![\"4H-N](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd2-300x300.webp\")
<\/p>\nA pastilha de carboneto de sil\u00edcio 4H-N de 6 polegadas \u00e9 um substrato semicondutor de banda larga concebido para dispositivos electr\u00f3nicos de pot\u00eancia da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o. Em compara\u00e7\u00e3o com os materiais de sil\u00edcio tradicionais, o SiC oferece uma for\u00e7a de campo el\u00e9trico de rutura significativamente mais elevada, uma condutividade t\u00e9rmica superior e um desempenho est\u00e1vel em condi\u00e7\u00f5es de alta temperatura e alta tens\u00e3o.<\/p>\n
O grande intervalo de banda de cerca de 3,26 eV permite que os dispositivos baseados em SiC funcionem a tens\u00f5es e frequ\u00eancias de comuta\u00e7\u00e3o mais elevadas, mantendo simultaneamente menores perdas de energia. Como resultado, o SiC tornou-se um material essencial para sistemas de convers\u00e3o de energia de alta efici\u00eancia, incluindo ve\u00edculos el\u00e9ctricos, sistemas de energia renov\u00e1vel e fontes de alimenta\u00e7\u00e3o industriais.<\/p>\n
O formato de bolacha de 6 polegadas (classe de 150 mm) \u00e9 atualmente o principal padr\u00e3o industrial para o fabrico de dispositivos SiC. Proporciona um equil\u00edbrio \u00f3timo entre rendimento de produ\u00e7\u00e3o, maturidade do processo e efici\u00eancia de custos, tornando-o adequado tanto para a produ\u00e7\u00e3o em massa como para aplica\u00e7\u00f5es de investiga\u00e7\u00e3o avan\u00e7ada.<\/p>\n
O 4H-SiC \u00e9 o pol\u00edmero mais utilizado na eletr\u00f3nica de pot\u00eancia devido \u00e0 sua simetria cristalina e desempenho el\u00e9trico favor\u00e1veis.<\/p>\n
As principais propriedades intr\u00ednsecas incluem:<\/p>\n
Estas propriedades fazem do SiC um material essencial para dispositivos semicondutores de alta pot\u00eancia e alta efici\u00eancia.<\/p>\n
![\"Pastilha](\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/6_inch_silicon_carbide_sic_wafer_for_ar_glasses_mos_sbd4-300x300.webp\")
Crescimento de cristais e processo de fabrico<\/h2>\nAs bolachas de SiC s\u00e3o normalmente fabricadas utilizando o m\u00e9todo de Transporte F\u00edsico de Vapor (PVT), um processo industrial maduro para o crescimento de cristais de SiC a granel.<\/p>\n
Neste processo, o p\u00f3 de SiC de elevada pureza \u00e9 sublimado a temperaturas superiores a 2000\u00b0C. As esp\u00e9cies em fase de vapor s\u00e3o transportadas sob gradientes t\u00e9rmicos cuidadosamente controlados e recristalizadas num cristal de semente, formando um boule de cristal \u00fanico.<\/p>\n
Ap\u00f3s o crescimento do cristal, o material sofre:<\/p>\n
Para o fabrico de dispositivos, pode ser aplicado um processo epitaxial adicional de deposi\u00e7\u00e3o qu\u00edmica em fase vapor (CVD) para formar camadas epitaxiais de alta qualidade com concentra\u00e7\u00e3o e espessura de dopagem controladas.<\/p>\n
| Im\u00f3veis<\/th>\n | Grau Z (Grau de produ\u00e7\u00e3o)<\/th>\n | Grau D (Grau de Engenharia)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n |
|---|---|---|
| Di\u00e2metro<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n | 149,5 - 150,0 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Polytype<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n | 4H-SiC<\/td>\n<\/tr>\n |
| Espessura<\/td>\n | 350 \u00b1 15 \u00b5m<\/td>\n | 350 \u00b1 25 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Tipo de condutividade<\/td>\n | Tipo N<\/td>\n | Tipo N<\/td>\n<\/tr>\n |
| \u00c2ngulo fora do eixo<\/td>\n | 4,0\u00b0 na dire\u00e7\u00e3o de \u00b1 0,5\u00b0<\/td>\n | 4,0\u00b0 na dire\u00e7\u00e3o de \u00b1 0,5\u00b0<\/td>\n<\/tr>\n |
| Resistividade<\/td>\n | 0,015 - 0,024 \u03a9-cm<\/td>\n | 0,015 - 0,028 \u03a9-cm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Densidade do microtubo<\/td>\n | \u2264 0,2 cm-\u00b2<\/td>\n | \u2264 15 cm-\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n |
| Rugosidade da superf\u00edcie (Ra)<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n | \u2264 1 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Rugosidade CMP<\/td>\n | \u2264 0,2 nm<\/td>\n | \u2264 0,5 nm<\/td>\n<\/tr>\n |
| LTV<\/td>\n | \u2264 2,5 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 5 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| TTV<\/td>\n | \u2264 6 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 15 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Arco<\/td>\n | \u2264 25 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 40 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Deformar<\/td>\n | \u2264 35 \u00b5m<\/td>\n | \u2264 60 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n |
| Exclus\u00e3o de bordos<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n<\/tr>\n |
| Embalagem<\/td>\n | Cassete \/ Pastilha \u00fanica<\/td>\n | Cassete \/ Pastilha \u00fanica<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
|
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Controlo de qualidade e inspe\u00e7\u00e3o<\/h2>\n