{"id":2354,"date":"2026-04-22T06:34:59","date_gmt":"2026-04-22T06:34:59","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2354"},"modified":"2026-04-22T07:16:34","modified_gmt":"2026-04-22T07:16:34","slug":"ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/ai300-medium-beam-high-temperature-ion-implantation-system-for-12-inch-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Sistema de implanta\u00e7\u00e3o de i\u00f5es de alta temperatura Ai300 (feixe m\u00e9dio) para processamento de bolachas de 12 polegadas"},"content":{"rendered":"

\"SistemaO sistema de implanta\u00e7\u00e3o i\u00f3nica de alta temperatura Ai300 (feixe m\u00e9dio) foi concebido para linhas de fabrico de semicondutores de bolachas de sil\u00edcio de 12 polegadas. \u00c9 um implantador de i\u00f5es de corrente m\u00e9dia desenvolvido para processos avan\u00e7ados de dopagem em aplica\u00e7\u00f5es de semicondutores \u00e0 base de sil\u00edcio e de banda larga, incluindo linhas de processamento de SiC.<\/p>\n

O sistema suporta uma gama de energia de 5 keV a 300 keV, permitindo uma implanta\u00e7\u00e3o flex\u00edvel desde a forma\u00e7\u00e3o de jun\u00e7\u00f5es pouco profundas at\u00e9 aplica\u00e7\u00f5es de dopagem profunda. Est\u00e1 equipado com uma plataforma de bolacha aquecida a alta temperatura, com uma temperatura m\u00e1xima at\u00e9 400\u00b0C, permitindo uma melhor ativa\u00e7\u00e3o do dopante e uma redu\u00e7\u00e3o dos danos na rede durante a implanta\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

Com um desempenho est\u00e1vel do feixe, controlo de alta precis\u00e3o e compatibilidade com processos de circuitos integrados em grande escala, o sistema Ai300 \u00e9 adequado para ambientes avan\u00e7ados de fabrico de semicondutores.<\/p>\n

\n

Carater\u00edsticas<\/h2>\n

Capacidade de implante a alta temperatura<\/h3>\n

Equipado com uma fase de bolacha aquecida que suporta temperaturas at\u00e9 400\u00b0C, melhorando a qualidade da implanta\u00e7\u00e3o e a efici\u00eancia da ativa\u00e7\u00e3o do dopante.<\/p>\n

Vasta gama de energia<\/h3>\n

A gama de energia de 5-300 keV suporta processos de implanta\u00e7\u00e3o superficial e profunda para estruturas de dispositivos avan\u00e7ados.<\/p>\n

Controlo de feixe de alta precis\u00e3o<\/h3>\n

Proporciona uma implanta\u00e7\u00e3o de alta precis\u00e3o com precis\u00e3o angular \u2264 0,1\u00b0, paralelismo do feixe \u2264 0,1\u00b0, uniformidade \u2264 0,5% e repetibilidade \u2264 0,5%.<\/p>\n

Desempenho de alto rendimento<\/h3>\n

Suporta um rendimento de at\u00e9 \u2265 500 bolachas por hora, adequado para o fabrico de semicondutores de elevado volume.<\/p>\n

Capacidade avan\u00e7ada de fontes de i\u00f5es<\/h3>\n

Suporta m\u00faltiplos elementos implantados, incluindo C, B, P, N, He e Ar, satisfazendo diversos requisitos de processos de semicondutores.<\/p>\n

Compatibilidade de processos LSI<\/h3>\n

Totalmente compat\u00edvel com os processos de fabrico de circuitos integrados em grande escala e com o fabrico de dispositivos avan\u00e7ados.<\/p>\n

