![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262693-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x199.webp\")
<\/p>\n<\/p>\n
ZMSH SiC Single Crystal Resistance Heating Growth Furnace \u00e4r ett kristalltillv\u00e4xtsystem med h\u00f6g temperatur som \u00e4r s\u00e4rskilt konstruerat f\u00f6r produktion av enkristallina kiselkarbidskivor med stor diameter och som st\u00f6der tillverkning av 6-tums, 8-tums och 12-tums SiC-wafers<\/p>\n
<\/p>\n
uring.<\/p>\n
Ugnen \u00e4r konstruerad enligt PVT-principen (Physical Vapor Transport) f\u00f6r kristalltillv\u00e4xt och integrerar exakt styrning av motst\u00e5ndsuppv\u00e4rmning, stabil f\u00f6rdelning av termiska f\u00e4lt, hantering av h\u00f6gvakuummilj\u00f6 och noggrann tryckreglering.
Denna konfiguration m\u00f6jligg\u00f6r tillv\u00e4xt av SiC-enkelkristaller med h\u00f6g renhet och l\u00e5g defektt\u00e4thet som l\u00e4mpar sig f\u00f6r avancerade till\u00e4mpningar inom krafthalvledare och elektroniska enheter.<\/p>\n
Systemet \u00e4r utvecklat f\u00f6r att uppfylla industriella produktionskrav och s\u00e4kerst\u00e4lla processtabilitet, repeterbarhet och l\u00e5ngsiktig drifts\u00e4kerhet i storskaliga milj\u00f6er f\u00f6r tillv\u00e4xt av SiC-kristaller.<\/p>\n
\n
<\/p>\n
Ugnen har en motst\u00e5ndsuppv\u00e4rmningsstruktur med flera zoner f\u00f6r att uppn\u00e5 en j\u00e4mn axiell och radiell temperaturf\u00f6rdelning. Detta minimerar termiska gradienter, minskar inre sp\u00e4nningar och f\u00f6rb\u00e4ttrar kristallens strukturella integritet under tillv\u00e4xtprocessen.<\/p>\n
Maximal driftstemperatur upp till 2500\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Temperaturkontrollens noggrannhet: \u00b11\u00b0C<\/p>\n<\/li>\n
Brett tryckregleringsomr\u00e5de: 1-700 mbar<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Dessa parametrar ger en stabil termodynamisk milj\u00f6 som \u00e4r n\u00f6dv\u00e4ndig f\u00f6r kontrollerad sublimering, \u00e5ngtransport och omkristallisering av kristaller vid SiC-tillv\u00e4xt.<\/p>\n
Med en degeldiameter p\u00e5 900 mm st\u00f6der systemet tillv\u00e4xten av n\u00e4sta generations 8-tums och 12-tums SiC-g\u00f6t, vilket g\u00f6r det m\u00f6jligt f\u00f6r tillverkare att skala upp produktionen samtidigt som utbytet och waferkonsistensen f\u00f6rb\u00e4ttras.<\/p>\n
Ugnen uppr\u00e4tth\u00e5ller en tillv\u00e4xtkammare med l\u00e5gt l\u00e4ckage och h\u00f6gt vakuum, vilket s\u00e4kerst\u00e4ller minskad kontamineringsrisk, f\u00f6rb\u00e4ttrad kristallrenhet och stabil drift under l\u00e5ng tid.<\/p>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/01\/pl204262670-sic_single_crystal_resistance_heating_crystal_growth_furnace_for_6inch_8inch_12inch_sic_wafers_manufacture-300x300.webp\")
<\/h2>\n<\/p>\n
Substrat f\u00f6r krafthalvledare<\/p>\n<\/li>\n
Kraftmoduler f\u00f6r elfordon<\/p>\n<\/li>\n
MOSFET- och diodkomponenter f\u00f6r h\u00f6gsp\u00e4nning<\/p>\n<\/li>\n
System f\u00f6r omvandling av f\u00f6rnybar energi<\/p>\n<\/li>\n
H\u00f6gfrekventa och RF-elektroniska komponenter<\/p>\n<\/li>\n
Industriell kraftelektronik<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n
<\/p>\n
<\/p>\n
| Nej, det g\u00f6r jag inte.<\/th>\n | Specifikation<\/th>\n | Detaljer<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| 1<\/td>\n | Modell<\/td>\n | PVT-RS-40<\/td>\n<\/tr>\n |
| 2<\/td>\n | M\u00e5tt p\u00e5 ugnen (L \u00d7 B \u00d7 H)<\/td>\n | 2500 \u00d7 2400 \u00d7 3456 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 3<\/td>\n | Diameter p\u00e5 sm\u00e4ltdegel<\/td>\n | 900 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 4<\/td>\n | Ultimat vakuumtryck<\/td>\n | 6 \u00d7 10-\u2074 Pa (efter 1,5 h vakuum)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 5<\/td>\n | L\u00e4ckagehastighet<\/td>\n | \u22645 Pa \/ 12 h (utbakning)<\/td>\n<\/tr>\n |
| 6<\/td>\n | Rotationsaxelns diameter<\/td>\n | 50 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| 7<\/td>\n | Rotationshastighet<\/td>\n | 0,5-5 varv\/min<\/td>\n<\/tr>\n |
| 8<\/td>\n | Uppv\u00e4rmningsmetod<\/td>\n | Elektrisk motst\u00e5ndsv\u00e4rme<\/td>\n<\/tr>\n |
| 9<\/td>\n | Maximal temperatur i ugnen<\/td>\n | 2500\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 10<\/td>\n | Uppv\u00e4rmningseffekt<\/td>\n | 40 kW \u00d7 2 + 20 kW<\/td>\n<\/tr>\n |
| 11<\/td>\n | Temperaturm\u00e4tning<\/td>\n | Infrar\u00f6d pyrometer med dubbla f\u00e4rger<\/td>\n<\/tr>\n |
| 12<\/td>\n | Temperaturomr\u00e5de<\/td>\n | 900-3000\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 13<\/td>\n | Temperatur Noggrannhet<\/td>\n | \u00b11\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n |
| 14<\/td>\n | Tryckomr\u00e5de<\/td>\n | 1-700 mbar<\/td>\n<\/tr>\n |
| 15<\/td>\n | Noggrannhet f\u00f6r tryckreglering<\/td>\n | \u00b10,5% full skala<\/td>\n<\/tr>\n |
| 16<\/td>\n | Typ av operation<\/td>\n | Bottenmatning, manuella eller automatiska s\u00e4kerhetsl\u00e4gen<\/td>\n<\/tr>\n |
| 17<\/td>\n | Valfria konfigurationer<\/td>\n | Multizonv\u00e4rme, dubbel temperatur\u00f6vervakning<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/h2>\n |