{"id":2327,"date":"2026-04-21T06:21:20","date_gmt":"2026-04-21T06:21:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2327"},"modified":"2026-04-21T06:21:21","modified_gmt":"2026-04-21T06:21:21","slug":"wafer-thinning-system-precision-back-grinding-equipment-for-si-sic-and-4-to-12-inch-semiconductor-wafers","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/wafer-thinning-system-precision-back-grinding-equipment-for-si-sic-and-4-to-12-inch-semiconductor-wafers\/","title":{"rendered":"Sistema de desbaste de bolachas Equipamento de retifica\u00e7\u00e3o posterior de precis\u00e3o para bolachas de semicondutores de Si SiC e 4 a 12 polegadas"},"content":{"rendered":"

\"SistemaO equipamento de retifica\u00e7\u00e3o posterior de precis\u00e3o do sistema de desbaste de bolachas \u00e9 uma solu\u00e7\u00e3o de processamento de bolachas de alta precis\u00e3o concebida para o fabrico avan\u00e7ado de semicondutores. Suporta bolachas de 4 a 12 polegadas, incluindo sil\u00edcio (Si), carboneto de sil\u00edcio (SiC), arsenieto de g\u00e1lio (GaAs), safira e outros materiais semicondutores compostos fr\u00e1geis.<\/p>\n

Este sistema foi concebido para um desbaste ultra-preciso da face posterior da bolacha, permitindo a redu\u00e7\u00e3o da espessura para n\u00edveis micr\u00f3nicos e submicr\u00f3nicos, mantendo uma excelente integridade da superf\u00edcie. Desempenha um papel cr\u00edtico na embalagem avan\u00e7ada, dispositivos de pot\u00eancia, MEMS e fabrico de semicondutores compostos.<\/p>\n

Ao integrar um design mec\u00e2nico de elevada rigidez, controlo preciso do eixo Z e monitoriza\u00e7\u00e3o da espessura em tempo real, o equipamento assegura um desempenho de processamento est\u00e1vel e repet\u00edvel para a produ\u00e7\u00e3o \u00e0 escala industrial.<\/p>\n

\n

Principais carater\u00edsticas t\u00e9cnicas<\/span><\/h2>\n

Controlo de espessura de alta precis\u00e3o<\/span><\/h3>\n
    \n
  • Precis\u00e3o da espessura: \u00b11 \u03bcm<\/li>\n
  • Varia\u00e7\u00e3o da espessura total (TTV): \u22642 \u03bcm<\/li>\n
  • Os modelos avan\u00e7ados alcan\u00e7am um controlo submicr\u00f3nico at\u00e9 \u00b10,5 \u03bcm<\/li>\n<\/ul>\n

    \"\"Ampla compatibilidade de materiais<\/span><\/h3>\n

    Suporta uma vasta gama de semicondutores e materiais fr\u00e1geis:<\/p>\n

      \n
    • Sil\u00edcio (Si)<\/li>\n
    • Carboneto de sil\u00edcio (SiC)<\/li>\n
    • Arsenieto de g\u00e1lio (GaAs)<\/li>\n
    • Safira (Al\u2082O\u2083)<\/li>\n
    • Outros wafers de semicondutores compostos<\/li>\n<\/ul>\n

      Compatibilidade de tamanho de wafer<\/span><\/h3>\n
        \n
      • Bolachas de 4 polegadas \/ 6 polegadas \/ 8 polegadas \/ 10 polegadas \/ 12 polegadas<\/li>\n
      • Manuseamento flex\u00edvel para substratos padr\u00e3o e personalizados<\/li>\n<\/ul>\n

        Sistema mec\u00e2nico de alta estabilidade<\/span><\/h3>\n
          \n
        • Eixo de rolamento de ar de alta rigidez<\/li>\n
        • Plataforma de retifica\u00e7\u00e3o de precis\u00e3o com baixa vibra\u00e7\u00e3o<\/li>\n
        • Fuso de esferas importado + sistema de guia linear<\/li>\n
        • Controlo de servomotores de alta precis\u00e3o (resolu\u00e7\u00e3o de 0,1 \u03bcm)<\/li>\n<\/ul>\n

