{"id":2196,"date":"2026-04-14T06:34:45","date_gmt":"2026-04-14T06:34:45","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?post_type=product&p=2196"},"modified":"2026-04-14T06:34:48","modified_gmt":"2026-04-14T06:34:48","slug":"2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/pt\/product\/2-inch-6h-n-silicon-carbide-wafer\/","title":{"rendered":"Pastilha de carboneto de sil\u00edcio 6H-N de 2 polegadas"},"content":{"rendered":"

\"PastilhaA bolacha de carboneto de sil\u00edcio 6H-N de 2 polegadas \u00e9 um substrato monocristalino concebido para aplica\u00e7\u00f5es ao n\u00edvel da investiga\u00e7\u00e3o e dos dispositivos. O politopo 6H apresenta uma estrutura cristalina hexagonal que proporciona uma condutividade el\u00e9ctrica est\u00e1vel e um bom desempenho t\u00e9rmico em condi\u00e7\u00f5es exigentes.<\/p>\n

Com um bandgap de aproximadamente 3,02 eV, o 6H-SiC permite o funcionamento em ambientes onde os materiais de sil\u00edcio tradicionais falham, particularmente em condi\u00e7\u00f5es de alta tens\u00e3o, alta temperatura e alta frequ\u00eancia. Isto torna-o adequado para prototipagem de dispositivos em fase inicial, testes de materiais e fabrico especializado de componentes electr\u00f3nicos.<\/p>\n

As pastilhas de SiC ZMSH s\u00e3o fabricadas utilizando t\u00e9cnicas de crescimento controlado de cristais para garantir uma resistividade consistente, uma baixa densidade de defeitos e uma elevada qualidade de superf\u00edcie. Estes par\u00e2metros s\u00e3o essenciais para garantir resultados experimentais reprodut\u00edveis e um desempenho est\u00e1vel do dispositivo.<\/p>\n

Carater\u00edsticas principais<\/h2>\n

Estrutura condutora de tipo N<\/h3>\n

A bolacha \u00e9 dopada como tipo N, fornecendo vias de condu\u00e7\u00e3o de electr\u00f5es est\u00e1veis adequadas para o fabrico de dispositivos semicondutores e experi\u00eancias de carateriza\u00e7\u00e3o el\u00e9ctrica.<\/p>\n

Material semicondutor de grande intervalo de banda<\/h3>\n

Com um intervalo de banda de ~3,02 eV, o SiC suporta uma for\u00e7a de campo el\u00e9trico significativamente mais elevada em compara\u00e7\u00e3o com o sil\u00edcio, permitindo um funcionamento a alta tens\u00e3o e uma maior efici\u00eancia do dispositivo.<\/p>\n

Alta condutividade t\u00e9rmica<\/h3>\n

O SiC apresenta uma excelente condutividade t\u00e9rmica, permitindo uma dissipa\u00e7\u00e3o eficiente do calor das regi\u00f5es activas do dispositivo. Isto melhora a fiabilidade do dispositivo e prolonga o tempo de vida operacional em aplica\u00e7\u00f5es de alta pot\u00eancia.<\/p>\n

Elevada resist\u00eancia mec\u00e2nica<\/h3>\n

Com uma dureza de Mohs de aproximadamente 9,2, as bolachas de SiC oferecem uma forte resist\u00eancia aos danos mec\u00e2nicos, ao desgaste da superf\u00edcie e ao stress do processamento durante o fabrico.<\/p>\n

Campo el\u00e9trico de rutura elevado<\/h3>\n

A elevada intensidade do campo de rutura permite estruturas de dispositivos compactas, mantendo simultaneamente uma elevada toler\u00e2ncia \u00e0 tens\u00e3o, o que torna o SiC ideal para a eletr\u00f3nica de pot\u00eancia avan\u00e7ada.<\/p>\n

