{"id":2419,"date":"2026-04-27T02:15:07","date_gmt":"2026-04-27T02:15:07","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2419"},"modified":"2026-06-11T09:57:44","modified_gmt":"2026-06-11T09:57:44","slug":"6-inch-n-type-6h-sic-epitaxy-wafer-for-mems-uv-sensors-graphene-growth","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/6-inch-n-type-6h-sic-epitaxy-wafer-for-mems-uv-sensors-graphene-growth\/","title":{"rendered":"Pastilha de epitaxia de SiC 6H tipo N de 6 polegadas para MEMS, sensores UV e crescimento de grafeno"},"content":{"rendered":"

\"PastilhaA pastilha de epitaxia de SiC tipo N 6H de 6 polegadas \u00e9 um substrato semicondutor de elevado desempenho concebido para aplica\u00e7\u00f5es avan\u00e7adas, incluindo dispositivos MEMS, sensores ultravioleta (UV) e crescimento de grafeno epitaxial. Fabricada a partir de monocristais de carboneto de sil\u00edcio (SiC) de alta qualidade, esta pastilha combina excelentes propriedades el\u00e9ctricas, t\u00e9rmicas e mec\u00e2nicas, o que a torna a escolha ideal para ambientes exigentes em que os materiais de sil\u00edcio convencionais n\u00e3o podem ter um desempenho fi\u00e1vel.<\/p>\n

Com um di\u00e2metro padr\u00e3o de 150 mm (6 polegadas) e uma espessura controlada com precis\u00e3o de 350 \u00b5m, esta bolacha oferece uma estabilidade mec\u00e2nica superior e compatibilidade de processos com equipamento moderno de fabrico de semicondutores. O polipropileno 6H apresenta um grande intervalo de banda de aproximadamente 2,96 eV, permitindo um funcionamento eficiente em condi\u00e7\u00f5es de alta temperatura, alta radia\u00e7\u00e3o e quimicamente agressivas.<\/p>\n

Cada bolacha \u00e9 processada para obter uma superf\u00edcie pronta para epit\u00e1xis utilizando tecnologia avan\u00e7ada de polimento qu\u00edmico-mec\u00e2nico (CMP). Isto garante uma rugosidade ultra baixa da superf\u00edcie, danos m\u00ednimos na subsuperf\u00edcie e condi\u00e7\u00f5es \u00f3ptimas para processos de crescimento de camadas epitaxiais, como a Deposi\u00e7\u00e3o Qu\u00edmica de Vapor (CVD). O resultado \u00e9 um melhor desempenho do dispositivo, maior rendimento e maior fiabilidade para aplica\u00e7\u00f5es cr\u00edticas.<\/p>\n

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\"PastilhaCarater\u00edsticas principais<\/strong><\/span><\/h3>\n

Superf\u00edcie pronta para Epitaxia para crescimento de alta qualidade<\/strong>
A bolacha \u00e9 fornecida com uma superf\u00edcie polida por CMP semelhante a um espelho, atingindo uma rugosidade sub-nanom\u00e9trica. Isto assegura uma excelente compatibilidade com os processos de crescimento epitaxial, particularmente para a forma\u00e7\u00e3o de grafeno e o fabrico de dispositivos sens\u00edveis aos raios UV.<\/p>\n

Optimizado para MEMS e ambientes agressivos<\/strong>
A pastilha de epitaxia de SiC 6H tipo N de 6 polegadas demonstra uma estabilidade t\u00e9rmica excecional, mantendo o desempenho a temperaturas superiores a 500\u00b0C. A sua elevada resist\u00eancia mec\u00e2nica e in\u00e9rcia qu\u00edmica tornam-na adequada para dispositivos MEMS que funcionam em ambientes extremos, como os sistemas aeroespaciais, de energia e de monitoriza\u00e7\u00e3o industrial.<\/p>\n

Grande intervalo de banda para aplica\u00e7\u00f5es de sensores UV<\/strong>
Com um bandgap de aproximadamente 2,96 eV, esta pastilha \u00e9 naturalmente sens\u00edvel \u00e0 luz ultravioleta, mantendo-se insens\u00edvel aos comprimentos de onda vis\u00edveis. Isto torna-a ideal para sensores UV cegos \u00e0 luz solar utilizados na dete\u00e7\u00e3o de chamas, monitoriza\u00e7\u00e3o ambiental e sistemas de defesa.<\/p>\n