          Sistema de arrefecimento avan\u00e7ado<\/span><\/h3>\n
            \n
          • O sistema de fuso arrefecido a \u00e1gua assegura a estabilidade t\u00e9rmica<\/li>\n
          • Evita a deforma\u00e7\u00e3o durante a retifica\u00e7\u00e3o a alta velocidade<\/li>\n<\/ul>\n
            \n

            Configura\u00e7\u00e3o do sistema<\/span><\/h2>\n

            O sistema de desbaste de bolachas integra v\u00e1rios m\u00f3dulos funcionais:<\/p>\n

            1. M\u00f3dulo de retifica\u00e7\u00e3o de precis\u00e3o<\/span><\/h3>\n

            Efectua uma remo\u00e7\u00e3o controlada de material com elevada uniformidade de superf\u00edcie.<\/p>\n

            2. Sistema de controlo de precis\u00e3o do eixo Z<\/span><\/h3>\n

            Permite um ajuste vertical ultra-fino para uma espessura consistente da bolacha.<\/p>\n

            3. Sistema de medi\u00e7\u00e3o da espessura<\/span><\/h3>\n

            A medi\u00e7\u00e3o em tempo real com ou sem contacto garante a estabilidade do processo.<\/p>\n

            4. Mandril para wafer a v\u00e1cuo<\/span><\/h3>\n

            Fixa\u00e7\u00e3o segura da bolacha, incluindo solu\u00e7\u00f5es personalizadas para bolachas irregulares.<\/p>\n

            5. Sistema de controlo de automa\u00e7\u00e3o<\/span><\/h3>\n
              \n
            • Modos de funcionamento totalmente autom\u00e1tico \/ semi-autom\u00e1tico<\/li>\n
            • Grava\u00e7\u00e3o do registo de opera\u00e7\u00f5es<\/li>\n
            • Controlo de processos baseado em receitas<\/li>\n<\/ul>\n
              \n

              \"\" Capacidades de processamento<\/span><\/h2>\n

              O sistema foi concebido para o processamento de alto desempenho da face posterior da bolacha:<\/p>\n

                \n
              • Retifica\u00e7\u00e3o posterior de bolachas de sil\u00edcio<\/li>\n
              • Desbaste de pastilhas de SiC para dispositivos de pot\u00eancia<\/li>\n
              • Afinamento do substrato de GaN e GaAs<\/li>\n
              • Desbaste de precis\u00e3o de bolachas de safira<\/li>\n
              • Prepara\u00e7\u00e3o de bolachas ultra-finas para embalagem 3D<\/li>\n<\/ul>\n
                \n

                Aplica\u00e7\u00f5es<\/span><\/h2>\n

                1. Dispositivos semicondutores de pot\u00eancia<\/span><\/h3>\n

                Utilizado em MOSFETs de SiC, IGBTs e dispositivos de alta tens\u00e3o que requerem wafers ultra-finos.<\/p>\n

                \"\"2. Embalagem avan\u00e7ada<\/span><\/h3>\n

                Suporta o desbaste de bolachas para:<\/p>\n

                  \n
                • Embalagem de flip-chips<\/li>\n
                • Integra\u00e7\u00e3o de CI 2,5D \/ 3D<\/li>\n
                • Processos TSV (Through Silicon Via)<\/li>\n<\/ul>\n

                  3. Semicondutores compostos<\/span><\/h3>\n

                  Aplic\u00e1vel ao fabrico de dispositivos GaN, GaAs e InP.<\/p>\n

                  4. LED e optoelectr\u00f3nica<\/span><\/h3>\n

                  Desbaste de pastilhas de safira e compostos para pastilhas de LED e dispositivos \u00f3pticos.<\/p>\n