Especifica\u00e7\u00f5es t\u00e9cnicas<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e2metro<\/th>\nEspecifica\u00e7\u00e3o<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Material<\/td>\nCarbeto de sil\u00edcio monocristalino<\/td>\n<\/tr>\n
Marca<\/td>\nZMSH<\/td>\n<\/tr>\n
Polytype<\/td>\n6H-N<\/td>\n<\/tr>\n
Di\u00e2metro<\/td>\n2 polegadas (50,8 mm)<\/td>\n<\/tr>\n
Espessura<\/td>\n350 \u03bcm \/ 650 \u03bcm<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de condutividade<\/td>\nTipo N<\/td>\n<\/tr>\n
Acabamento da superf\u00edcie<\/td>\nSi-face polida CMP<\/td>\n<\/tr>\n
Tratamento da face C<\/td>\nPolido mec\u00e2nico<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosidade da superf\u00edcie<\/td>\nRa < 0,2 nm (face Si)<\/td>\n<\/tr>\n
Resistividade<\/td>\n0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n
Cor<\/td>\nTransparente \/ Verde claro<\/td>\n<\/tr>\n
Embalagem<\/td>\nContentor de bolacha \u00fanica<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Propriedades do material 6H-SiC<\/h2>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Im\u00f3veis<\/th>\nValor<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Par\u00e2metros da rede<\/td>\na = 3,073 \u00c5, c = 15,117 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
Dureza de Mohs<\/td>\n\u2248 9.2<\/td>\n<\/tr>\n
Densidade<\/td>\n3,21 g\/cm\u00b3<\/td>\n<\/tr>\n
Coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica<\/td>\n4-5 \u00d710-\u2076 \/K<\/td>\n<\/tr>\n
\u00cdndice de refra\u00e7\u00e3o (750 nm)<\/td>\nn\u2080 = 2,60, n\u2091 = 2,65<\/td>\n<\/tr>\n
Constante diel\u00e9ctrica<\/td>\n\u2248 9.66<\/td>\n<\/tr>\n
Condutividade t\u00e9rmica<\/td>\n~3,7-3,9 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
Bandgap<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Campo el\u00e9trico de rutura<\/td>\n3-5 \u00d710\u2076 V\/cm<\/td>\n<\/tr>\n
Velocidade de deriva de satura\u00e7\u00e3o<\/td>\n2,0 \u00d710\u2075 m\/s<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Estas propriedades f\u00edsicas intr\u00ednsecas tornam o 6H-SiC adequado para aplica\u00e7\u00f5es que exigem um desempenho est\u00e1vel em condi\u00e7\u00f5es el\u00e9ctricas e t\u00e9rmicas extremas.<\/p>\n

\"PastilhaProcesso de fabrico<\/h2>\n

As bolachas monocristalinas de SiC s\u00e3o normalmente produzidas utilizando o processo M\u00e9todo de transporte f\u00edsico de vapor (PVT)<\/strong>, um processo industrial maduro para o crescimento de cristais de semicondutores de banda larga.<\/p>\n

Neste processo, o material de origem SiC de elevada pureza \u00e9 sublimado a temperaturas superiores a 2000\u00b0C. As esp\u00e9cies de vapor s\u00e3o transportadas atrav\u00e9s de um gradiente t\u00e9rmico cuidadosamente controlado e recristalizadas num cristal de semente, formando um lingote de cristal \u00fanico (boule). Ap\u00f3s o crescimento, o boule \u00e9 processado em bolachas atrav\u00e9s de etapas de corte, lapida\u00e7\u00e3o, polimento e limpeza.<\/p>\n

Para aplica\u00e7\u00f5es em dispositivos, os wafers podem ser submetidos a Crescimento epitaxial por deposi\u00e7\u00e3o qu\u00edmica em fase vapor (CVD)<\/strong>, que permite um controlo preciso da concentra\u00e7\u00e3o de dopagem e da espessura da camada. Esta etapa \u00e9 essencial para o fabrico de MOSFET e d\u00edodos.<\/p>\n

Aplica\u00e7\u00f5es<\/h2>\n

Eletr\u00f3nica de pot\u00eancia<\/h3>\n

Os wafers SiC 6H-N de 2 polegadas s\u00e3o utilizados no desenvolvimento e prototipagem de dispositivos semicondutores de pot\u00eancia, incluindo d\u00edodos, estruturas MOSFET e m\u00f3dulos de pot\u00eancia. Estes dispositivos s\u00e3o essenciais para sistemas de convers\u00e3o de energia e circuitos de gest\u00e3o de energia.<\/p>\n