Desempenho el\u00e9trico est\u00e1vel<\/strong>
A dopagem com azoto assegura uma condutividade fi\u00e1vel do tipo N, permitindo carater\u00edsticas el\u00e9ctricas consistentes e a forma\u00e7\u00e3o de contactos \u00f3hmicos est\u00e1veis. Isto \u00e9 essencial para dispositivos de dete\u00e7\u00e3o de precis\u00e3o e aplica\u00e7\u00f5es optoelectr\u00f3nicas.<\/p>\n

Orienta\u00e7\u00e3o Cristalina Controlada<\/strong>
A bolacha apresenta uma orienta\u00e7\u00e3o fora do eixo de 4\u00b0 em dire\u00e7\u00e3o a (\u00b10,5\u00b0), o que promove o crescimento epitaxial por fluxo gradual e reduz os defeitos de superf\u00edcie. Isto aumenta a uniformidade e a repetibilidade durante o fabrico do dispositivo.<\/p>\n

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Aplica\u00e7\u00f5es<\/strong><\/span><\/h3>\n

Dispositivos MEMS em condi\u00e7\u00f5es extremas<\/strong>
A pastilha de epitaxia de SiC 6H tipo N de 6 polegadas \u00e9 amplamente utilizada em sensores MEMS, tais como sensores de press\u00e3o e aceler\u00f3metros concebidos para ambientes de alta temperatura e alta tens\u00e3o. Estes dispositivos s\u00e3o essenciais para a explora\u00e7\u00e3o de petr\u00f3leo e g\u00e1s, sistemas autom\u00f3veis e monitoriza\u00e7\u00e3o de turbinas aeroespaciais.<\/p>\n

Sensores de UV com prote\u00e7\u00e3o solar<\/strong>
Gra\u00e7as ao seu grande intervalo de banda, esta bolacha \u00e9 ideal para o fabrico de fotodetectores UV que podem detetar com precis\u00e3o a radia\u00e7\u00e3o ultravioleta sem interfer\u00eancia da luz vis\u00edvel. Esta capacidade \u00e9 essencial para sistemas de dete\u00e7\u00e3o de chamas e tecnologias avan\u00e7adas de dete\u00e7\u00e3o \u00f3tica.<\/p>\n

Substrato de crescimento de grafeno<\/strong>
A bolacha serve de substrato de alta qualidade para o crescimento epitaxial do grafeno. Sob condi\u00e7\u00f5es de v\u00e1cuo a alta temperatura, os \u00e1tomos de sil\u00edcio sublimam da superf\u00edcie de SiC, deixando para tr\u00e1s camadas de grafeno bem ordenadas. Este processo \u00e9 amplamente utilizado em eletr\u00f3nica avan\u00e7ada, dispositivos de alta velocidade e investiga\u00e7\u00e3o qu\u00e2ntica.<\/p>\n

Sistemas Optoelectr\u00f3nicos Avan\u00e7ados<\/strong>
A transpar\u00eancia \u00f3tica e a estabilidade do material 6H-SiC tornam-no adequado para dispositivos optoelectr\u00f3nicos especializados, incluindo fotod\u00edodos UV e componentes de alta frequ\u00eancia.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

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Especifica\u00e7\u00f5es t\u00e9cnicas<\/strong><\/span><\/h3>\n
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Im\u00f3veis<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Material<\/td>\nSiC Monocristal<\/td>\n<\/tr>\n
Di\u00e2metro<\/td>\n150 mm (6 polegadas)<\/td>\n<\/tr>\n
Espessura<\/td>\n350 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n6H<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de condutividade<\/td>\nTipo N (dopado com nitrog\u00e9nio)<\/td>\n<\/tr>\n
Orienta\u00e7\u00e3o<\/td>\n4\u00b0 na dire\u00e7\u00e3o de \u00b10,5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Acabamento da superf\u00edcie<\/td>\nSSP \/ DSP \/ CMP \/ MP<\/td>\n<\/tr>\n
Qualidade da superf\u00edcie<\/td>\nPronto para Epitaxia (polido por CMP)<\/td>\n<\/tr>\n
Bandgap<\/td>\n~2,96 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Foco na aplica\u00e7\u00e3o<\/td>\nMEMS \/ Sensores UV \/ Crescimento de grafeno<\/td>\n<\/tr>\n
Embalagem<\/td>\nCassete ou contentor de pastilha \u00fanica<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Op\u00e7\u00f5es de personaliza\u00e7\u00e3o<\/strong><\/span><\/h3>\n

