produktionseffektiviteten.<\/p>\n

        F2: \u00c4r 8 tums SiC-teknik mogen?
        Den h\u00e5ller f\u00f6r n\u00e4rvarande p\u00e5 att \u00f6verg\u00e5 fr\u00e5n pilotproduktion till massproduktion i ett tidigt skede, med \u00f6kande anv\u00e4ndning inom avancerad halvledartillverkning.<\/p>\n

        F3: Kan epitaxiala lager anpassas?
        Ja, dopningstyp, tjocklek och elektriska egenskaper kan skr\u00e4ddarsys f\u00f6r att uppfylla specifika krav.<\/p>\n

        Q4: \u00c4r befintliga produktionslinjer kompatibla med 8 tums wafers?
        Vissa uppgraderingar av utrustningen kan komma att kr\u00e4vas, men m\u00e5nga moderna fabriker f\u00f6rbereder sig redan f\u00f6r 200 mm SiC-bearbetning.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

        Den epitaxiella 8-tums SiC-wafern representerar den senaste utvecklingen inom halvledarteknik med brett bandgap. Produkten \u00e4r byggd p\u00e5 ett 200 mm SiC-substrat med ett h\u00f6gkvalitativt epitaxiellt skikt och \u00e4r utformad f\u00f6r att st\u00f6dja skalbar, h\u00f6geffektiv tillverkning av kraftenheter.<\/p>","protected":false},"featured_media":2184,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}}},"product_brand":[],"product_cat":[729],"product_tag":[944,735,947,945,943,933,946,948,692],"class_list":{"0":"post-2183","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-wafer","7":"product_tag-200mm-silicon-carbide-wafer","8":"product_tag-8-inch-sic-wafer","9":"product_tag-high-efficiency-power-electronics","10":"product_tag-sic-epi-wafer","11":"product_tag-sic-epitaxial-wafer","12":"product_tag-sic-mosfet-wafer","13":"product_tag-sic-power-device-substrate","14":"product_tag-silicon-carbide-epitaxy","15":"product_tag-wide-bandgap-semiconductor","16":"desktop-align-left","17":"tablet-align-left","18":"mobile-align-left","19":"ast-product-gallery-layout-horizontal-slider","20":"ast-product-tabs-layout-horizontal","22":"first","23":"instock","24":"shipping-taxable","25":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2183","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2183"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2183\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2188,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2183\/revisions\/2188"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2184"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2183"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=2183"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2183"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/sv\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2183"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}