\"\" \"\"<\/p>\n

\n

Especifica\u00e7\u00f5es principais<\/h2>\n

Par\u00e2metros do processo<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Tamanho da pastilha<\/td>\n12 polegadas<\/td>\n<\/tr>\n
Gama de energia<\/td>\n5-300 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Elementos Implantados<\/td>\nC, B, P, N, He, Ar<\/td>\n<\/tr>\n
Intervalo de dose<\/td>\n1E11-1E16 i\u00f5es\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Desempenho do feixe<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Estabilidade da viga<\/td>\n\u2264 10% \/ hora (\u22641 interrup\u00e7\u00e3o do feixe ou forma\u00e7\u00e3o de arco por hora)<\/td>\n<\/tr>\n
Paralelismo de vigas<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Precis\u00e3o da implanta\u00e7\u00e3o<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gama de \u00e2ngulos do implante<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Precis\u00e3o do \u00e2ngulo<\/td>\n\u2264 0.1\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformidade (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (P+, 1E14, 100 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Repetibilidade (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Desempenho do sistema<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Rendimento<\/td>\n\u2265 500 bolachas por hora<\/td>\n<\/tr>\n
Temperatura m\u00e1xima do implante<\/td>\n400\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
Tamanho do equipamento<\/td>\n6400 \u00d7 3640 \u00d7 3100 mm<\/td>\n<\/tr>\n
N\u00edvel de v\u00e1cuo<\/td>\n5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Fuga de raios X<\/td>\n\u2264 0,3 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modo de digitaliza\u00e7\u00e3o<\/td>\nVarrimento eletrost\u00e1tico horizontal + varrimento mec\u00e2nico vertical<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Campos de aplica\u00e7\u00e3o<\/h2>\n

Processamento de semicondutores SiC<\/h3>\n

Utilizado no fabrico de dispositivos de carboneto de sil\u00edcio, suportando processos de implanta\u00e7\u00e3o a alta temperatura necess\u00e1rios para materiais de grande intervalo de banda.<\/p>\n

Fabrico de semicondutores \u00e0 base de sil\u00edcio<\/h3>\n

Aplic\u00e1vel a linhas de produ\u00e7\u00e3o de bolachas de sil\u00edcio de 12 polegadas para fabrico de CMOS e de circuitos integrados avan\u00e7ados.<\/p>\n

Processos de implanta\u00e7\u00e3o a alta temperatura<\/h3>\n

Suporta processos de implanta\u00e7\u00e3o que requerem uma temperatura elevada da bolacha para reduzir os defeitos e melhorar a ativa\u00e7\u00e3o do dopante.<\/p>\n

Fabrico de dispositivos de pot\u00eancia<\/h3>\n

Adequado para dispositivos semicondutores de pot\u00eancia em que \u00e9 necess\u00e1ria uma dopagem precisa e uma implanta\u00e7\u00e3o de alta energia.<\/p>\n

Produ\u00e7\u00e3o avan\u00e7ada de circuitos integrados<\/h3>\n

Suporta a integra\u00e7\u00e3o de processos LSI com requisitos de alta precis\u00e3o e alto rendimento.<\/p>\n

\n

Perguntas mais frequentes<\/h2>\n

1. Que tamanho de bolacha \u00e9 suportado pelo sistema Ai300?<\/h3>\n

O sistema foi concebido para bolachas de sil\u00edcio de 12 polegadas e \u00e9 adequado para linhas avan\u00e7adas de fabrico de semicondutores.<\/p>\n

2. Qual \u00e9 a principal vantagem da capacidade de implanta\u00e7\u00e3o a alta temperatura<\/h3>\n

O sistema suporta a implanta\u00e7\u00e3o at\u00e9 400\u00b0C, o que ajuda a reduzir os danos na rede, a melhorar a ativa\u00e7\u00e3o dos dopantes e a melhorar o desempenho geral do dispositivo.<\/p>\n

3. Qual o n\u00edvel de precis\u00e3o e efici\u00eancia de produ\u00e7\u00e3o do sistema?<\/h3>\n

O sistema fornece uma precis\u00e3o angular de 0,1 graus, um paralelismo de feixe de 0,1 graus e uniformidade e repetibilidade de 0,5 por cento, com um rendimento de at\u00e9 500 bolachas por hora.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

O sistema de implanta\u00e7\u00e3o i\u00f3nica de alta temperatura Ai300 (feixe m\u00e9dio) foi concebido para linhas de fabrico de semicondutores de bolachas de sil\u00edcio de 12 polegadas. \u00c9 um implantador de i\u00f5es de corrente m\u00e9dia desenvolvido para processos avan\u00e7ados de dopagem em aplica\u00e7\u00f5es de semicondutores \u00e0 base de sil\u00edcio e de banda larga, incluindo linhas de processamento de 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