Fornecemos servi\u00e7os flex\u00edveis de personaliza\u00e7\u00e3o para satisfazer requisitos espec\u00edficos de processos e aplica\u00e7\u00f5es. As op\u00e7\u00f5es dispon\u00edveis incluem:<\/p>\n

    \n
  • Espessura de bolacha personalizada<\/li>\n
  • Diferentes \u00e2ngulos de corte (orienta\u00e7\u00e3o no eixo ou \u00e0 medida)<\/li>\n
  • Concentra\u00e7\u00e3o de dopagem e controlo da resistividade<\/li>\n
  • Acabamento da superf\u00edcie e grau de polimento<\/li>\n<\/ul>\n

    Isto garante a compatibilidade com v\u00e1rios processos epitaxiais e estruturas de dispositivos, quer para investiga\u00e7\u00e3o, prototipagem ou produ\u00e7\u00e3o \u00e0 escala piloto.<\/p>\n

    \n

    Perguntas frequentes<\/strong><\/span><\/h3>\n

    P1: O que significa \u201cepi-ready\u201d para esta bolacha?<\/strong>
    R: Significa que a superf\u00edcie da bolacha foi polida com precis\u00e3o utilizando a tecnologia CMP para obter uma rugosidade ultra baixa, tornando-a imediatamente adequada para o crescimento epitaxial sem processamento adicional.<\/p>\n

    Q2: Porqu\u00ea utilizar o 6H-SiC em vez de outros pol\u00edmeros?<\/strong>
    R: O 6H-SiC oferece vantagens na dete\u00e7\u00e3o de UV, no crescimento de grafeno e em aplica\u00e7\u00f5es \u00f3pticas devido ao seu intervalo de banda e estrutura cristalina.<\/p>\n

    Q3: Esta bolacha \u00e9 adequada para a produ\u00e7\u00e3o industrial?<\/strong>
    R: Sim, as bolachas de 6 polegadas s\u00e3o amplamente utilizadas para produ\u00e7\u00e3o piloto e I&D avan\u00e7ada, dependendo do grau de qualidade e dos requisitos da aplica\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

    Q4: Posso solicitar especifica\u00e7\u00f5es personalizadas?<\/strong>
    R: Sim, suportamos a personaliza\u00e7\u00e3o total, incluindo espessura, orienta\u00e7\u00e3o, dopagem e acabamento da superf\u00edcie.<\/p>\n

    \n

    Por que escolher este wafer de epitaxia de SiC tipo N 6H de 6 polegadas<\/strong><\/span><\/h3>\n

    Esta bolacha foi concebida para proporcionar um desempenho consistente, elevada qualidade de material e excelente compatibilidade com processos avan\u00e7ados de semicondutores. \u00c9 uma solu\u00e7\u00e3o ideal para engenheiros e investigadores que procuram substratos fi\u00e1veis para MEMS, dete\u00e7\u00e3o de UV e tecnologias baseadas em grafeno.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    A pastilha de epitaxia de SiC tipo N 6H de 6 polegadas \u00e9 um substrato semicondutor de elevado desempenho concebido para aplica\u00e7\u00f5es avan\u00e7adas, incluindo dispositivos MEMS, sensores ultravioleta (UV) e crescimento de grafeno epitaxial. Fabricada a partir de monocristais de carboneto de sil\u00edcio (SiC) de alta qualidade, esta pastilha combina excelentes propriedades el\u00e9ctricas, t\u00e9rmicas e mec\u00e2nicas, o que a torna a escolha ideal para ambientes exigentes em que os materiais de sil\u00edcio convencionais n\u00e3o podem ter um desempenho fi\u00e1vel.<\/p>","protected":false},"featured_media":2420,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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