{"id":2346,"date":"2026-04-22T05:56:29","date_gmt":"2026-04-22T05:56:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2346"},"modified":"2026-04-22T07:25:08","modified_gmt":"2026-04-22T07:25:08","slug":"ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/ai250-medium-beam-room-temperature-ion-implantation-system-for-6-8-inch-silicon-wafer-processing\/","title":{"rendered":"Sistema de implanta\u00e7\u00e3o de i\u00f5es Ai250 (feixe m\u00e9dio) \u00e0 temperatura ambiente para processamento de bolachas de sil\u00edcio de 6-8 polegadas"},"content":{"rendered":"

\"\"O sistema de implanta\u00e7\u00e3o de i\u00f5es Ai250 (feixe m\u00e9dio) foi concebido para linhas de fabrico de semicondutores de bolachas de sil\u00edcio de 6 e 8 polegadas. \u00c9 um implantador de i\u00f5es de corrente m\u00e9dia utilizado em processos avan\u00e7ados de fabrico de circuitos integrados, proporcionando um desempenho est\u00e1vel do feixe, uma elevada precis\u00e3o de implanta\u00e7\u00e3o e um controlo fi\u00e1vel da dose.<\/p>\n

O sistema suporta uma gama de energia de 5 keV a 250 keV, permitindo aplica\u00e7\u00f5es de implanta\u00e7\u00e3o de i\u00f5es superficiais e profundas. \u00c9 adequado para uma vasta gama de processos de dopagem de semicondutores e \u00e9 totalmente compat\u00edvel com os requisitos de fabrico de LSI.<\/p>\n

\n

Carater\u00edsticas<\/h2>\n

Desempenho est\u00e1vel do feixe m\u00e9dio<\/h3>\n

Assegura uma sa\u00edda est\u00e1vel do feixe de i\u00f5es durante longos ciclos de produ\u00e7\u00e3o, melhorando a consist\u00eancia do processo e reduzindo a variabilidade.<\/p>\n

Capacidade para uma vasta gama de energia<\/h3>\n

A gama de energia de 5-250 keV permite requisitos de implanta\u00e7\u00e3o flex\u00edveis para diferentes estruturas de dispositivos e n\u00f3s de processo.<\/p>\n

Controlo de processos de alta precis\u00e3o<\/h3>\n

Proporciona um desempenho de implanta\u00e7\u00e3o de elevada precis\u00e3o com precis\u00e3o angular \u2264 0,2\u00b0, paralelismo do feixe \u2264 0,2\u00b0, uniformidade \u2264 0,5% e repetibilidade \u2264 0,5%.<\/p>\n

Elevada capacidade de produ\u00e7\u00e3o<\/h3>\n

Suporta \u2265 200 bolachas por hora, adequado para produ\u00e7\u00e3o de semicondutores de volume m\u00e9dio a elevado.<\/p>\n

Fun\u00e7\u00e3o do implante de padr\u00e3o<\/h3>\n

Suporta a implanta\u00e7\u00e3o de v\u00e1rias zonas e quadrantes numa \u00fanica bolacha, melhorando a flexibilidade do processo e reduzindo o custo de desenvolvimento.<\/p>\n

Compatibilidade de processos LSI<\/h3>\n

Totalmente compat\u00edvel com os processos de fabrico de semicondutores LSI.<\/p>\n