Eletr\u00f3nica de alta temperatura<\/h3>\n

Os materiais SiC mant\u00eam um desempenho el\u00e9trico est\u00e1vel a temperaturas elevadas, o que os torna adequados para a eletr\u00f3nica aeroespacial, sistemas de monitoriza\u00e7\u00e3o industrial e aplica\u00e7\u00f5es de infra-estruturas energ\u00e9ticas.<\/p>\n

Investiga\u00e7\u00e3o e desenvolvimento de semicondutores<\/h3>\n

Devido \u00e0 sua disponibilidade e rentabilidade, as bolachas de 2 polegadas s\u00e3o amplamente utilizadas em laborat\u00f3rios universit\u00e1rios, institutos de investiga\u00e7\u00e3o e ambientes de produ\u00e7\u00e3o piloto para estudos de materiais e experimenta\u00e7\u00e3o de dispositivos.<\/p>\n

Aplica\u00e7\u00f5es optoelectr\u00f3nicas e especiais<\/h3>\n

O SiC tamb\u00e9m apresenta transpar\u00eancia \u00f3tica em determinadas gamas de comprimentos de onda, o que permite a sua utiliza\u00e7\u00e3o em aplica\u00e7\u00f5es especializadas de investiga\u00e7\u00e3o fot\u00f3nica e optoelectr\u00f3nica.<\/p>\n

Vantagens\"Pastilha<\/h2>\n

A plataforma de pastilha de SiC de 2 polegadas oferece v\u00e1rias vantagens para a investiga\u00e7\u00e3o e o desenvolvimento:<\/p>\n

    \n
  • Custo mais baixo em compara\u00e7\u00e3o com bolachas de maiores dimens\u00f5es<\/li>\n
  • Manuseamento mais f\u00e1cil para experi\u00eancias \u00e0 escala laboratorial<\/li>\n
  • Adequado para prototipagem r\u00e1pida e teste de processos<\/li>\n
  • Qualidade est\u00e1vel dos cristais para resultados reprodut\u00edveis<\/li>\n
  • Op\u00e7\u00f5es flex\u00edveis de personaliza\u00e7\u00e3o para necessidades de investiga\u00e7\u00e3o<\/li>\n<\/ul>\n

    FAQ<\/h2>\n

    Q1: Qual \u00e9 a diferen\u00e7a entre 6H-SiC e 4H-SiC?<\/h3>\n

    O 6H-SiC e o 4H-SiC s\u00e3o pol\u00edmeros cristalinos diferentes. O 4H-SiC oferece geralmente uma maior mobilidade de electr\u00f5es e \u00e9 amplamente utilizado em dispositivos comerciais de energia, enquanto o 6H-SiC proporciona um comportamento el\u00e9trico est\u00e1vel e \u00e9 normalmente utilizado na investiga\u00e7\u00e3o e em aplica\u00e7\u00f5es electr\u00f3nicas espec\u00edficas.<\/p>\n

    Q2: Que tratamento de superf\u00edcie \u00e9 aplicado \u00e0 bolacha?<\/h3>\n

    A face Si \u00e9 polida por polimento qu\u00edmico-mec\u00e2nico (CMP) para obter uma qualidade de superf\u00edcie ultra-suave (Ra < 0,2 nm). A face C \u00e9 polida mecanicamente para suportar diferentes requisitos de processamento.<\/p>\n

    Q3: As especifica\u00e7\u00f5es da bolacha podem ser personalizadas?<\/h3>\n

    Sim. A ZMSH oferece op\u00e7\u00f5es de personaliza\u00e7\u00e3o, incluindo espessura, concentra\u00e7\u00e3o de dopagem, gama de resistividade e prepara\u00e7\u00e3o da superf\u00edcie de acordo com os requisitos do cliente.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    A ZMSH fornece wafers de carboneto de sil\u00edcio (SiC) 6H-N de 2 polegadas de alta qualidade, concebidos para a investiga\u00e7\u00e3o de semicondutores, o desenvolvimento de eletr\u00f3nica de pot\u00eancia e o fabrico de dispositivos electr\u00f3nicos de elevado desempenho. O carboneto de sil\u00edcio \u00e9 um material semicondutor de banda larga que oferece propriedades el\u00e9ctricas, t\u00e9rmicas e mec\u00e2nicas superiores \u00e0s dos substratos convencionais de sil\u00edcio (Si).<\/p>","protected":false},"featured_media":2197,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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