                  \n

                  Vantagens<\/span><\/h2>\n
                    \n
                  • Tecnologia de desbaste de bolachas madura e est\u00e1vel<\/li>\n
                  • Sistema de retifica\u00e7\u00e3o de alimenta\u00e7\u00e3o de alta precis\u00e3o<\/li>\n
                  • Excelente controlo da rugosidade da superf\u00edcie<\/li>\n
                  • UPH elevado (at\u00e9 30 wafers\/hora para processos padr\u00e3o)<\/li>\n
                  • Forte adaptabilidade para materiais fr\u00e1geis e duros<\/li>\n
                  • Capacidade de integra\u00e7\u00e3o de processos totalmente automatizada<\/li>\n<\/ul>\n
                    \n

                    Destaques do desempenho<\/span><\/h2>\n
                      \n
                    • Resolu\u00e7\u00e3o m\u00ednima: 0,1 \u03bcm\/s Controlo do eixo Z<\/li>\n
                    • Uniformidade da espessura: \u22641-2 \u03bcm TTV<\/li>\n
                    • Fuso de alta velocidade com vibra\u00e7\u00e3o ultra-baixa<\/li>\n
                    • Monitoriza\u00e7\u00e3o e registo de processos em tempo real<\/li>\n
                    • Compat\u00edvel com ambientes de I&D e de produ\u00e7\u00e3o em massa<\/li>\n<\/ul>\n
                      \n

                      Op\u00e7\u00f5es de personaliza\u00e7\u00e3o<\/span><\/h2>\n

                      Fornecemos personaliza\u00e7\u00e3o flex\u00edvel para diferentes necessidades industriais:<\/p>\n

                        \n
                      • Mandris de wafer personalizados (formas irregulares)<\/li>\n
                      • Gama de medi\u00e7\u00e3o de espessura alargada (at\u00e9 40 mm)<\/li>\n
                      • Personaliza\u00e7\u00e3o da receita do processo<\/li>\n
                      • Integra\u00e7\u00e3o de automa\u00e7\u00e3o com equipamento a montante\/jusante<\/li>\n<\/ul>\n
                        \n

                        FAQ<\/span><\/h2>\n

                        Q1: Este sistema pode processar bolachas de SiC?<\/span><\/h3>\n

                        Sim, est\u00e1 especificamente optimizado para o desbaste de pastilhas de SiC e para o desbaste do lado posterior, adequado para aplica\u00e7\u00f5es em dispositivos de pot\u00eancia.<\/p>\n

                        Q2: Qual \u00e9 a precis\u00e3o de espessura que se pode obter?<\/span><\/h3>\n

                        Os modelos padr\u00e3o atingem \u00b11 \u03bcm, e as configura\u00e7\u00f5es topo de gama podem atingir \u00b10,5 \u03bcm com TTV \u22641 \u03bcm.<\/p>\n

                        Q3: \u00c9 compat\u00edvel com a automatiza\u00e7\u00e3o total?<\/span><\/h3>\n

                        Sim, est\u00e3o dispon\u00edveis os modos totalmente autom\u00e1tico e semi-autom\u00e1tico, dependendo dos requisitos de produ\u00e7\u00e3o.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                        O equipamento de retifica\u00e7\u00e3o posterior de precis\u00e3o do sistema de desbaste de bolachas \u00e9 uma solu\u00e7\u00e3o de processamento de bolachas de alta precis\u00e3o concebida para o fabrico avan\u00e7ado de semicondutores. Suporta bolachas de 4 a 12 polegadas, incluindo sil\u00edcio (Si), carboneto de sil\u00edcio (SiC), arsenieto de g\u00e1lio (GaAs), safira e outros materiais semicondutores compostos fr\u00e1geis. Este sistema foi concebido para o desbaste ultra-preciso da face posterior da bolacha, permitindo a redu\u00e7\u00e3o da espessura para n\u00edveis micr\u00f3nicos e submicr\u00f3nicos, mantendo uma excelente integridade da 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