\"\"<\/p>\n

\n

Especifica\u00e7\u00f5es principais<\/h2>\n

Par\u00e2metros do processo<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Tamanho da pastilha<\/td>\nBolachas de silicone de 6-8 polegadas<\/td>\n<\/tr>\n
Gama de energia<\/td>\n5-250 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Elementos Implantados<\/td>\nB+, P+, As+, Ar+, N+, H+<\/td>\n<\/tr>\n
Intervalo de dose<\/td>\n5E11-1E16 i\u00f5es\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Desempenho do feixe<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Corrente m\u00e1xima do feixe<\/td>\nAr+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nB+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nP+ \u2265 1300 \u03bcA @ \u2265220 keV
\nN+ \u2265 1000 \u03bcA @ \u2265220 keV<\/td>\n<\/tr>\n
Estabilidade da viga<\/td>\n\u2264 15% \/ hora (interrup\u00e7\u00e3o do feixe e forma\u00e7\u00e3o de arcos \u2264 1 vez por hora)<\/td>\n<\/tr>\n
Paralelismo de vigas<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Precis\u00e3o da implanta\u00e7\u00e3o<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Gama de \u00e2ngulos do implante<\/td>\n0\u00b0-45\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Precis\u00e3o do \u00e2ngulo<\/td>\n\u2264 0.2\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n
Uniformidade (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5% (B+, 2E14, 150 keV)<\/td>\n<\/tr>\n
Repetibilidade (1\u03c3)<\/td>\n\u2264 0,5%<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Desempenho do sistema<\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Rendimento<\/td>\n\u2265 200 bolachas por hora<\/td>\n<\/tr>\n
N\u00edvel de v\u00e1cuo<\/td>\n< 5E-7 Torr<\/td>\n<\/tr>\n
Fuga de raios X<\/td>\n\u2264 0,6 \u03bcSv\/h<\/td>\n<\/tr>\n
Modo de digitaliza\u00e7\u00e3o<\/td>\nVarrimento eletrost\u00e1tico horizontal + varrimento mec\u00e2nico vertical<\/td>\n<\/tr>\n
Tamanho do equipamento<\/td>\n5600 \u00d7 3300 \u00d7 2600 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n

Campos de aplica\u00e7\u00e3o<\/h2>\n

Fabrico de dispositivos de semicondutores<\/h3>\n

Utilizado na produ\u00e7\u00e3o de dispositivos l\u00f3gicos CMOS, proporcionando uma implanta\u00e7\u00e3o precisa de dopantes para a forma\u00e7\u00e3o de trans\u00edstores.<\/p>\n

Fabrico de circuitos integrados<\/h3>\n

Aplicado em LSI e em processos avan\u00e7ados de fabrico de circuitos integrados que exigem um controlo de dopagem de alta precis\u00e3o.<\/p>\n

Forma\u00e7\u00e3o de jun\u00e7\u00e3o rasa e profunda<\/h3>\n

Apoia os processos de implanta\u00e7\u00e3o para engenharia de fonte\/dreno e controlo da profundidade da jun\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

Engenharia de Dopantes<\/h3>\n

Utilizado para controlar as propriedades el\u00e9ctricas de bolachas de sil\u00edcio atrav\u00e9s de uma implanta\u00e7\u00e3o i\u00f3nica precisa.<\/p>\n

Desenvolvimento de processos e I&D<\/h3>\n

Adequado para o desenvolvimento de processos de semicondutores, produ\u00e7\u00e3o piloto e fabrico experimental de dispositivos.<\/p>\n

\n

Perguntas mais frequentes<\/h2>\n

1. Que tamanhos de bolacha s\u00e3o suportados pelo Ai250<\/h3>\n

O sistema suporta wafers de sil\u00edcio de 6 e 8 polegadas e \u00e9 adequado para as principais linhas de fabrico de semicondutores.<\/p>\n

2. Qual \u00e9 a gama de energia do sistema<\/h3>\n

A gama de energia \u00e9 de 5 keV a 250 keV, suportando processos de implanta\u00e7\u00e3o superficial e profunda para o fabrico de dispositivos semicondutores.<\/p>\n

3. Qual o n\u00edvel de exatid\u00e3o do processo que o sistema proporciona<\/h3>\n

O sistema proporciona uma precis\u00e3o angular de 0,2\u00b0, um paralelismo de feixe de 0,2\u00b0 e uma uniformidade e repetibilidade de 0,5%, garantindo um desempenho de produ\u00e7\u00e3o est\u00e1vel e de elevado rendimento.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

O sistema de implanta\u00e7\u00e3o de i\u00f5es Ai250 (feixe m\u00e9dio) foi concebido para linhas de fabrico de semicondutores de bolachas de sil\u00edcio de 6 e 8 polegadas. \u00c9 um implantador de i\u00f5es de corrente m\u00e9dia utilizado em processos avan\u00e7ados de fabrico de circuitos integrados, proporcionando um desempenho est\u00e1vel do feixe, uma elevada precis\u00e3o de implanta\u00e7\u00e3o e um controlo fi\u00e1vel da 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